-
公开(公告)号：KR200454423Y1
公开(公告)日：2011-07-04
申请号：KR2020080017033
申请日：2008-12-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 고안은 내시경용 카테터가 삽입되어지는 개선된 유도관 구조에 관한 것으로, 본 고안에 따르면, 내시경이 삽입되어 형성된 제1 유도관; 상기 튜브의 상측부에 형성되고, 카테터가 삽입되는 카테터 삽입구; 카테터가 삽입되어 유도되는 제2 유도관; 및 상기 카테터 삽입구 근방에 형성된 액체 투입구를 포함하고, 상기 액체 투입구로부터 투입된 액체는 상기 제2 유도관을 통해 흐르는 것을 특징으로 하는 내시경용 튜브가 제공된다.
상기 구조에 따르면, 제2 유도관에 카테터가 유지된체로 액체 투입관으로 세정액을 투입할 수 있기 때문에, 카테터를 세정하기 위해 카테터를 꺼내는 번거로움이 제거될 수 있다.
유도관, 카테터, 내시경, 산도 측정Abstract translation: 根据本发明，提供了一种改进的引导管结构，其包括：第一引导管，其中插入有内窥镜;第二引导管， 导管插入口，其形成在管的上侧并且导管插入其中; 第二导管插入并引导导管; 并且在导管插入口附近形成的液体入口和从液体入口注入的液体流过第二感应管。
-
公开(公告)号：KR1020100073489A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080132183
申请日：2008-12-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A capsule type diagnosis apparatus is provided to easily eliminate a foreign material attached on a sensing unit or a lens unit of an external capsule housing by transferring a vibration of a vibration element to a capsule housing. CONSTITUTION: A lighting unit(120) lights a predetermined point of internal. An image sensor(130) acquires an image of a lighted point by the lighting unit. The image sensor is a CCD or a CMOS image sensor. A controller(150) controls the image sensor. A communication unit(160) transmits a signal of the image sensor to the outside. A vibrator(140) is connected to an inner surface of the capsule housing. The vibrator generates a vibration according to an external command. A power supply unit supplies a power source to a capsule type diagnosis apparatus.
Abstract translation: 目的：提供胶囊型诊断装置，通过将振动元件的振动传递到胶囊壳体，容易地消除附着在感测单元或外部胶囊壳体的透镜单元上的异物。 构成：照明单元（120）点亮内部的预定点。 图像传感器（130）通过照明单元获取点亮图像。 图像传感器是CCD或CMOS图像传感器。 控制器（150）控制图像传感器。 通信单元（160）将图像传感器的信号发送到外部。 振动器（140）连接到胶囊壳体的内表面。 振动器根据外部命令产生振动。 电源单元向胶囊型诊断装置供给电源。
-
公开(公告)号：KR1020090124429A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050649
申请日：2008-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/66772 , H01L29/78654
Abstract: PURPOSE: A transistor formed on the flexible substrate and manufacturing method thereof are provided to obtain the performance of the mono crystal substrate transistor in the flexible substrate. CONSTITUTION: The transistor(240) is formed on the SOI(Silicon-On-Insulator) substrate(200) consisting of silicon layer(210), and the oxide layer(220) and single crystal silicon layer(230). The flexible substrate(250) is formed in the SOI top of the substrate in which transistor is formed. The silicon layer lower part of the SOI substrate is etched to expose the oxide layer. The silicon layer remaining in the edge of the SOI substrate backside, and the oxide layer and single crystal silicon layer are removed. The flexible substrate is formed in the oxide layer exposed to the etched SOI substrate backside. The dicing is performed on the flexible substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种形成在柔性基板上的晶体管及其制造方法，以获得柔性基板中单晶衬底晶体管的性能。 构成：晶体管（240）形成在由硅层（210）和氧化物层（220）和单晶硅层（230）组成的SOI（绝缘体上硅）衬底（200）上。 柔性衬底（250）形成在其中形成晶体管的衬底的SOI顶部中。 蚀刻SOI衬底的硅层下部以暴露氧化物层。 残留在SOI衬底背面边缘的硅层和氧化物层和单晶硅层被去除。 柔性基板形成在暴露于蚀刻SOI衬底背面的氧化物层中。 在柔性基板上进行切割。
-
公开(公告)号：KR1020080058286A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020070135890
申请日：2007-12-21
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A capacitive humidity sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase capacitance without losing sensing performance by placing a humidity sensing layer between a lower electrodes and a plurality of upper electrodes having an IDT(Interdigitated) structure. A capacitive humidity sensor comprises a lower electrode, a humidity sensing layer(341,342), and a plurality of upper electrodes. The lower electrode is formed on a substrate(310) on which an insulating layer(320) is formed. The humidity sensing layer is coated on the lower electrode for adsorption/desorption of humidity. The upper electrodes, having an IDT structure, are formed on the humidity sensing layer.
Abstract translation: 提供一种电容式湿度传感器及其制造方法，通过在下电极和具有IDT（叉指）结构的多个上电极之间放置湿度感测层来增加电容而不损失感测性能。 电容式湿度传感器包括下电极，湿度感测层（341,342）和多个上电极。 下电极形成在其上形成有绝缘层（320）的基板（310）上。 湿度感测层涂覆在下部电极上用于吸湿/解吸湿度。 具有IDT结构的上电极形成在湿度感测层上。
-
公开(公告)号：KR100740531B1
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020050088325
申请日：2005-09-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판을 사용하여 실리콘 나노와이어를 제조한 후 다른 기판 위에 실리콘 나노와이어를 전사시키고 전극 구조물을 형성시키는 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계; 상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계; 칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계; 상기 제1열산화막을 제거하는 제4단계 상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계; 산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 상기 점착제를 제거하는 단계; 및 상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어를 제조한 기판에서 절연막이 형성된 다른 기판으로 실리콘 나노와이어를 전사하는 패턴 트랜스퍼 방법을 이용함으로써 전자빔 리소그라피 공정과 SOI 웨이퍼를 사용하지 않고서도 나노와이어 소자를 생산할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘을 식각하여 실리콘 나노와이어를 제조함으로써 별도의 나노와이어 정렬과정이 필요 없다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 역삼각형 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 구조물을 형성한 후 2차 열산화 공정 또는 3차 열산화 공정으로 실리콘을 산화시킴으로써 수십 ㎚ 크기의 단면을 갖는 단결정 실리콘 나노와이어를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어가 전사된 기판에 전기적 컨택을 위한 전극 구조물을 후속 공정으로 제작할 수 있음으로 해서 나노와이어 소자를 웨이퍼 단위의 공정에서 제조하는 것이 가능하고, 이로 인해 대량생산이 가능하여 저가의 나노와이어 소자의 제조를 할 수 있는 효과가 있다.
나노와이어, 트랜스퍼-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100703889B1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020030098927
申请日：2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/01
CPC classification number: B01F5/0646 , B01F5/0647 , B01F13/0059 , B01L3/502707 , B01L2300/0654 , B01L2300/0816 , B01L2300/0867 , B01L2300/0887 , B01L2300/1827 , G01N2201/08
Abstract: 본 발명은 용액 성분 분석을 위한 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 혼합채널, 반응채널과 측정채널을 연속적인 미세한 홈으로 하나의 기판에 형성시켜 용액 성분 분석을 위한 소자를 구현함으로써, 소형화시킬 수 있으며, 이동하여 신속히 시료를 분석할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 용액 성분 분석을 위한 소자의 측정채널과 광섬유 사이에 투명한 실리콘 산화막을 형성함으로써, 광섬유 삽입이 용이하게 되어 시료 분석을 위한 광학계 구성을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
미세 분석 소자, 혼합기, 반응기, 미세 채널-
公开(公告)号：KR1020070033794A
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050088325
申请日：2005-09-22
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02554 , H01L21/0275 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/7806 , H01L29/413 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판을 사용하여 실리콘 나노와이어를 제조한 후 다른 기판 위에 실리콘 나노와이어를 전사시키고 전극 구조물을 형성시키는 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계; 상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계; 칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계; 상기 제1열산화막을 제거하는 제4단계 상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계; 산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 상기 점착제를 제거하는 단계; 및 상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어를 제조한 기판에서 절연막이 형성된 다른 기판으로 실리콘 나노와이어를 전사하는 패턴 트랜스퍼 방법을 이용함으로써 전자빔 리소그라피 공정과 SOI 웨이퍼를 사용하지 않고서도 나노와이어 소자를 생산할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘을 식각하여 실리콘 나노와이어를 제조함으로써 별도의 나노와이어 정렬과정이 필요 없다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 역삼각형 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 구조물을 형성한 후 2차 열산화 공정 또는 3차 열산화 공정으로 실리콘을 산화시킴으로써 수십 ㎚ 크기의 단면을 갖는 단결정 실리콘 나노와이어를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어가 전사된 기판에 전기적 컨택을 위한 전극 구조물을 후속 공정으로 제작할 수 있음으로 해서 나노와이어 소자를 웨이퍼 단위의 공정에서 제조하는 것이 가능하고, 이로 인해 대량생산이 가능하여 저가의 나노와이어 소자의 제조를 할 수 있는 효과가 있다.
나노와이어, 트랜스퍼Abstract translation: 本发明提供了一种以低成本批量生产半导体纳米线器件的方法，而无需额外的复合纳米线取向工艺或SOI衬底，通过以简单的工艺形成单晶硅纳米线，而不用电子束形成超细纹 并将从衬底分离的纳米线转移到另一个氧化层或绝缘衬底。 此外，本发明还提出了一种简单地制造将纳米线从其上形成的半导体衬底转移到其上形成有绝缘层等的另一衬底的纳米线器件的方法。
-
公开(公告)号：KR100620255B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020040021693
申请日：2004-03-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N27/00
Abstract: 본 발명은 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 멤스 공정 기술을 이용한 초소형 화학 센서 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제조 방법은 실리콘 기판 상부에 형성된 실리콘 질화막 칸티레버; 상기 실리콘 질화막 칸티레버 상부에 형성된 실리콘 산화막; 상기 실리콘 산화막 상부에 소정의 크기로 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상부에 압전 구동을 위해 형성된 압전 구동층; 상기 하부 전극 상부 및 상기 압전 구동층 일부 영역 상부에 상하부 전극간 절연을 위해 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부 및 상기 압전 구동층의 상부에 형성된 상부 전극 및 상기 상부 전극과 하부 전극에 소자의 구동을 위해 전계를 인가하기 위해 형성된 전극 라인으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 및 그 제작 방법은 외부로부터 극소량의 ppb 또는 ppt 수준의 산업 환경유해 물질의 농도에 신속하게 반응하여 공진주파수의 변화를 통해 즉시 감지가 가능하여 빠른 응답 속도와 높은 감도 낮은 전력 손실이 가능한 장점이 있고, 시스템의 소형화로 인한 휴대형화, 실리콘 반도체 가공기술로 대량생산에 따른 제조원가 절감 및 집적의 용이함, 다양한 감지 대상 물질을 감지할 수 있도록 어레이 형태로 제작이 가능하며, 생명공학, 의학 및 환경관련 분야에 활용이 가능한 효과가 있다.
멤스, 마이크로 칸티레버-
公开(公告)号：KR100574781B1
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020040111217
申请日：2004-12-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 용액 성분 분석을 위한 소자에 관한 것으로, 반응채널에서 분기된 압력 해제 채널과 압력 해제구를 형성함으로써, 반응이 느린 시료들을 측정채널에 가두워 놓고, 반응시킨 후 또는 장시간 시료가 반응되는 것을 측정할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 측정채널과 대응된 끝단으로부터 일정간격 이격된 영역의 폭이 나머지 영역의 폭보다 큰 광섬유 삽입홈을 형성함으로써, 광섬유를 광섬유 삽입홈에 본딩을 위한 에폭시는 모세관 현상에 의해 광섬유 삽입홈의 끝단에는 침투하지 않아 광섬유가 에폭시에 오염되지 않게되어 광특성이 좋아져, 측정 특성을 우수하게 할 수 있는 효과 있다.
미세 분석 소자, 혼합기, 반응기, 미세 채널Abstract translation: 本发明涉及一种用于成分分析的溶液的装置，由形成所述压力释放通道和释压，得到在反应通道的分支，该反应左关战争测量较慢的采样信道，一个反应，或很长一段时间后的试样进行反应 有一个可以测量的效果。
-
公开(公告)号：KR1020060008496A
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1020040056783
申请日：2004-07-21
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N27/14
CPC classification number: G01N27/16 , G01N27/31 , G01N27/333
Abstract: 본 발명은 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 중앙 영역 상부에서 내부로 형성된 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물을 포함하여 실리콘 기판 전면 상부에 형성된 멤브레인(Membrane)막과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴 양측의 멤브레인막 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 제외하고 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸는 절연막을 내장시키며, 상기 감지 전극 패턴을 감싸는 감지막으로 구성된다.
따라서, 본 발명은 미세 다공성 실리콘 산화 구조물 상에 가스센서를 제조함으로써, 열 손실을 최소화할 수 있고, 외부 진동 및 충격과 가열부의 열에 의해 발생하는 열 응력에 의한 맴브레인의 파손을 최소화 할 수 있어 소자의 내구성을 높일 수 있는 효과가 있다.
다공, 가스센서, 멤브레인, 전기화학, 진공, 열, 손실
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
87
records
(took 0.025 seconds)
