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公开(公告)号：KR101018280B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080110737
申请日：2008-11-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 자세하게는 발광부을 형성하기 전에 기판의 양단에 패시베이션층을 먼저 형성함으로써 발광부이 식각 등의 공정에 의해 손상되는 것을 방지하고 칩의 발광효율과 생산수율을 높일 수 있는 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상부의 양단에 형성된 패시베이션층; 상기 패시베이션층 사이 공간의 p형 전극 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 증착되어 형성된 발광부; 및 상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수직구조, 발광다이오드, 패시베이션층-
公开(公告)号：KR100998473B1
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020100047618
申请日：2010-05-20
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L2933/0058 , A61L2/10 , A61L2202/11 , H01L33/0004 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L33/642
Abstract: PURPOSE: A sterilizer using an ultraviolet light emitting diode is provided, which improves durability and life span, makes response speed fast, and removes harmful material. CONSTITUTION: A sterilizer using an ultraviolet light emitting diode comprises: a substrate(120); a plurality of UVLED chips(130) which are mounted in one side of the substrate and in which a light emitting diode is formed as a chip; a lens unit(140) equipped with a radiation angle lens and a diffusing plate with a pattern; a sterilization module equipped with a reflector; a power supply unit supplying power; and a power module running a plurality of UVLED chips.
Abstract translation: 目的：提供使用紫外线发光二极管的灭菌器，提高耐用性和寿命，快速响应速度，去除有害物质。 构成：使用紫外线发光二极管的消毒器包括：基板（120）; 多个UVLED芯片（130），其安装在基板的一侧，并且其中形成发光二极管作为芯片; 配备有辐射角透镜和具有图案的漫射板的透镜单元（140） 装有反射器的灭菌模块; 供电单元供电; 以及运行多个UVLED芯片的功率模块。
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公开(公告)号：KR1020100053074A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112045
申请日：2008-11-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/265
Abstract: PURPOSE: A non-polar or semi-polar nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve quantum efficiency by performing an ion-doping process with a high concentration. CONSTITUTION: A non-polar or semi-polar sapphire substrate is prepared(S110). A high temperature sapphire nitride layer is formed on the sapphire substrate(S120). A SiN_x layer/a high temperature gallium nitride buffer layer or SiC/a high temperature gallium nitride buffer layer is multiply stacked on the high temperature sapphire nitride layer(S130). A high temperature gallium nitride layer is formed on the high temperature gallium nitride buffer layer(S140).
Abstract translation: 目的：提供非极性或半极性氮化物半导体衬底及其制造方法，以通过以高浓度进行离子掺杂工艺来提高量子效率。 构成：制备非极性或半极性蓝宝石衬底（S110）。 在蓝宝石基板上形成高温蓝宝石氮化物层（S120）。 将SiN_x层/高温氮化镓缓冲层或SiC /高温氮化镓缓冲层叠加在高温蓝宝石氮化物层上（S130）。 在高温氮化镓缓冲层上形成高温氮化镓层（S140）。
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公开(公告)号：KR1020100051933A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020080110752
申请日：2008-11-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/04
Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode for improving external quantum efficiency and a method for manufacturing the same are provided to reduce a leakage current by forming a plurality of passivation layers with different insulating materials. CONSTITUTION: A p-type electrode(250) is formed on a silicon substrate(300). A first passivation layer(220) is formed on the both end of the p-type electrode. A second passivation layer(221) is formed on the inner side of the first passivation layer. A light emitting unit(240) is formed by successively depositing an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer on the p-type electrode. An n-type electrode(260) is formed on a part of the n-type semiconductor layer. The first passivation layer and the second passivation layer are based on different insulating materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于改善外部量子效率的垂直发光二极管及其制造方法，以通过形成具有不同绝缘材料的多个钝化层来减少漏电流。 构成：在硅衬底（300）上形成p型电极（250）。 在p型电极的两端形成第一钝化层（220）。 第二钝化层（221）形成在第一钝化层的内侧。 通过在p型电极上依次沉积n型半导体层，有源层和p型半导体层来形成发光单元（240）。 n型电极（260）形成在n型半导体层的一部分上。 第一钝化层和第二钝化层基于不同的绝缘材料。
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公开(公告)号：KR100909698B1
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020070062663
申请日：2007-06-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/43
Abstract: A fabrication method for fiber array device is provided to reduce manufacturing time and cost since there is no need to polish the optical fiber array throughout. A fabrication method for fiber array device is comprised of steps: forming V-shape to mount optical fiber on the top of a substrate of which one side is cut by the angle of Œ5 -15‹ to a horizontal plane; preparing the optical fiber of which end is cut by the angle of Œ5~15‹ to the horizontal plane and mounting it in the groove; injecting the adhesive(140) into the top surface of the substrate; covering a cover(130) on the top of the optical fiber mounted on the top of substrate.
Abstract translation: 提供一种用于光纤阵列装置的制造方法，以减少制造时间和成本，因为不需要对光纤阵列进行整个抛光。 一种用于光纤阵列器件的制造方法，包括以下步骤：形成V形以将光纤安装在基板的顶部上，该基板的一侧被切割成与水平面成5°-15°的角度; 准备将光纤末端切割成与水平面成5°〜15°角并安装在槽内的光纤; 将粘合剂（140）注入衬底的顶部表面; 覆盖安装在基板顶部的光纤顶部上的盖（130）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100813919B1
公开(公告)日：2008-03-18
申请号：KR1020050134928
申请日：2005-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/24
Abstract: 본 발명은 인쇄회로기판용 광연결블럭 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다자세하게는 평면 기판층, 하부클래드층, 코어층, 상부클래드 층으로 구성된 곡선구간으로 이루어진 광연결블럭의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 평면 기판층; 상기 평면 기판층 위에 놓이며, 소정의 파장에 대해 광투명성을 가진 물질로 된 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 위에 놓이며, 상기 하부 클래드층의 굴절률보다 큰 굴절율을 가진 광학 폴리머로 된 곡선구간을 포함하는 광도파로가 형성된 코아층; 및 상기 하부 클래드층 위에 놓이며, 상기 광학 폴리머의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성되어, 상기 코아층의 광도파로를 감싸는 상부 클래드층을 포함하는 인쇄회로기판용 광연결블럭으로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.
따라서, 상기 광 PCB의 광연결블럭을 구조를 통한 다채널 및/또는 다층의 광연결블럭을 제조하여 VCSEL과 도파로, 그리고 PD사이의 광결합을 효과적으로 연결할 수 있고, 다채널의 광 PCB, 다층의 광 PCB에 적용가능하다. 또 광연결블럭을 광PCB에 붙여 커넥터형식으로 사용이 가능하여 광PCB와 광PCB의 연결을 쉽게 할 수 있다. 또한 이러한 광연결 블럭은 집적화 기술을 이용하기 때문에 대량생산과 저가격화에 유용한 효과가 있다.
광연결블럭, 광도파로, 테이퍼 형, 광연결구조, 광 PCB구조-
公开(公告)号：KR1020070028811A
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：KR1020050083464
申请日：2005-09-08
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/132 , B05D1/02 , B29D11/00788 , G02B2006/12176
Abstract: An optical waveguide manufacturing method is provided to reduce the time and cost for producing polymer optical waveguides and to mass-produce optical waveguides by using a spraying method utilizing a nozzle. An optical waveguide manufacturing method is composed of steps of: depositing a first clad film(320) on a substrate(300) by a spray(310); depositing a core film(330) on the first clad film by the spray; forming a pattern on the core film; and depositing a second clad film(350) on the pattern by the spray. The pattern is formed by directly exposing the core film to the light by using a photomask(340) and applying and rinsing a developing solution by the spray. The substrate is made of one of silicon, NiNbO3(Lithium Niobate), glass, acryl, and polymide.
Abstract translation: 提供了一种光波导制造方法，其通过使用利用喷嘴的喷射方法来减少制造聚合物光波导的时间和成本，并大量生产光波导。 光波导制造方法包括以下步骤：通过喷雾（310）将第一包覆膜（320）沉积在基板（300）上; 通过喷雾在第一包层膜上沉积芯膜（330）; 在芯片上形成图案; 以及通过所述喷雾在所述图案上沉积第二包层膜（350）。 通过使用光掩模（340）将核心膜直接暴露于光并通过喷雾施加和冲洗显影溶液来形成图案。 基板由硅，NiNbO 3（铌酸锂），玻璃，丙烯酸和聚酰亚胺之一制成。
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公开(公告)号：KR1020050110328A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020040035291
申请日：2004-05-18
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H05K1/0274 , G02B6/25 , H05K2201/10121
Abstract: 본 발명은 광 인쇄회로기판의 광도파로 연마 장치 및 방법에 관한 것으로, 광 도파로를 개재하고 있고, 홈 또는 관통홀이 형성되어 있으며, 상기 홈 또는 관통홀 내벽으로 상기 광 도파로 단면이 노출된 광 인쇄회로 기판을 준비하는 제 1 단계와; 타면이 모터의 축 선단에 고정되어 있고, 일면에 연마패드가 부착된 휠을 상기 광 인쇄회로 기판의 홈 또는 관통홀 내부에 삽입시키는 제 2 단계와; 상기 휠의 일면에 부착된 연마패드를 상기 홈 또는 관통홀 내벽으로 노출된 광 도파로 단면에 밀착시키는 제 3 단계와; 상기 모터를 동작시켜 상기 휠을 회전시켜 연마패드로 광 도파로 단면을 연마하는 제 4 단계로 이루어진다.
따라서, 본 발명은 광 도파로를 개재하고 있는 광 인쇄회로 기판의 홈 또는 관통홀에 모터와 연결된 휠을 삽입시키고, 모터로 휠에 고정된 연마패드를 회전시켜 광 인쇄회로기판의 홈 또는 관통홀에 노출된 광 도파로 단면을 연마함으로써, 광 인쇄회로기판의 광 전송 특성을 우수히 할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100440765B1
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：KR1020020064960
申请日：2002-10-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: A waveguide type all optical logic device using multi mode interference is provided to reduce light loss and to increase an operation speed and to realize a stable operation. CONSTITUTION: The waveguide type all optical logic device comprises a substrate, and a bottom clad layer formed on the substrate, and a top clad layer formed on an upper part of the bottom clad layer. And an optical waveguide is formed in the top clad layer to be adjacent to the bottom clad layer. The optical waveguide comprises a light isolation multi mode waveguide(121,122) connected to two pairs of single mode input waveguides(111,112,113,114) respectively, and a light coupling multi mode waveguide(141,142) connected to the light isolation waveguide by a single mode waveguide and connected to two pairs of single mode output waveguides(151,152,153,154).
Abstract translation: 目的：提供一种使用多模干涉的波导型全光逻辑器件，以减少光损失并提高操作速度并实现稳定的操作。 本发明的波导型全光逻辑器件包括衬底和形成在衬底上的底部包层以及形成在底部包层上部的顶部包层。 并且在顶部包层中形成光波导以与底部包层邻接。 光波导包括分别连接到两对单模输入波导（111,112,113,114）的光隔离多模波导（121,122）和通过单模波导连接到光隔离波导的光耦合多模波导（141,142） 到两对单模输出波导（151,152,153,154）。
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公开(公告)号：KR1020030083212A
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020020021653
申请日：2002-04-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: A light-wave circuit type gain flattening filter device and a fabricating method thereof are provided to fabricate plural elements on one wafer and enhance the productivity by using a PLC(Planar Light-wave Circuit) fabrication method. CONSTITUTION: A light-wave circuit type gain flattening filter device includes a substrate(20), a bottom clad layer(21), an upper clad layer(26), and a core layer(22'). The bottom clad layer(21) is formed on an upper portion of the substrate(20). The upper clad layer(26) is formed on an upper portion of the bottom clad layer(21). The core layer(22') is formed between the bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26). A grating pattern is formed on the core layer(22'). The bottom clad layer(21) and the upper clad layer(26) are formed with high density SiO2 layers. The core layer(22') is formed with SiO2-GeO2 layer.
Abstract translation: 目的：提供一种光波电路式增益平坦化滤波器件及其制造方法，以在一个晶片上制造多个元件，并通过使用PLC（平面光波电路）制造方法提高生产率。 构成：光波电路型增益平坦化滤波器件包括衬底（20），底部包层（21），上覆层（26）和芯层（22'）。 底部覆层（21）形成在基板（20）的上部。 上覆盖层（26）形成在下包层（21）的上部。 芯层（22'）形成在底部包层（21）和上部包层（26）之间。 在芯层（22'）上形成光栅图案。 底部覆层（21）和上覆盖层（26）形成有高密度SiO 2层。 芯层（22'）由SiO2-GeO2层形成。
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