초박형 금속 연속박막 및 그 제조방법
    41.
    发明公开
    초박형 금속 연속박막 및 그 제조방법 审中-实审
    超薄金属连续膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170052470A

    公开(公告)日:2017-05-12

    申请号:KR1020160138547

    申请日:2016-10-24

    Abstract: 본발명은박막증착시반응성가스를혼입시켜금속의계면에너지를낮춤으로써아일랜드(island) 성장의억제하여연속적이고도균질한초박형박막성장을가능하게함과함께박막성장후 열처리또는광조사등의후처리를통해반응성가스성분을제거함으로써박막의전기적특성및 광학특성을향상시킬수 있는초박형금속연속박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른초박형금속연속박막제조방법은증착대상금속을기판상에증착하여박막을형성함에있어서, 상기박막의형성시, 반응성가스를공급하여반응성가스가박막내에혼입되도록유도하는단계; 및형성된박막내의반응성가스성분을제거하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 热处理或光照射等与这使得抑制后,本发明的后处理的薄膜的连续jeokyigodo均匀超薄膜生长在生长爱尔兰(岛)通过膜沉积过程中掺入的反应性气体降低金属表面能 本发明涉及一种超薄金属连续薄膜,其能够通过薄膜沉积方法通过去除反应性气体成分来改善薄膜的电特性和光学特性, 通过向薄膜中引入反应气体以引起反应气体并入薄膜中来形成薄膜; 并去除形成的薄膜中的反应性气体成分。

    박막 태양전지의 제조 방법 및 모듈 구조
    42.
    发明授权
    박막 태양전지의 제조 방법 및 모듈 구조 有权
    制造薄膜太阳能的方法和模块结构

    公开(公告)号:KR101688401B1

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:KR1020140150130

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 박막태양전지의제조방법은투명기판의제1 면상에투명한제1 후면전극을증착하는단계; 제1 후면전극상에고전도성금속을포함하는제2 후면전극을증착하는단계; 제1 및제2 후면전극의이중층을분리하기위해제1 레이저스크라이빙을수행하는단계; 제2 후면전극상에셀레늄(Se) 또는황(S)을포함하는광흡수층을증착하는단계; 광흡수층을분리하기위해투명기판의제1 면과마주보는제2 면으로레이저를입사시켜제2 레이저스크라이빙을수행하는단계; 광흡수층상에투명전극을증착하는단계; 및투명전극을분리하기위해제2 면으로레이저를입사시켜제3 레이저스크라이빙을수행하는단계를포함한다. 이에따라, 기판입사레이저방식의패터닝을가능케하여패터닝공정의가격, 생산성, 정밀성을향상시키므로, 태양전지의경쟁력을확보할수 있다.

    Abstract translation: 一种制造薄膜太阳能电池的方法包括:在透明基板的第一表面上沉积透明的第一后电极; 在所述第一后电极上沉积具有高导电金属的第二后电极; 执行第一激光划线工艺以分离第一和第二后电极的双层; 在第二后电极上沉积具有硒(Se)或硫(S)的光吸收层; 通过将激光输入到所述透明基板的第二表面以分离所述光吸收层来执行第二激光划线处理; 在所述光吸收层上沉积透明电极; 以及通过将激光输入到所述第二表面以分离所述透明电极来执行第三激光划线处理。 因此,可以以基板入射激光的方式进行图案化,以提高图案化处理的价格,生产率和精度。

    박막 성장방법
    43.
    发明授权
    박막 성장방법 失效
    薄膜生长方法

    公开(公告)号:KR100960595B1

    公开(公告)日:2010-06-07

    申请号:KR1020080061513

    申请日:2008-06-27

    CPC classification number: C30B29/16 C23C16/407 C30B25/02 C30B28/12

    Abstract: 본 발명은 박막 상에서의 표면 입자크기 및 표면 거칠기를 향상시켜 캐리어 이동도 특성 및 광산란 효과를 개선할 수 있는 박막 성장방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 성장방법은 기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계와, 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 한다.
    우선성장, 선택성장, 성장방향제어

    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자
    44.
    发明公开
    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자 失效
    在高温氧化气氛下,金刚石层与金属电极层之间具有改善偏差的装置

    公开(公告)号:KR1020100042948A

    公开(公告)日:2010-04-27

    申请号:KR1020080102175

    申请日:2008-10-17

    Abstract: PURPOSE: A device with improved adhesive force between a diamond layer and a metal electrode layer under a high temperature oxidation atmosphere is provided to use a material from metal to oxide by maintaining the junction between diamond and metal electrodes. CONSTITUTION: A device comprises a diamond layer, a metal electrode layer and a buffer layer. The buffer layer is positioned between the diamond layer and the metal electrode layer. The buffer layer includes a layer repeatedly stacked with the layer selected from a group comprised of a (Me-N) layer, a (Si-N) layer, a (Me-Si-N) layer, a (B-N) layer, and a (Me-Si-N) layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种在高温氧化气氛下在金刚石层和金属电极层之间具有改善的粘合力的装置,以通过维持金刚石和金属电极之间的接合来使用金属与氧化物的材料。 构成:装置包括金刚石层,金属电极层和缓冲层。 缓冲层位于金刚石层和金属电极层之间。 缓冲层包括与由(Me-N)层,(Si-N)层,(Me-Si-N)层,(BN)层和 (Me-Si-N)层。

    양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와,양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해제조된 다이아몬드 박막
    45.
    发明授权
    양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와,양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해제조된 다이아몬드 박막 有权
    DC等离子体辅助化学气相沉积装置,没有一个积极的柱,在一个正极柱和一个金刚石薄层的存在下沉积材料的方法

    公开(公告)号:KR100924287B1

    公开(公告)日:2009-10-30

    申请号:KR1020070045695

    申请日:2007-05-10

    CPC classification number: C23C16/503 C23C16/272 Y10T428/268

    Abstract: 본 발명은 양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와, 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드 박막에 관한 것이다. 본 발명은 반응 챔버 내에 서로 대향하도록 설치된 음극과 양극 사이에 직류 전압을 인가하여 전극 간 공간에 방전을 개시하고 반응 가스를 도입하여, 양극에 장착되어 양극 역할을 겸하는 기판의 표면에 물질을 증착함에 있어, 음극 글로우 및 양극 글로우가 각각 음극 및 기판 표면을 피복하는 박층 형태로 존재하는 반면, 양광주 (positive column)는 존재하지 않거나 무시할 수 있을 정도로 작은 상태에서 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법을 제공한다. 본 방법에 의해 제조된 다이아몬드 박막은 균일하고 불순물을 포함하지 않으며 결정질이 우수한 특성을 지닌다.
    양광주, 직류 전원, 플라스마, 다이아몬드 박막, 글로우

    바이오 센서 소자 및 제조 방법
    46.
    发明公开
    바이오 센서 소자 및 제조 방법 有权
    生物传感器装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020090094631A

    公开(公告)日:2009-09-08

    申请号:KR1020080019699

    申请日:2008-03-03

    CPC classification number: G01N27/4145 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: A biosensor device and manufacturing method thereof are provided to improve lifetime, repeatability, and stability of sensor. A biosensor device comprises: a gate electrode (6) which is made of a diamond thin film; a gate insulating layer (5) which is made at lower part of gate electrode; a channel layer (2) which is made on semiconductor substrate of the lower portion of insulating layer; and a source/drain area (3, 4) which is made on the semiconductor substrate of both sides of gate electrode.

    Abstract translation: 提供了一种生物传感器装置及其制造方法,以提高传感器的寿命,重复性和稳定性。 生物传感器装置包括:由金刚石薄膜制成的栅电极(6); 栅极绝缘层(5),其形成在栅电极的下部; 沟道层(2),其形成在绝缘层下部的半导体衬底上; 以及在栅电极的两侧的半导体衬底上制成的源/漏区(3,4)。

    플라스마 증착 장치 및 방법
    47.
    发明公开
    플라스마 증착 장치 및 방법 失效
    等离子体沉积装置和方法

    公开(公告)号:KR1020090050484A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:KR1020070116932

    申请日:2007-11-15

    CPC classification number: H01J37/3497 H01J37/3435

    Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
    플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

    Abstract translation: 本发明涉及一种等离子沉积装置和方法,一个DC电源(放电)从它的负电极表面上产生的裂纹的高熔点金属材料为包括通过等离子体沉积工艺金刚石的沉积材料防止,以及半导体诸如硅 当使用衬底时,具有能够防止半导体衬底受损并且可以以均匀且未受损的状态沉积薄膜的优点。

    초박형 금속 연속박막 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101873859B1

    公开(公告)日:2018-07-04

    申请号:KR1020160138547

    申请日:2016-10-24

    Abstract: 본발명은박막증착시반응성가스를혼입시켜금속의계면에너지를낮춤으로써아일랜드(island) 성장의억제하여연속적이고도균질한초박형박막성장을가능하게함과함께박막성장후 열처리또는광조사등의후처리를통해반응성가스성분을제거함으로써박막의전기적특성및 광학특성을향상시킬수 있는초박형금속연속박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른초박형금속연속박막제조방법은증착대상금속을기판상에증착하여박막을형성함에있어서, 상기박막의형성시, 반응성가스를공급하여반응성가스가박막내에혼입되도록유도하는단계; 및형성된박막내의반응성가스성분을제거하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로한다.

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