GPS 및 ISM 대역의 다이플렉서 및 RF 수신 모듈
    1.
    发明公开
    GPS 및 ISM 대역의 다이플렉서 및 RF 수신 모듈 有权
    用于GPS和ISM带的DIPLEX

    公开(公告)号:KR1020140079014A

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:KR1020120148457

    申请日:2012-12-18

    CPC classification number: H04B1/50 H03H7/0115 H04B1/0057

    Abstract: Disclosed are a diplexer for GPS and an ISM band and an RF receiver module. The RF receiver module according to one embodiment of the present invention comprises: a diplexer which separates and outputs GPS signals in a first frequency band and Bluetooth signals or Wi-Fi signals in a second frequency band from radio signals in dual bands, which are received by an antenna; a GPS receiver block which receives the GPS signals in the first frequency band separated by the diplexer; and a Bluetooth-Wi-Fi transceiver block which includes a Bluetooth receiver block receiving the Bluetooth signals in the second frequency block separated by the diplexer, a Wi-Fi receiver block receiving the Wi-Fi signals in the second frequency block, and a Wi-Fi transmitter block transmitting the Wi-Fi signals in the second frequency band to the diplexer.

    Abstract translation: 公开了一种用于GPS和ISM频带和RF接收机模块的双工器。 根据本发明的一个实施例的RF接收机模块包括:双工器,其在接收到的双频带中的无线电信号中分离并输出第一频带中的GPS信号和第二频带中的蓝牙信号或Wi-Fi信号 通过天线 GPS接收器块,其接收由所述双工器分离的所述第一频带中的GPS信号; 以及蓝牙Wi-Fi收发器模块,其包括接收由双工器分离的第二频率块中的蓝牙信号的蓝牙接收器模块,接收第二频率块中的Wi-Fi信号的Wi-Fi接收器模块,以及Wi -Fi发射器块将第二频带中的Wi-Fi信号发送到双工器。

    인터포저 및 그의 제조 방법
    5.
    发明公开
    인터포저 및 그의 제조 방법 有权
    插件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130011171A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:KR1020110072137

    申请日:2011-07-20

    Abstract: PURPOSE: An interposer and a manufacturing method thereof are provided to form a through silicon via with a low loss by forming a thick insulation layer using a lamination process. CONSTITUTION: An interposer(10) is formed with a multilayer interconnection structure and includes a silicon wafer(100), an integrated circuit(110), and a thin film passive device(120). A lining via(130) is formed on a silicon wafer. A lining via(140) is formed on an organic insulation layer of the silicon wafer. A lining via(150) is formed with a coaxial structure.

    Abstract translation: 目的:通过使用层压工艺形成厚的绝缘层,提供插入件及其制造方法以形成具有低损耗的硅通孔。 构成:内插器(10)形成有多层互连结构,并且包括硅晶片(100),集成电路(110)和薄膜无源器件(120)。 衬底通孔(130)形成在硅晶片上。 衬底通孔(140)形成在硅晶片的有机绝缘层上。 衬套通孔(150)形成有同轴结构。

    RF 초크용 대역 저지 필터 및 상기 필터를 구비한 기판
    6.
    发明公开
    RF 초크용 대역 저지 필터 및 상기 필터를 구비한 기판 有权
    用于RF选择的带状阻挡滤波器和包含滤波器的基板

    公开(公告)号:KR1020120113987A

    公开(公告)日:2012-10-16

    申请号:KR1020110031700

    申请日:2011-04-06

    CPC classification number: H01P1/20345 H01P1/2088 H01P1/212

    Abstract: PURPOSE: A band-stop filter for radio frequency choke and a substrate including the same are provided to reduce the size of a component by designing the radio frequency choke to be printed on the substrate instead of an inductor element. CONSTITUTION: An upper plate(110) includes a power line pattern(VP). The power line pattern supplies DC power to an active circuit. A lower substrate(120) is formed on the lower part of the upper substrate. The lower substrate includes a stub line pattern(SP). Some parts of the stub line pattern are formed along the power line pattern.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于射频扼流圈的带阻滤波器和包括该带阻滤波器的基板,以通过设计要印刷在基板上的射频扼流圈而不是电感器元件来减小元件的尺寸。 构成:上板(110)包括电源线图案(VP)。 电源线图案向有源电路提供直流电源。 下基板(120)形成在上基板的下部。 下基板包括短线图案(SP)。 短线图形的一些部分沿电源线图案形成。

    반도체 기판 및 반도체 패키지
    7.
    发明公开
    반도체 기판 및 반도체 패키지 失效
    SEMICONDUCTOR SUBSTARTE和SEMICONDUCTOR PACKAGE

    公开(公告)号:KR1020120113815A

    公开(公告)日:2012-10-16

    申请号:KR1020110028341

    申请日:2011-03-29

    CPC classification number: H01L23/66 H01L23/043 H01L23/481 H01L23/522

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor substrate and a semiconductor package are provided to implement high frequency system with high integration by using SIW(Substrate Integrated Waveguide) and embedded IC interconnection technology. CONSTITUTION: A cavity is formed on a silicon substrate(100). A first metal layer(103) is formed on the lower side of the cavity by electroplating. Organic materials(105) are filled in the cavity by a lamination process. A second metal layer(107) is formed in the cavity with the organic materials by electroplating. A plurality of via holes(109) are formed between the first metal layer and the second metal layer.

    Abstract translation: 目的:提供半导体衬底和半导体封装,通过使用SIW(衬底集成波导)和嵌入式IC互连技术实现高集成度的高频系统。 构成:在硅衬底(100)上形成腔体。 通过电镀在空腔的下侧形成第一金属层(103)。 有机材料(105)通过层压工艺填充在空腔中。 通过电镀在有机材料的空腔中形成第二金属层(107)。 在第一金属层和第二金属层之间形成多个通孔(109)。

    다이플렉서
    8.
    发明授权
    다이플렉서 失效
    双工器

    公开(公告)号:KR101113942B1

    公开(公告)日:2012-03-05

    申请号:KR1020100040180

    申请日:2010-04-29

    Abstract: 본발명은델타형으로연결된커패시터들의회로구성과이에대응하는내부패턴구조를통하여다이플렉서를구성하는고대역통과필터에서발생하는기생성분의영향을줄일수 있다. 이러한본 발명에의하면, 칩부품의두께감소에따른기생성분을크게고려하지않아도되므로, 칩부품의소형화시키는데 큰불안요소가없으며, 더나아가개발시간의단축에따라회로설계가용이하다.

    관통 실리콘 비아 제조 방법
    9.
    发明授权
    관통 실리콘 비아 제조 방법 有权
    通过Silicon ViaTSV制造方法

    公开(公告)号:KR101115526B1

    公开(公告)日:2012-02-27

    申请号:KR1020100006617

    申请日:2010-01-25

    Abstract: 본 발명은 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV) 제조 방법에 관한 것으로, 특히 폴리머 진공 열압착 공정을 이용한 관통 실리콘 비아 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 관통 실리콘 비아 제조 방법은 실리콘 기판의 전면에 구멍을 뚫는 (a) 단계; 상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계; 진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계; 상기 폴리머 필름으로 메워진 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (d) 단계; 및 상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (e) 단계를 포함하여 이루어진다.

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