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公开(公告)号：KR1020130127855A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051674
申请日：2012-05-15
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/10 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/1531 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a molding package and a manufacturing method thereof and particularly to the molding package capable of preventing the movement of a chip in molding and the manufacturing method thereof. The price of a package is reduced by manufacturing the molding package without a tuposuser. To obtain a small and thin package, a plating process and a via process for connecting a chip to a substrate instead of connecting the chip and the substrate after the molding in an existing chip embedded type molding package are omitted and A molding is carried out after the chip and the substrate is connected to a metal in advance. Therefore, bad contact due to the movement of the chip is reduced. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S310) Step of producing a molding die;(S320) Step of producing a molding carrier;(S330) Step of separating the molding die form the molding carrier;(S340) Step of inserting a chip;(S350) Step of forming patterns
Abstract translation: 本发明涉及一种成型包装及其制造方法，特别涉及能够防止成型时的片材的移动的成型包装及其制造方法。 通过在没有tuposuser的情况下制造成型包装来减少包装的价格。 为了获得小而薄的封装，省略了在现有的芯片嵌入式模制包装中，在模制之后，将芯片连接到基板而不是将芯片和基板连接在一起的电镀工艺和通孔工艺，并且在 芯片和基板预先连接到金属。 因此，由于芯片的移动导致的不良接触减少。 （A3）起始;（BB）端部;（S310）成形模具的制造工序;（S320）制造成型载体的工序;（S330）将成型模具分离成模塑载体的工序;（S340 ）插入芯片的步骤;（S350）形成图案的步骤
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公开(公告)号：KR1020130075983A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144345
申请日：2011-12-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H05K1/0251 , H01L2924/09701 , H03F1/56 , H03F3/60 , H05K1/0206
Abstract: PURPOSE: An X-band gallium nitride amplifier substrate using low temperature cofired ceramic (LTCC) is provided to easily design a heat discharge structure by freely forming a through hole and a via hole and to reduce the size of an amplifier by combining passive components for matching. CONSTITUTION: An X-band gallium nitride amplifier substrate (300) using LTCC is composed of the lowest substrate layer, an internal substrate layer, and the highest substrate layer. The lowest substrate layer includes one or more terminal patterns (601) for an amplifier to form terminals for an amplifier. The internal substrate layer includes an input impedance matching inductor pattern (501), a first capacitor pattern (502) to form an input impedance matching capacitor (301), an output impedance matching inductor pattern (503), and a second capacitor pattern to form an output impedance matching capacitor (302). The highest substrate layer includes bare chip mounting pads (401,402) to mount a bare chip, a third capacitor pattern to form the input impedance matching capacitor with the first capacitor pattern, and a fourth capacitor pattern to form the output impedance matching capacitor with the second capacitor pattern.
Abstract translation: 目的：提供使用低温共烧陶瓷（LTCC）的X波段氮化镓放大器基板，通过自由形成通孔和通孔来简化设计放热结构，并通过组合无源部件来减小放大器的尺寸 匹配。 构成：使用LTCC的X波段氮化镓放大器基板（300）由最低基板层，内部基板层和最高基板层构成。 最低衬底层包括用于放大器形成放大器端子的一个或多个端子图案（601）。 内部衬底层包括输入阻抗匹配电感器图案（501），形成输入阻抗匹配电容器（301）的第一电容器图案（502），输出阻抗匹配电感器图案（503）和形成第二电容器图案 输出阻抗匹配电容器（302）。 最高的衬底层包括用于安装裸芯片的裸芯片安装焊盘（401,402），第三电容器图案以形成具有第一电容器图案的输入阻抗匹配电容器，以及第四电容器图案，以形成具有第二电容器的输出阻抗匹配电容器 电容器图案。
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公开(公告)号：KR101192367B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110031700
申请日：2011-04-06
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명에서는 외부로부터 제공되는 DC 전원은 증폭기와 같은 능동 회로에 제공하고, 증폭하고자 하는 주파수 신호에서 DC 전원과 상기 능동 회로 간의 연결을 오픈(open)시키는 RF 초크에 관한 것으로서, 인덕터 소자의 설계를 배제한 기판에 인쇄된 형태의 RF 초크용 대역 저지 필터가 제안된다.
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公开(公告)号：KR101138940B1
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：KR1020100100375
申请日：2010-10-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A power source circuit is provided to remove a chip capacitor and a chip inductor corresponding to existing chip components using a noise removing filter of printed pattern type. CONSTITUTION: A printed circuit board comprises a plurality of layers. A filter is printed on the printed circuit board. The filter comprises a first line pattern which transmits power to a power input terminal of the integrated circuit mounted in the printed circuit board. The filter comprises a second line pattern having a shunt stub function connected to the first line pattern through a via-hole. The second line pattern feeds back noise signals created by the operation of a circuit device within the integrated circuit through the power input terminal to a voltage supply source.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101134980B1
公开(公告)日：2012-04-10
申请号：KR1020090044927
申请日：2009-05-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 초광대역 안테나 및 필터 구조물을 내장한 다층 PCB 기판에 관한 것으로, 다층 PCB 기판은, 최하부 그라운드 금속층, 상기 최하부 그라운드 금속층 위에 형성되는 제1 유전체층, 상기 제1 유전체층의 상부에 형성되고, 제1 캐패시터와 제2 캐패시터를 형성하기 위한 캐패시터 패턴이 형성된 제1 금속층, 상기 제1 금속층 상부를 덮도록 형성되는 제2 유전체층, 상기 제2 유전체층 상부에 형성되고, 안테나 패턴 및 복수의 공진기를 포함하는 초광대역 필터 패턴이 형성되는 제2 금속층; 상기 제2 금속층 상부를 덮도록 형성되는 제3 유전체층, 및 상기 제3 유전체층 상부에 형성되는 최상부 그라운드 금속층을 포함하고, 상기 안테나 패턴이 형성되는 위치의 접지면이 제거되어 있는 것을 특징으로 한다.
PCB, 안테나, 공진기, 대역통과필터, 인터디지탈, FR4-
公开(公告)号：KR101127093B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100140053
申请日：2010-12-31
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03F1/565 , H01G4/30 , H03F1/0288 , H03F3/602 , H03F2200/192 , H03F2200/204 , H03H7/38
Abstract: PURPOSE: A structure of an internal matching circuit and a combiner for a high power amplifier using LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic) is provided to reduce the number of MOS capacitors by using a LTCC integrating capacitor in order to form the inner matching of GaN(Gallium nitride) transistors. CONSTITUTION: A structure of an internal matching circuit and a combiner for a high power amplifier are composed of two inner matching circuits(601) and a combiner(602). The inner matching circuit has one or more dielectric layers, one or more inner electrodes and outer electrode, and one or more capacitors(701) having one or more dielectric layers and one or more inner electrodes and outer electrodes. A second inner capacitor(703) is separated with the first inner capacitor at a predetermined interval. An inductor(705) is formed between the first inner capacitor and the second inner capacitor. The inductor is electrically connected to electrodes on a top part of the first inner capacitor and the second inner capacitor.
Abstract translation: 目的：提供使用LTCC（低温烧结陶瓷）的内部匹配电路和用于大功率放大器的组合器的结构，以通过使用LTCC积分电容器来减少MOS电容器的数量，以形成GaN的内部匹配（ 氮化镓）晶体管。 构成：内部匹配电路和高功率放大器的组合器的结构由两个内部匹配电路（601）和组合器（602）组成。 内部匹配电路具有一个或多个电介质层，一个或多个内部电极和外部电极，以及具有一个或多个电介质层和一个或多个内部电极和外部电极的一个或多个电容器（701）。 第二内部电容器（703）以预定间隔与第一内部电容器分离。 在第一内部电容器和第二内部电容器之间形成电感器（705）。 电感器电连接到第一内部电容器和第二内部电容器的顶部上的电极。
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公开(公告)号：KR101102306B1
公开(公告)日：2012-01-03
申请号：KR1020100021339
申请日：2010-03-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/74 , H01L29/76 , H01L21/332
Abstract: 본 발명은 LTCC를 이용한 GaN 고출력 트랜지스터의 내부 매칭 구조에 관한 것으로, 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 복수개의 그린 시트; 상기 복수개의 그린 시트 위에 각각 형성된 도체 패턴을 포함하고, 상기 복수개의 그린 시트 위에 각각 형성된 도체 패턴은 상하부의 도체 패턴과 상호 작용하여 션트 캐패시터를 형성하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101067670B1
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020090055454
申请日：2009-06-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 저지대역 특성을 개선시킬 수 있는 저역 통과 필터를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 제1 및 제2 단 사이에 직렬접속된 제1 및 제2 인덕터와, 상기 제1 및 제2 인덕터와 각각 병렬접속된 제1 및 제2 캐패시터와, 상기 제1 단과 접지단 사이, 상기 제1 및 제2 인덕터 사이의 접속점과 상기 접지단 사이, 또는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이 중 적어도 어느 한 곳에 형성된 기생 캐패시터를 포함하는 저역 통과 필터를 제공한다.
저역 통과 필터, LPF, 인덕터, 캐패시터, 기생 캐패시터, 접지판-
公开(公告)号：KR1020110101945A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021339
申请日：2010-03-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/74 , H01L29/76 , H01L21/332
CPC classification number: H01L23/5223 , H01G4/306 , H01L29/7783 , H01L2924/09701
Abstract: 본 발명은 LTCC를 이용한 GaN 고출력 트랜지스터의 내부 매칭 구조에 관한 것으로, 하부로부터 상부로 순차적으로 적층된 복수개의 그린 시트; 상기 복수개의 그린 시트 위에 각각 형성된 도체 패턴을 포함하고, 상기 복수개의 그린 시트 위에 각각 형성된 도체 패턴은 상하부의 도체 패턴과 상호 작용하여 션트 캐패시터를 형성하는 것을 특징으로 한다.
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