전기도금에 의한 화학양론을 만족하는 III-V족 화합물반도체 InSb 제조방법
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100607105B1

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:KR1020040083711

    申请日:2004-10-19

    Abstract: 본 발명에 따르면, 0.005 ~ 0.1M의 염화안티몬, 0.005 ~ 0.1M의 염화인듐, 0.1 ~ 1.3M의 구연산과 0.1 ~ 1.3M의 구연산칼륨을 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 InSb 반도체 박막을 제조한다. 이에 따라, 열 증착법이나 분자선 에피택시법과 같은 고가의 공정을 통하여 제조되던 InSb 박막을 상온 도금을 통하여 제조함으로써 화학양론을 만족하는 품질 경쟁력 및 저가 생산에 의한 산업적 양산성을 확보할 수 있게 된다.
    전기도금, InSb, 반도체, 화학양론

    전기도금된 고보자력 CoPtP 자성합금 박막 및 그제조방법
    43.
    发明公开
    전기도금된 고보자력 CoPtP 자성합금 박막 및 그제조방법 失效
    具有高适应性的电沉积COPTP合金及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050104772A

    公开(公告)日:2005-11-03

    申请号:KR1020040030176

    申请日:2004-04-29

    Inventor: 이관희 정원용

    Abstract: 본 발명은 0.05 ~ 0.2M의 황산코발트, 0.005 ~ 0.02M의 염화백금산, 0.01 ~ 0.15M의 차아인산소다를 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 CoPtP 자성합금 박막을 제조하는 것을 포함하여 구성되는 CoPtP 자성합금 박막 제조방법을 제공한다. 상기 방법에 의하여 제조되는 CoPtP 자성합금 박막은 4000 ~ 4829.5 Oe의 보자력과 0.7 ~ 0.85의 각형비를 나타내었다.

    용액 확산 도금법을 이용한 다공성 금속 재료 제조 방법
    44.
    发明公开
    용액 확산 도금법을 이용한 다공성 금속 재료 제조 방법 失效
    通过溶液扩散法制造多孔金属材料的方法

    公开(公告)号:KR1020020068790A

    公开(公告)日:2002-08-28

    申请号:KR1020010009062

    申请日:2001-02-22

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a porous metal material by solution diffusion plating is provided to manufacture the porous metal material that can be widely used in such applications as electronic components, air conditioning equipment, filters for water treatment and construction materials. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a porous metal material by covering a metallic coating film on a matrix through electroless plating and electroplating using a porous material as the matrix, the method for manufacturing the porous metal material by solution diffusion plating comprises the steps of forming a metallic coating film by electroless plating a matrix made of a porous material; forming a high concentration part(20) by increasing concentration of metal ions at any one side of an electrolytic cell(10) separated by a separation membrane having micro-pores, and forming a low concentration part(25) by relatively lowering concentration of metal ions at the one side of an electrolytic cell(10) separated by the separation membrane having micro-pores; installing a matrix on which a metallic coating film is formed by electroless plating and a metal supplying metal ions in the low concentration part(25); and impressing the anode to the metal, and impressing the cathode to the matrix so that a metallic coating film is formed on the matrix to a uniformed thickness by diffusion of ions proceeded from the high concentration part(20) to the low concentration part(25) and electrolysis of the metal.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过溶液扩散电镀制造多孔金属材料的方法,以制造可广泛用于诸如电子部件,空调设备,水处理过滤器和建筑材料的应用中的多孔金属材料。 构成:在通过使用多孔材料作为基体的无电镀和电镀覆盖基体上的金属涂膜的方法中,通过溶液扩散电镀制造多孔金属材料的方法包括以下步骤: 金属涂膜通过无电解电镀由多孔材料制成的基体; 通过在由具有微孔的分离膜分离的电解槽(10)的任一侧增加金属离子的浓度而形成高浓度部分(20),并通过相对降低金属浓度形成低浓度部分(25) 在由具有微孔的分离膜分离的电解槽(10)一侧的离子; 在低浓度部分(25)中安装通过化学镀和金属提供金属离子形成金属涂膜的基体; 并且将阳极施加到金属上,并且将阴极施加到基体上,使得通过从高浓度部分(20)进入低浓度部分(25)的离子的扩散,在基体上形成均匀的厚度的金属涂膜 )和电解金属。

    다공성 금속을 이용한 반도체 패키징용 히트 싱크 및 그제조방법
    45.
    发明公开
    다공성 금속을 이용한 반도체 패키징용 히트 싱크 및 그제조방법 无效
    使用多孔金属制造半导体封装的散热片及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020020006389A

    公开(公告)日:2002-01-19

    申请号:KR1020000040023

    申请日:2000-07-12

    Abstract: PURPOSE: A heat sink for a semiconductor package using porous metal is provided to remarkably increase heat radiation efficiency, by greatly broadening an electric heat area of a heat slug and by reducing heat transfer resistance on the surface when the porous metal of a three-dimensional net structure is adhered to the heat slug and is used as the heat sink for the semiconductor package. CONSTITUTION: The porous metal is adhered to the upper end of the heat slug(12) in the heat sink for the semiconductor package including a conventional heat slug. The porous metal may be copper. After the heat slug and the porous metal are disposed to contact each other, a metal plating is performed to form a metal coating layer by an electroplating method so that the adhesion is carried out.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用多孔金属的半导体封装的散热器,通过大大拓宽散热片的电热面积和降低表面上的传热阻力,显着增加散热效率,当三维 网结构附着在散热片上,用作半导体封装的散热片。 构成:多孔金属粘附到用于半导体封装的散热器中的散热块(12)的上端,包括常规的热塞。 多孔金属可以是铜。 在散热块和多孔金属彼此接触之后,进行金属镀以通过电镀方法形成金属涂层,从而进行粘合。

    유전자 재조합 표적 서열 검출용 키트 및 그를 이용하여 표적 서열을 검출하는 방법
    46.
    发明授权
    유전자 재조합 표적 서열 검출용 키트 및 그를 이용하여 표적 서열을 검출하는 방법 有权
    用于检测重组靶序列的试剂盒和使用该试剂盒检测靶序列的方法

    公开(公告)号:KR101765878B1

    公开(公告)日:2017-08-23

    申请号:KR1020160033377

    申请日:2016-03-21

    Abstract: 표적서열의제1영역에특이적으로결합하는제1프로브가표면상에부착된자성미크로입자및 상기표적서열의제2영역에특이적으로결합하는제2프로브가표면상에부착된나노입자를포함하는표적서열을검출하기위한키트및 이를이용하여표적서열을검출하는방법으로서, 일양상에따르면제1프로브및 제2프로브가각각제1영역및 제2영역에특이적으로결합하여검출한계를개선하고, 2 이상의표적서열을동시에병렬적으로검출할수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 第一探针特异性结合靶序列的第一区域被附接到所述磁性微粒的表面,并且附接至所述第二探针的特异性结合于靶标序列的第二区域中的表面的纳米粒子 以及使用该试剂盒检测靶序列的方法,其中第一探针和第二探针分别与第一区域和第二区域特异性结合以检测靶序列 并且可以同时检测两个或更多个目标序列。

    표적-특이적 프로브와 표지물질-항체 복합체를 포함하는 바이오마커 탐지용 조성물 및 이의 이용방법
    48.
    发明公开
    표적-특이적 프로브와 표지물질-항체 복합체를 포함하는 바이오마커 탐지용 조성물 및 이의 이용방법 有权
    用于检测包含目标特异性探针和检测标签代谢抗体复合物的生物标记物的组合物及其使用方法

    公开(公告)号:KR1020150085700A

    公开(公告)日:2015-07-24

    申请号:KR1020140005663

    申请日:2014-01-16

    Abstract: 본발명은페리틴단백질과상기페리틴단백질에결합된초상자성나노입자와상기초상자성나노입자의표면에결합된표적화항체(targeting antibody)을포함하는표적-특이적프로브, 상기표적-특이적프로브와탐지가능한표지물질(detectable labeling agent)에결합된탐지항체를포함하는표지물질-항체복합체를포함하는바이오마커탐지용조성물및 이를이용한바이오마커의탐지방법또는탐지키트에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种组合物,其包含:包含铁蛋白,与所述铁蛋白结合的超顺磁性纳米颗粒的靶特异性探针,以及组合在所述超顺磁性纳米颗粒表面上的靶向抗体; 以及包含组合在靶特异性探针上的检测抗体和用于检测生物标志物的可检测标记试剂的标记试剂 - 抗体复合物,以及使用其的生物标志物检测方法或检测试剂盒。

    고밀도 나노와이어 수소센서 및 그 제조방법
    49.
    发明授权
    고밀도 나노와이어 수소센서 및 그 제조방법 失效
    高密度纳米级气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100655640B1

    公开(公告)日:2006-12-11

    申请号:KR1020040033600

    申请日:2004-05-12

    Abstract: 본 발명은 고밀도 나노와이어 수소센서에 관한 것으로, 나노 크기의 금속와이어들이 1 cm
    2 당 10
    5 ~ 10
    9 개 정도의 고밀도로 규칙적으로 배열되어 있어 수소 감지능력이 향상되고 소비전력도 크게 감소된다. 이러한 수소센서는 규칙 배열된 나노홀을 갖는 마스크를 이용하여 전기도금에 의하여 제조하므로 경제성 및 산업상 응용에 매우 유리하다.
    수소센서, 나노와이어

    전기도금된 고특성 CoFeNi연자성합금 박막 및 그 제조방법
    50.
    发明公开
    전기도금된 고특성 CoFeNi연자성합금 박막 및 그 제조방법 失效
    具有非常低的密度的电沉积COFENI软磁合金及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060098049A

    公开(公告)日:2006-09-18

    申请号:KR1020050019260

    申请日:2005-03-08

    CPC classification number: C25D3/56 C22C19/03 C25D5/18

    Abstract: 본 발명은 0.03 ~ 0.2 M의 황산코발트 (CoSO
    4 · 7H
    2 O), 0.5 ~ 1.1 M의 황산니켈 (NiSO
    4 · 6H
    2 O), 0.025 ~ 0.18 M의 황산철 (FeSO
    4 · 7H
    2 O), 0.15 ~ 0.5 M의 붕산 (H
    3 BO
    3 ), 0.02 ~ 0.1 M의 염화암모늄 (NH
    4 Cl), 0.002 M의 라우릴 황산나트륨 (C
    12 H
    25 NaO
    4 S)을 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 CoFeNi 자성합금 박막을 제조하는 것을 포함하여 구성되는 특정 조성의 CoFeNi 자성합금 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 방법에 의하여 제조되는 CoFeNi 자성합금 박막은 Co
    31-35 Fe
    27-30 Ni
    36-41 의 조성을 가지고 있으며, 6×10
    -3 ~ 1 Oe 범위의 보자력과 1.9 ~ 2.3 T 범위의 포화자화 값을 갖는 등 매우 우수한 연자성 특성을 나타내었다.
    CoFeNi, 연자성 합금, 전기도금, 보자력

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