Abstract:
본 발명은 박막 상에서의 표면 입자크기 및 표면 거칠기를 향상시켜 캐리어 이동도 특성 및 광산란 효과를 개선할 수 있는 박막 성장방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 성장방법은 기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계와, 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 한다. 우선성장, 선택성장, 성장방향제어
Abstract:
PURPOSE: A device with improved adhesive force between a diamond layer and a metal electrode layer under a high temperature oxidation atmosphere is provided to use a material from metal to oxide by maintaining the junction between diamond and metal electrodes. CONSTITUTION: A device comprises a diamond layer, a metal electrode layer and a buffer layer. The buffer layer is positioned between the diamond layer and the metal electrode layer. The buffer layer includes a layer repeatedly stacked with the layer selected from a group comprised of a (Me-N) layer, a (Si-N) layer, a (Me-Si-N) layer, a (B-N) layer, and a (Me-Si-N) layer.
Abstract:
본 발명은 양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와, 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드 박막에 관한 것이다. 본 발명은 반응 챔버 내에 서로 대향하도록 설치된 음극과 양극 사이에 직류 전압을 인가하여 전극 간 공간에 방전을 개시하고 반응 가스를 도입하여, 양극에 장착되어 양극 역할을 겸하는 기판의 표면에 물질을 증착함에 있어, 음극 글로우 및 양극 글로우가 각각 음극 및 기판 표면을 피복하는 박층 형태로 존재하는 반면, 양광주 (positive column)는 존재하지 않거나 무시할 수 있을 정도로 작은 상태에서 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법을 제공한다. 본 방법에 의해 제조된 다이아몬드 박막은 균일하고 불순물을 포함하지 않으며 결정질이 우수한 특성을 지닌다. 양광주, 직류 전원, 플라스마, 다이아몬드 박막, 글로우
Abstract:
A biosensor device and manufacturing method thereof are provided to improve lifetime, repeatability, and stability of sensor. A biosensor device comprises: a gate electrode (6) which is made of a diamond thin film; a gate insulating layer (5) which is made at lower part of gate electrode; a channel layer (2) which is made on semiconductor substrate of the lower portion of insulating layer; and a source/drain area (3, 4) which is made on the semiconductor substrate of both sides of gate electrode.
Abstract:
본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다. 플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)