公开(公告)号：KR100778092B1

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：KR1020060077195

申请日：2006-08-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  장재민 ,  박창근

IPC: H04B1/18

CPC classification number: H03F1/223 ,  H03F3/211

Abstract: A distributed transmission line transformer using additional pads for bond wire coupling is provided to minimize a decrease in a coupling coefficient and prevent deterioration in the total output power and efficiency of a power amplifier by using additional dummy pads in connecting an off-chip distributed transmission line transformer with an integrated circuit. In a distributed transmission line transformer(230), of which the primary and secondary transmission lines(231,232) are formed separately from a differential power amplifier(210) on a PCB substrate(310), the differential power amplifier(210), of which the output block is finalized as output pads(211), comprises two additional dummy pads(212). The PCB substrate(310) comprises two transformer pads(240a,240b) formed in the vicinity of the differential power amplifier(210). The primary transmission line(231) of the distributed transmission line transformer(230) is connected with the output pads(211) of the differential power amplifier(210) by wire bonding. The secondary transmission line(232) is connected to the transformer pads(240a,240b) via the dummy pads(212).

Abstract translation: 提供了使用用于接合线耦合的附加焊盘的分布式传输线变压器，以最小化耦合系数的降低，并且通过在连接片外分布式传输线路中使用附加的虚拟焊盘来防止功率放大器的总输出功率和效率的劣化 变压器带集成电路。 在分布式传输线变压器（230）中，其中一次和二次传输线（231,232）与PCB衬底（310）上的差分功率放大器（210）分开形成，差分功率放大器（210） 输出块被确定为输出焊盘（211），包括两个附加的虚拟焊盘（212）。 PCB基板（310）包括形成在差分功率放大器（210）附近的两个变压器焊盘（240a，240b）。 分布式传输线变压器（230）的主传输线（231）通过引线接合与差分功率放大器（210）的输出焊盘（211）连接。 二次传输线（232）经由虚拟焊盘（212）连接到变压器焊盘（240a，240b）。

公开(公告)号：KR100767413B1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020060050863

申请日：2006-06-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  김철영 ,  김정근

IPC: G01S7/48

Abstract: A radar apparatus having a transmission leakage current canceller is provided to constrain the reduction of receiving intensity and a noise index of a receiving stage by using the transmission signal canceller without loss of transmission power. A radar apparatus having a transmission leakage current canceller includes a signal generator(101), a front coupler block(303), two intermediate coupler blocks(302), a rear coupler block(304), a leakage current canceller(301), a power divider(102) and two mixers(106). The front coupler block(303) divides a transmission signal generated from the signal generator(101) into two signals having the same amplitude and a phase difference of 90 degrees. The intermediate coupler blocks(302) receive the transmission signal from the front coupler block(101) and generate a quadrature signal. The intermediate coupler blocks(302) receive a receiving signal and generate a transmission leakage signal. The rear coupler block(304) receives the transmission signal having the phase difference of 90 degrees from the intermediate coupler blocks(302), and transmits the transmission signal to an antenna without loss. The rear coupler block(304) outputs the received signal having the phase difference of 90 degrees and the same amplitude to the intermediate coupler blocks(302). The leakage signal canceller(301) removes the transmission leakage signal and adds the received signal. The power divider(102) receives the signal outputted from the leakage signal canceller(301), and divides the received signal into two same signals. The mixers(106) perform quadrature mixing based on an LO signal outputted from the intermediate coupler block(302) and the signal outputted from the power divider(102).

Abstract translation: 提供具有传输泄漏电流消除器的雷达装置，通过使用传输信号消除器来限制接收强度的降低和接收级的噪声指数，而不损失传输功率。 具有传输泄漏电流消除器的雷达装置包括信号发生器（101），前耦合器块（303），两个中间耦合器块（302），后耦合块（304），漏电流消除器（301）， 功率分配器（102）和两个混合器（106）。 前耦合器块（303）将从信号发生器（101）产生的发送信号分成具有相同振幅和相位差为90度的两个信号。 中间耦合器块（302）从前耦合器模块（101）接收发送信号并产生正交信号。 中间耦合器块（302）接收接收信号并产生传输泄漏信号。 后耦合器块（304）从中间耦合器块（302）接收具有90度相位差的发送信号，并且将发送信号发送到天线而不损失。 后耦合器块（304）向中间耦合器块（302）输出具有90度相位差和相同振幅的接收信号。 泄漏信号消除器（301）去除传输泄漏信号并将接收到的信号相加。 功率分配器（102）接收从泄漏信号消除器（301）输出的信号，并将接收到的信号分成两个相同的信号。 混合器（106）基于从中间耦合器块（302）输出的LO信号和从功率分配器（102）输出的信号执行正交混频。

公开(公告)号：KR100725225B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020060077058

申请日：2006-08-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  장재민

IPC: H04B1/18

Abstract: A PCB(Printed Circuit Board) distributed transmission line transformer for a voltage combining method is provided to be formed on a PCB instead of being formed as an IC(Integrated Circuit) on a semiconductor substrate, thereby obtaining high Q-factors while length of the transmission line gets bigger. A primary transmission line(231) and a secondary transmission line(232) are formed on a PCB(310). Both ends of the primary transmission line(231) are connected to an amplification stage(210) having differential input as active elements on the PCB(310). Connection between the primary transmission line(231) and the amplification stage(210) is carried out through wire bonding processes(231a).

Abstract translation: 提供用于电压组合方法的PCB（印刷电路板）分布式传输线变压器以形成在PCB上而不是在半导体衬底上形成为IC（集成电路），从而获得高Q因子，同时获得 传输线路变大。 主传输线（231）和次传输线（232）形成在PCB（310）上。 主传输线（231）的两端连接到具有差分输入作为PCB（310）上的有源元件的放大级（210）。 主传输线（231）和放大级（210）之间的连接通过引线接合工艺（231a）进行。

公开(公告)号：KR100621873B1

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR1020050014204

申请日：2005-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  엄준호 ,  양종렬

IPC: H01L31/101

Abstract: 본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; High Electron Mobility Transistor)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(Read Out Integrated Circuit) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방향으로 입사되도록 함으로써 양자 효율을 높일 수 있도록 한 것이다.
QWIP, QDIP, QSIP, FPAs, 적외선 센서, 적외선 영상, HEMT, 양자효율

Abstract translation: 本发明既结构红外线涉及一种光接收元件，在量子结构的形式的二极管红外非光接收装置中，所述量子阱或量子点和hemteu（HEMT;高电子迁移率晶体管），用于组合，以形成两个结构高光电流的红外线的光接收元件 有可用的一个切换到受光元件本身，而不CMOS开关和光接收元件自身作为晶体管，红外以及使可用的生产（读出集成电路）ROIC形成栅极金属形成梳形数倍的衍射光栅形式 这样可以提高量子效率。

公开(公告)号：KR100573013B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020040025174

申请日：2004-04-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정근 ,  고상수 ,  백동현 ,  홍성철

IPC: G01S13/32

Abstract: 본 발명은 밸런스 구조를 이용한 레이더 시스템에 관한 것으로서, 밸런스 구조를 이용하여 송신단의 누설 신호를 서로 상쇄시켜 수신감도를 높일 뿐만 아니라 수신기가 송신단의 큰 누설신호에 의해 포화되는 것을 막을 수 있고 수신단이 송신단의 누설전력으로 인해 잡음지수가 높아지는 것을 막으며 송수신 안테나를 공유할 수 있어 레이더 시스템의 초소형, 고감도 특성을 동시에 얻을 수 있는 이점이 있다.
레이더, 밸런스 구조, 누설신호, 초소형, 고감도, 적응형 레이더, 수신감도

公开(公告)号：KR100422505B1

公开(公告)日：2004-03-12

申请号：KR1020010033768

申请日：2001-06-15

Applicant: 한국과학기술원 ,  (주) 텔트론

Inventor： 홍성철 ,  윤상웅

IPC: H03B5/08

Abstract: PURPOSE: An LC resonating voltage control push-push oscillator by using a differential form is provided to generate an f0 frequency having a low phase noise in a push-push method by utilizing two output signals of the LC resonating voltage control oscillator to generate a signal having an f/2 and a phase difference of 180°. CONSTITUTION: An LC resonating voltage control push-push oscillator by using a differential form includes a differential amplifier(10) for implementing a voice resistance, an LC resonator(20) connected to an inductor and a condenser in symmetric with each differential output terminals of the differential amplifier(10), an output buffer(30) connected to each differential output terminals of the differential amplifier(10) in symmetrical for outputting a harmonic component to a common output terminal by receiving an output value and a current supply(40) for supplying the current supplied to the differential amplifier(10) and the output buffer(30) by variably controlling in response to the control voltage.

Abstract translation: 目的：提供一种利用差分形式的LC谐振电压控制推 - 推振荡器，用于通过利用LC谐振电压控制振荡器的两个输出信号产生信号，以推 - 推方法产生具有低相位噪声的f0频率 具有f / 2和180°的相位差。 本发明公开了一种利用差分形式的LC谐振电压控制推 - 推式振荡器，包括用于实现话音电阻的差分放大器（10），与电感器和电容器连接的LC谐振器（20） 通过接收输出值和电流源（40），差分放大器（10），对称地连接到差分放大器（10）的每个差分输出端的输出缓冲器（30），用于将谐波分量输出到公共输出端; 用于响应于控制电压可变地控制提供提供给差分放大器（10）和输出缓冲器（30）的电流。

公开(公告)号：KR100370822B1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020000049904

申请日：2000-08-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  박진성

IPC: H01L31/09

Abstract: PURPOSE: A device for sensing a long wavelength infrared ray having a quantum structure coupled to a camel hump diode is provided to increase sensitivity of an infrared sensing device, by integrating the quantum structure in a light absorption region of the camel hump diode. CONSTITUTION: The camel hump diode has a source layer(1), a gate layer(2) and a drain layer(3). The infrared sensing device is composed of quantum dots integrated in the drain layer which is the light absorption region of the camel hump diode, so that charges in a potential barrier layer(4) are reduced by absorbed light to amplify photocurrent.

Abstract translation: 目的：通过将量子结构集成在驼峰二极管的光吸收区域中，提供用于感测具有与驼峰驼峰二极管耦合的量子结构的长波长红外线的装置，以提高红外感测装置的灵敏度。 构成：驼峰二极管具有源极层（1），栅极层（2）和漏极层（3）。 红外感测装置由集成在作为驼峰二极管的光吸收区域的漏极层中的量子点构成，从而通过吸收光来减小势垒层（4）中的电荷以放大光电流。

公开(公告)号：KR1020020004391A

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：KR1020000038250

申请日：2000-07-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 전상훈 ,  홍성철

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A heterojunction bipolar transistor and a fabricating method thereof are provided to increase a breakdown voltage between a base and a collector by forming a concave groove on a surface of a collector layer. CONSTITUTION: An N type collector layer(120) is formed on a part of a surface of a semi-insulating substrate(110) formed with GaAs. A P+ type base layer is formed on a center of a surface of the N type collector layer(120). A collector electrode(125) is formed on an edge of the collector layer(120). An emitter layer(140) and an emitter contact layer(145) are formed on a center of a base layer. A base electrode(135) is formed on an edge of the base layer(130). A concave groove(A) is formed on a surface of the collector layer(120) between the base layer(130) and the collector electrode(125). A path of current is determined by a depth of the concave groove(A). An interval between the base layer(140) and the collector electrode(125) can be increased regardless of a thickness of the collector layer(120).

Abstract translation: 目的：提供异质结双极晶体管及其制造方法，通过在集电体层的表面上形成凹槽来提高基极与集电体之间的击穿电压。 构成：在形成有GaAs的半绝缘性基板（110）的表面的一部分上形成有N型集电体层（120）。 在N型集电体层（120）的表面的中央形成有P +型基层。 集电极（125）形成在集电极层（120）的边缘上。 发射极层（140）和发射极接触层（145）形成在基底层的中心。 基底电极（135）形成在基底层（130）的边缘上。 在基底层（130）和集电极（125）之间的集电体层（120）的表面上形成凹槽（A）。 电流的路径由凹槽（A）的深度决定。 无论集电极层（120）的厚度如何，可以增加基极层（140）和集电极（125）之间的间隔。

公开(公告)号：KR100164283B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950000787

申请日：1995-01-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 홍성철 ,  조태희

IPC: G01N21/00

Abstract: 본 발명은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판; 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물; 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층; 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 발명에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 감도높게 탐지할 수 있으며, 본 발명에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.

公开(公告)号：KR1019990008697A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970030776

申请日：1997-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 손희수 ,  홍성철

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 제공하고 그에 따라 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1 단계와, 제 1 과정을 통하여 소정의 높이를 유지하는 상태에서 AFM 팁에 특정 임계전압 이상의 전압을 걸어주어 AFM 팁 아래 의 특정부분에 전기적 필드를 형성되는 제 2 단계와, 제 2 단계를 통하여 형성된 전기적 필드에 의하여 실리콘 산화막 내부에 형성되어 있는 나노 크리스탈에 실리콘 기판으로부터 발생된 자유전자가 포획되는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나� �� 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 저장 방법을 제공한다.