公开(公告)号：KR1020050121046A

公开(公告)日：2005-12-26

申请号：KR1020040046188

申请日：2004-06-21

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  문종하 ,  유기영

IPC: G02B6/00 ,  G02B6/13 ,  C03B37/00

CPC classification number: H01S3/06754 ,  C03C3/32 ,  C03C4/12 ,  C03C13/048

Abstract: 본 발명은 광대역 평판형 증폭기에 관한 것으로 특히, 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기에 관한 것이다.
본 발명은 텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO
2 -WO
3 )의 타겟을 제조하는 단계; 모재를 세척하는 단계; 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 상기 타겟 물질을 상기 모재에 증착시켜 텅스펜-텔루라이트박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101823579B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020160037520

申请日：2016-03-29

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완 ,  문종하 ,  하준석 ,  허재영

IPC: G02B3/00 ,  B29D11/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명은양면실리콘렌즈및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는양면실리콘렌즈를전면패터닝공정만으로제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면및 후면패터닝공정을모두수행하지않고전면패터닝공정만으로양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면패터닝공정만을수행하므로각 면렌즈실리콘렌즈사이의정렬을높은정렬도로구현할수 있으며, 다양한형상의다양한곡률을갖는양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101532139B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020130109655

申请日：2013-09-12

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김유경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 박막태양전지를구성하는 CIGS 박막의제조방법이개시된다. 하이레벨과로우레벨이반복적으로인가되는펄스열 형태의전압의인가와열처리를통해 CIGS 박막은형성될수 있다. 하이레벨을가진전압의인가에따라 Se 이온또는 Cu 이온이전착되고, 로우레벨을가지는전압의인가에따라 Ga 이온및 In 이온이전착된다. 또한, 작업전극에인가되는전압은 3단계의레벨을가진스텝펄스의형태로인가될수 있다. 이를통해빠른공정시간내에 CIGS 박막의형성이이루어질수 있다.

公开(公告)号：KR1020150032438A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020130112094

申请日：2013-09-17

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김인영

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

Abstract: 화학 수조 증착법을 이용한 CZTS 박막 제조방법이 개시된다. 이 방법은 수조에 전구체 용액을 준비하는 단계와, 전구체 용액에 기판을 넣고 소정 시간 동안 유지하여 기판에 전구체 박막을 형성하는 단계와, 전구체 박막이 형성된 기판을 취출하여 열처리하는 단계를 포함한다. 여기서, 전구체 용액의 다양한 예를 가진다. 금속염, 착화제, 및 황염 또는 셀렌염을 포함하거나, 금속염과 착화제만을 포함할 수 있다. 또한 전구체 용액을 복수의 전구체 용액으로 준비하여 복수의 전구체 박막을 형성한 후 이를 열처리하여 CZTS 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 使用化学浴沉积技术制造CZTS基薄膜的方法。 该方法包括以下步骤：在水箱中制备前体溶液; 将衬底输入到前体溶液中并保持衬底一定时间以在衬底上形成前体薄膜; 并提取其中形成前体薄膜的基材，并对基材进行热处理，其中可以应用前体溶液的各种实例，并且可以包括金属盐，络合剂和硫盐或硒盐，或者仅仅是 金属盐和复合剂。 此外，本发明可以制备多种前体溶液，形成多个前体薄膜，并将其热处理以形成CZTS薄膜。

公开(公告)号：KR1020150030813A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020130109655

申请日：2013-09-12

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김유경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 박막태양전지를구성하는 CIGS 박막의제조방법이개시된다. 하이레벨과로우레벨이반복적으로인가되는펄스열 형태의전압의인가와열처리를통해 CIGS 박막은형성될수 있다. 하이레벨을가진전압의인가에따라 Se 이온또는 Cu 이온이전착되고, 로우레벨을가지는전압의인가에따라 Ga 이온및 In 이온이전착된다. 또한, 작업전극에인가되는전압은 3단계의레벨을가진스텝펄스의형태로인가될수 있다. 이를통해빠른공정시간내에 CIGS 박막의형성이이루어질수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造包括薄膜太阳能电池的CIGS薄膜的方法。 通过进行热处理并施加重复施加高电平和低电平的脉冲串类型的电压来形成CIGS薄膜。 通过施加高电平的电压来沉积Se或Cu离子。 Ga和In离子通过施加低电平的电压进行电沉积。 此外，施加到工作电极的电压以三级电平的阶跃脉冲施加。 因此，GIGS薄膜在快速处理时间内形成。

公开(公告)号：KR101500858B1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：KR1020130112114

申请日：2013-09-17

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  문종하 ,  케이브이구라브 ,  파틸 ,  신승욱

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

Abstract: 전착법을 이용하여 주석 박막 및 그를 포함하는 CZTS 기반의 태양전지 광흡수층의 제조방법이 개시된다. 이는 주석염과 착화제를 함유하는 수용액을 준비하는 단계와, 수용액에 상대전극과 작업전극으로서의 기판을 침지시킨 후, 상대전극과 작업전극에 전압을 인가하는 단계를 포함하며, 착화제는 EDTA이다.

Abstract translation: 公开了使用电沉积法制造Sn薄膜的方法和包含该Sn薄膜的CZTS系吸光体层。 根据本发明的方法包括以下步骤：制备包含Sn盐和络合剂的水溶液; 在将基板作为对置电极和工作电极浸渍在水溶液中之后，向对方电极和工作电极施加电压。 络合剂是EDTA。

公开(公告)号：KR1020130100929A

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：KR1020130076542

申请日：2013-07-01

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  김진아 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  B82B3/00

CPC classification number: G03F7/70283 ,  G03F7/0163 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70408 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0273 ,  H01L29/0665

Abstract: PURPOSE: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography is provided to simply produce the arranged zinc oxide nanostructure without using an expensive device. CONSTITUTION: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography comprises the following steps: forming a photoresist layer on a substrate; firstly exposing the photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography; secondly exposing the firstly exposed photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography after rotating the substrate into a predetermined angle; forming a nanopattern by developing the photoresist layer; growing the zinc oxide nanostructure on the substrate using a hydrothermal synthesis method; and removing the photoresist layer.

Abstract translation: 目的：提供使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法，以简单地生产排列的氧化锌纳米结构而不使用昂贵的器件。 构成：使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法包括以下步骤：在基板上形成光致抗蚀剂层; 首先使用全息光刻法将光致抗蚀剂层曝光成预定形式; 其次，在将衬底旋转到预定角度之后，使用全息图光刻将第一曝光的光致抗蚀剂层暴露于预定形式; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案; 使用水热合成法在衬底上生长氧化锌纳米结构; 并除去光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：KR101222563B1

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020100080491

申请日：2010-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  김새록 ,  이정용

IPC: B82B3/00 ,  B01J19/08

Abstract: 본 발명은 광흡수용 나노입자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 Cu
2 ZnSn(S,Se)
4 나노입자(이하 "CZTSS 나노입자")에 관한 것이다. 본 발명은 독성물질을 사용하지 않으면서도 저가 범용원소를 이용하여 합성된 CZTSS 나노입자 전구체 및 그 제조방법과 상기 전구체를 이용한 CZTSS 나노입자 및 그 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100994830B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020090015444

申请日：2009-02-24

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종 ,  고항주

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO
2 또는 SiN
x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)

公开(公告)号：KR100891561B1

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020080056480

申请日：2008-06-16

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 송선주 ,  김재국 ,  이종숙 ,  문종하

IPC: G01N27/407 ,  G01N27/12 ,  G01N27/26

Abstract: A gas sensor for partial pressure measurement of hydrogen and oxygen and a manufacturing method thereof are provided to measure the oxygen or hydrogen concentration in the environment unable to be exposed to atmosphere, and to simplify the manufacturing process. A gas sensor(100) for partial pressure measurement of hydrogen and oxygen comprises a solid electrolyte(110) including a closed internal space(130) which stores the air used as the reference electrode, a first electrode(120a) formed on one side of the solid electrolyte exterior, a second electrode(120b) formed in one side of the internal space of the solid electrolyte, and a lead wire(140) which is connected to the first electrode and the second electrode and exposed out of the solid electrolyte.

Abstract translation: 提供用于氢和氧的分压测量的气体传感器及其制造方法，以测量环境中不能暴露于大气中的氧气或氢气浓度，并简化制造过程。 用于氢和氧的分压测量的气体传感器（100）包括固体电解质（110），其包括存储用作参考电极的空气的封闭内部空间（130），形成在第一电极 固体电解质外部，形成在固体电解质的内部空间的一侧的第二电极（120b）和与第一电极和第二电极连接并露出固体电解质的引线（140）。