Abstract:
본 발명에 따르면, 0.005 ~ 0.1M의 염화안티몬, 0.005 ~ 0.1M의 염화인듐, 0.1 ~ 1.3M의 구연산과 0.1 ~ 1.3M의 구연산칼륨을 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 InSb 반도체 박막을 제조한다. 이에 따라, 열 증착법이나 분자선 에피택시법과 같은 고가의 공정을 통하여 제조되던 InSb 박막을 상온 도금을 통하여 제조함으로써 화학양론을 만족하는 품질 경쟁력 및 저가 생산에 의한 산업적 양산성을 확보할 수 있게 된다. 전기도금, InSb, 반도체, 화학양론
Abstract:
본 발명은 상온에서 큰 자기저항을 갖는 반금속 Bi 박막과 이를 이용한 스핀트로닉스 소자의 제조에 관한 것이다. 본 발명의 Bi 박막은 전기도금법과 스퍼터링법에 의하여 제조할 수 있으며, 상온에서 매우 큰 자기저항의 특성을 보이므로 다양한 스핀전자소자로 응용될수 있다.
Abstract:
본 발명은 0.05 ~ 0.2M의 황산코발트, 0.005 ~ 0.02M의 염화백금산, 0.01 ~ 0.15M의 차아인산소다를 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 CoPtP 자성합금 박막을 제조하는 것을 포함하여 구성되는 CoPtP 자성합금 박막 제조방법을 제공한다. 상기 방법에 의하여 제조되는 CoPtP 자성합금 박막은 4000 ~ 4829.5 Oe의 보자력과 0.7 ~ 0.85의 각형비를 나타내었다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a porous metal material by solution diffusion plating is provided to manufacture the porous metal material that can be widely used in such applications as electronic components, air conditioning equipment, filters for water treatment and construction materials. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a porous metal material by covering a metallic coating film on a matrix through electroless plating and electroplating using a porous material as the matrix, the method for manufacturing the porous metal material by solution diffusion plating comprises the steps of forming a metallic coating film by electroless plating a matrix made of a porous material; forming a high concentration part(20) by increasing concentration of metal ions at any one side of an electrolytic cell(10) separated by a separation membrane having micro-pores, and forming a low concentration part(25) by relatively lowering concentration of metal ions at the one side of an electrolytic cell(10) separated by the separation membrane having micro-pores; installing a matrix on which a metallic coating film is formed by electroless plating and a metal supplying metal ions in the low concentration part(25); and impressing the anode to the metal, and impressing the cathode to the matrix so that a metallic coating film is formed on the matrix to a uniformed thickness by diffusion of ions proceeded from the high concentration part(20) to the low concentration part(25) and electrolysis of the metal.
Abstract:
PURPOSE: A heat sink for a semiconductor package using porous metal is provided to remarkably increase heat radiation efficiency, by greatly broadening an electric heat area of a heat slug and by reducing heat transfer resistance on the surface when the porous metal of a three-dimensional net structure is adhered to the heat slug and is used as the heat sink for the semiconductor package. CONSTITUTION: The porous metal is adhered to the upper end of the heat slug(12) in the heat sink for the semiconductor package including a conventional heat slug. The porous metal may be copper. After the heat slug and the porous metal are disposed to contact each other, a metal plating is performed to form a metal coating layer by an electroplating method so that the adhesion is carried out.
Abstract:
본 발명은 고밀도 나노와이어 수소센서에 관한 것으로, 나노 크기의 금속와이어들이 1 cm 2 당 10 5 ~ 10 9 개 정도의 고밀도로 규칙적으로 배열되어 있어 수소 감지능력이 향상되고 소비전력도 크게 감소된다. 이러한 수소센서는 규칙 배열된 나노홀을 갖는 마스크를 이용하여 전기도금에 의하여 제조하므로 경제성 및 산업상 응용에 매우 유리하다. 수소센서, 나노와이어
Abstract:
본 발명은 0.03 ~ 0.2 M의 황산코발트 (CoSO 4 · 7H 2 O), 0.5 ~ 1.1 M의 황산니켈 (NiSO 4 · 6H 2 O), 0.025 ~ 0.18 M의 황산철 (FeSO 4 · 7H 2 O), 0.15 ~ 0.5 M의 붕산 (H 3 BO 3 ), 0.02 ~ 0.1 M의 염화암모늄 (NH 4 Cl), 0.002 M의 라우릴 황산나트륨 (C 12 H 25 NaO 4 S)을 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 CoFeNi 자성합금 박막을 제조하는 것을 포함하여 구성되는 특정 조성의 CoFeNi 자성합금 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 방법에 의하여 제조되는 CoFeNi 자성합금 박막은 Co 31-35 Fe 27-30 Ni 36-41 의 조성을 가지고 있으며, 6×10 -3 ~ 1 Oe 범위의 보자력과 1.9 ~ 2.3 T 범위의 포화자화 값을 갖는 등 매우 우수한 연자성 특성을 나타내었다. CoFeNi, 연자성 합금, 전기도금, 보자력