公开(公告)号：KR1020060041394A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040090469

申请日：2004-11-08

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원 ,  한국과학기술연구원 ,  주식회사 서머텍 코리아

Inventor： 황순영 ,  전형우 ,  김진홍 ,  이해원 ,  성병근 ,  김주선 ,  석현광

IPC: B22F9/24

Abstract: 본 발명은 용사코팅용 나노구조 텅스텐 카바이드-코발트계 분말, 그 제조 방법 및 이를 이용한 나노구조 용사 코팅에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 용사코팅용 나노구조 텅스텐 카바이드-코발트계 분말의 제조 방법은, 텅스텐 카바이드-코발트 혼합물, 분산제 및 용매를 혼합한 혼합물을 준비하는 단계, 혼합물에 결합제 및 가소제를 첨가하여 부분 응집된 슬러리를 제조하는 단계, 부분 응집된 슬러리를 분무 건조하여 구형 과립을 제조하는 단계, 및 구형 과립을 열처리하여 구형 과립에 함유된 유기물을 제거하는 단계를 포함한다. 이러한 본 발명을 통하여 용사 코팅의 내마모 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
용사코팅, 텅스텐 카바이드, 코발트, 슬러리, 부분 응집

公开(公告)号：KR100567394B1

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：KR1020040023489

申请日：2004-04-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김주선 ,  최선희 ,  최원국 ,  윤영수

IPC: H01G9/04

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 하부 전극 박막, 상기 하부 전극 상의 전해질 박막, 상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 H
2 가 도핑된 박막인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공한다. 전극은 결정 또는 비정질이어도 무방하며, 전해질로는 고체 및 액체 물질이 모두 사용될 수 있다. 전극 물질에 H
2 를 도핑하여 용량을 증가를 가져올 수 있으며, 여러 분야에 다양한 형태로 응용될 수 있다.
슈퍼캐패시터, 박막, Ｈ₂, 도핑

公开(公告)号：KR100534764B1

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：KR1020030079008

申请日：2003-11-10

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  현대자동차주식회사

Inventor： 고행진 ,  이해원 ,  이종호 ,  송휴섭 ,  김주선 ,  이동석 ,  허장원

IPC: H01M8/02

CPC classification number: Y02P70/56

Abstract: 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법이 개시된다. 개시된 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법은, (a) 구성분말과 결합제로 이루어진 비수계 슬러리 조성에서 분말 응집체를 분리시키고 구성물질들이 균일하게 혼합된 슬러리를 준비하는 단계와; (b) 상기 슬러리를 결합제에 대한 용해도가 거의 없거나, 부분적인 용해가 가능한 비용매에 분무하여 분말과 결합제가 균일한 분포를 가지는 과립을 제조하는 단계와; (c) 건조된 상기 과립을 금속 몰드에 채우고, 가압하여 원하는 형상의 음극을 제조하는 단계와; (d) 성형된 상기 음극으로부터 결합제를 제거하고, 소결하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 대면적 음극기판 제조가 가능하고, 기공의 연결도 및 기체투과도가 높으며, 높은 전기전도도를 구현할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050045065A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079008

申请日：2003-11-10

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  현대자동차주식회사

Inventor： 고행진 ,  이해원 ,  이종호 ,  송휴섭 ,  김주선 ,  이동석 ,  허장원

IPC: H01M8/02

CPC classification number: Y02P70/56

Abstract: 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법이 개시된다. 개시된 고체산화물 연료전지용 음극기판 제조방법은, (a) 구성분말과 결합제로 이루어진 비수계 슬러리 조성에서 분말 응집체를 분리시키고 구성물질들이 균일하게 혼합된 슬러리를 준비하는 단계와; (b) 상기 슬러리를 결합제에 대한 용해도가 거의 없거나, 부분적인 용해가 가능한 비용매에 분무하여 분말과 결합제가 균일한 분포를 가지는 과립을 제조하는 단계와; (c) 건조된 상기 과립을 금속 몰드에 채우고, 가압하여 원하는 형상의 음극을 제조하는 단계와; (d) 성형된 상기 음극으로부터 결합제를 제거하고, 소결하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 대면적 음극기판 제조가 가능하고, 기공의 연결도 및 기체투과도가 높으며, 높은 전기전도도를 구현할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR100471652B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：KR1020020023774

申请日：2002-04-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이해원 ,  김주선 ,  이종호 ,  송휴섭 ,  신현익

IPC: C04B35/573

CPC classification number: C04B35/63 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/77

Abstract: 본 발명은 규소분말과 결합제로서 열경화성 수지로 구성되는 소정 형태의 규소공급 시편을 준비하고, 탄화규소/탄소 충전체를 준비하고, 반응결합로 내에서 상기 충전체의 일면에 상기 규소공급 시편을 접촉시키고, 진공 또는 비활성 분위기하에서 규소의 용융온도로 열처리하여 규소공급시편 내의 용융규소를 충전체 내부로 침윤시키는 것을 포함하여 이루어지는 반응결합 탄화규소 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 반응결합 탄화규소의 형상, 크기, 두께에 관계없이 가장 효율적으로 용융 규소를 공급하면서도 용융 규소의 응집을 방지하고 용융 규소의 균일한 공급이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020040098938A

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：KR1020030031269

申请日：2003-05-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이해원 ,  이종호 ,  김주선 ,  김태은 ,  임건자

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: High performance slurry for STI(shallow trench isolation)-CMP(chemical mechanical polishing) is provided to prevent a semiconductor pattern and equipment from being damaged by corrosion by controlling each polishing rate of a silica thin film and a silicon nitride thin film, by forming ceria slurry capable of achieving variable selectivity and by using the slurry in a neutral condition. CONSTITUTION: Distilled water is prepared. CeO2 particles having a nano size and 1-5 weight percent as compared with the distilled water are used as polishing agent. Slurry includes the distilled water and the CeO2 particles. Citric acid is used as a distribution stabilizer that transfers the isoelectric point of the slurry to an acid region to stabilize a distribution state in a neutral condition, having 2-3 weight percent as compared with the polishing agent.

Abstract translation: 目的：提供用于STI（浅沟槽隔离）-CMP（化学机械抛光）的高性能浆料，以通过控制二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的每种抛光速率来防止半导体图案和设备被腐蚀损坏， 通过形成能够实现可变选择性的二氧化铈浆料和通过在中性条件下使用该浆料。 构成：准备蒸馏水。 与蒸馏水相比，具有纳米尺寸和1-5重量％的CeO 2颗粒被用作抛光剂。 浆料包括蒸馏水和CeO2颗粒。 使用柠檬酸作为分散稳定剂，其将浆料的等电点转移到酸性区域以稳定在中性条件下的分布状态，其与抛光剂相比具有2-3重量％。

公开(公告)号：KR100435006B1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：KR1020010047605

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이해원 ,  송휴섭 ,  이종호 ,  김주선 ,  신현익

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/622

Abstract: PURPOSE: Provided is a manufacturing method of high density preforms for sintered silicon carbides(SiC) which have no separation of particle sizes and no compaction defects by pressing powder with wide particle size distribution. CONSTITUTION: The preforms with homogeneous compaction are manufactured by the following steps of; (i) mixing SiC powder with wide particle size distribution, 1-20wt.%(based on the powder) of phenol resin, and alcohol(ethyl or butyl alcohol); (ii) dropping the mixed slurry into water or hardener-contained water(70-90deg.C), and mixing strongly for 5-30min to form granules; (iii) filtering and washing; (iv) drying granules at 70deg.C or lower; (v) feeding granules to a mold and pressing under pressure of 0.1-50MPa for 5-60min for homogeneously compacted preforms; and (vi) thermal treating the preforms at 400-1250deg.C in inert gas atmosphere or vacuum, which results in that carbon residue is obtained from decomposition of phenol resin and strength of preforms is increased by densification of carbon residue.

Abstract translation: 目的：提供一种用于烧结碳化硅（SiC）的高密度预成型坯的制造方法，该方法通过压制具有宽粒度分布的粉末而没有粒度分离和压实缺陷。 组成：均质压实的预成型坯通过以下步骤制造： （i）混合具有宽粒度分布的SiC粉末，酚醛树脂和醇（乙基或丁醇）的1-20wt。％（基于粉末）; （ii）将混合浆料滴入水或含硬化剂的水（70-90℃）中，强烈混合5-30分钟以形成颗粒; （iii）过滤和洗涤; （iv）在70℃或更低温度下干燥颗粒; （v）将颗粒加入模具中，并在0.1-50MPa的压力下压制5-60分钟，以获得均匀压实的预制件; 和（vi）在惰性气氛或真空下在400-1250℃温度下热处理预成型坯，这导致由酚醛树脂的分解获得碳残余物，并且通过炭渣的致密化增加预成型坯的强度。

公开(公告)号：KR1020030013543A

公开(公告)日：2003-02-15

申请号：KR1020010047605

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이해원 ,  송휴섭 ,  이종호 ,  김주선 ,  신현익

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3826

Abstract: PURPOSE: Provided is a manufacturing method of high density preforms for sintered silicon carbides(SiC) which have no separation of particle sizes and no compaction defects by pressing powder with wide particle size distribution. CONSTITUTION: The preforms with homogeneous compaction are manufactured by the following steps of; (i) mixing SiC powder with wide particle size distribution, 1-20wt.%(based on the powder) of phenol resin, and alcohol(ethyl or butyl alcohol); (ii) dropping the mixed slurry into water or hardener-contained water(70-90deg.C), and mixing strongly for 5-30min to form granules; (iii) filtering and washing; (iv) drying granules at 70deg.C or lower; (v) feeding granules to a mold and pressing under pressure of 0.1-50MPa for 5-60min for homogeneously compacted preforms; and (vi) thermal treating the preforms at 400-1250deg.C in inert gas atmosphere or vacuum, which results in that carbon residue is obtained from decomposition of phenol resin and strength of preforms is increased by densification of carbon residue.

Abstract translation: 目的：提供一种用于烧结碳化硅（SiC）的高密度预成型件的制造方法，其通过压制具有宽的粒度分布的粉末而不具有粒径分离和压实缺陷。 构成：具有均匀压实的预成型件通过以下步骤制造： （i）混合具有宽粒度分布的SiC粉末，1-20重量％（基于粉末）的酚醛树脂和醇（乙基或丁醇）; （ii）将混合的浆料滴入水或含硬化剂的水（70-90℃）中，并强烈搅拌5-30分钟以形成颗粒; （iii）过滤和洗涤; （iv）干燥70度以下的颗粒; （v）将颗粒送入模具中，并在0.1-50MPa的压力下压制均匀压实的预制件5-60分钟; 和（vi）在惰性气氛或真空中在400-1250℃热处理预制品，这导致由酚醛树脂分解获得碳残余物，并通过碳残余物的致密化来增加预成型体的强度。

公开(公告)号：KR1020030013542A

公开(公告)日：2003-02-15

申请号：KR1020010047604

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이해원 ,  송휴섭 ,  이종호 ,  김주선 ,  신현익

IPC: C04B35/622

CPC classification number: C04B35/634 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/94

Abstract: PURPOSE: Provided is a manufacturing method of tube compacts with no separation of particle sizes and homogeneous microstructure by centrifugal casting compound granules including powder with wide particle size distribution and phenol resin in the presence of solvent unlike conventional press forming. CONSTITUTION: The homogeneous centrifugally-cast compacts are manufactured by the following steps of; (i) mixing Al2O3 or SiC powder with wide particle size distribution, 1-20wt.%(based on the powder) of phenol resin, and alcohol(ethyl or butyl alcohol); (ii) dropping the mixed slurry into water or hardener-contained water(70-90deg.C), and mixing strongly for 5-30min. to form compound granules; (iii) filtering and washing; (iv) drying the granules at 70deg.C or lower; (v) centrifugal casting for increase of compaction by feeding granules in a mold, adding water, alcohol, or water-alcohol to fill 20-100% of pores formed by granules, and centrifuging at the velocity of 2-100times more speedy than the acceleration of gravity for 0.5-2hrs with heating(80-110deg.C); (vi) holding the compacts at 50-80deg.C for 2-10hrs for removing remained solvent and hardening phenol resin completely; (vii) removing fats from the compacts in inert gas atmosphere or vacuum for compacts with carbon residue, or air atmosphere for compacts without carbon residue.

Abstract translation: 目的：提供一种管式压块的制造方法，其与常规压制成型不同，在溶剂存在下，溶剂存在下，通过离心铸造复合颗粒（包括具有宽粒径分布的粉末）和酚醛树脂，不分离颗粒尺寸和均匀的微观结构。 构成：均匀的离心铸造压块通过以下步骤制造： （i）混合具有宽粒度分布的Al 2 O 3或SiC粉末，1-20重量％（基于粉末）的酚醛树脂和醇（乙基或丁醇）; （ii）将混合的浆料倒入水或含硬化剂的水（70-90℃）中，并强烈搅拌5-30分钟。 形成复合颗粒; （iii）过滤和洗涤; （iv）将颗粒干燥至70℃或更低; （v）离心铸造用于通过在模具中喂入颗粒来增加压实，加入水，醇或水 - 醇以填充由颗粒形成的20-100％的孔，并以比所述颗粒高2-100倍的速度离心 重力加速0.5-2小时，加热（80-110℃）; （vi）在50-80℃保持压块2-10小时，完全除去残留的溶剂和硬化酚醛树脂; （vii）在惰性气体气氛中从压实物中除去脂肪，或者用碳残留物除去压实物的真空，或没有碳残留的压块的空气气氛中。