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公开(公告)号：KR100926789B1
公开(公告)日：2009-11-13
申请号：KR1020070117862
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 이중포토레지스트를 이용한 그의 제조방법에 관한 것으로 제 1 기판 상부에 발광 소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 상부에 포토레지스트를 증착하고 상기 포토레지스트 및 발광 소자의 상부에 반사막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사막의 상부에 포토레지스트를 증착하는 단계를 포함한다. 그리고, 상기 포토레지스트의 상부에 제 2기판을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1기판 및 포토레지스트를 제거하고, 상기 발광 소자 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 이중으로 포토레지스트를 증착한 후, 플레이팅 방법을 통해 금속 기판을 성장하여 본딩을 진행함으로써, 기판의 휘어짐 현상을 방지하며 후속 공정 진행 시 기판 혹은 발광 소자의 파손을 방지함에 따라 공정시간을 단축하고 안정적인 전기적, 열적 특성을 갖는 수직형 발광 소자를 구현할 수 있다.
수직형, 이중포토레지스트, 플레이팅 방법-
公开(公告)号：KR100907223B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070066714
申请日：2007-07-03
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체층이 적층된 발광다이오드 상부에 본딩 금속층을 매개로 접합되고, 내부에 금속으로 충진되어 발광다이오드를 외부와 전기적으로 소통시키는 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 포함한다. 이러한 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, 기판 위에 개별소자로 형성된 발광다이오드 상부에 금속으로 충진된 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 접합하는 단계와, 상기 기판을 제거하고 세라믹 기판이 접합된 발광다이오드 개별소자를 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 발광 다이오드 상부에 도전성 기판 대신 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 장착함으로써 가격대비 열전도율이 매우 우수하고, 질화갈륨 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수를 최소화함으로써 소자의 신뢰성이 향상된 발광 다이오드를 얻을 수 있는 효과가 있다.
발광다이오드, 반도체층, 비아홀, 세라믹, 질화갈륨, 열팽창 계수-
公开(公告)号：KR1020090056318A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123419
申请日：2007-11-30
Applicant: 한국광기술원
Abstract: A method of producing a p-type compound semiconductor having a non-planar surface and a method are provided to increase optical efficiency and manufacturing costs by patterning p-type semiconductor layer with a non-planar. An n-type semiconductor layer(140), an active layer(160), and a p-type semiconductor layer(180) are successively formed on the substrate(100) as a lighting-emitting area emitting a light. Lighting-emitting areas are made of the compound semiconductor thin film especially. A buffer layer(120) is more formed between the substrate and the compound semiconductor to reduce a constant resistance of the compound semiconductor thin film and the substrate. A non planar is formed on the surface of the upper most P-type semiconductor to radiate light efficiently so that valid area is increased.
Abstract translation: 提供一种制造具有非平面表面的p型化合物半导体的方法和方法，以通过非平面图案化p型半导体层来提高光学效率和制造成本。 在基板（100）上依次形成n型半导体层（140），有源层（160）和p型半导体层（180），作为发光的发光区域。 发光区域由化合物半导体薄膜特别制成。 在衬底和化合物半导体之间形成缓冲层（120），以减少化合物半导体薄膜和衬底的恒定电阻。 在最高P型半导体的表面上形成非平面以有效辐射光使得有效面积增加。
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公开(公告)号：KR100897595B1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：KR1020070081775
申请日：2007-08-14
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/42
Abstract: 본 발명은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 투명전극 직접 접촉층을 포함하는 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층, ITO 투명전극층이 순차적으로 적층되는 발광 다이오드에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층과 ITO 투명전극층 사이에 위치하여 상기 p형 화합물 반도체층과 ITO 투명전극층과 접촉 저항을 낮추는 ITO 투명전극 직접 접촉층을 포함한다.
본 발명에 의하면, ITO 투명전극 직접 접촉층에 의해, 종래 p형 화합물 반도체층과의 오믹접촉을 위해 사용했던 p형 오믹 금속의 공정을 삭제함에 따라 공정이 단순화되고 생산성이 향상되는 경제적 부가가치가 있고, 종래에 비하여 유효 반사 면적이 증가되어 반사율이 높아져서 효율이 향상되는 장점이 있다.
인듐주석산화물, 투명 전극, 발광 다이오드, 오믹 접촉, 화합물 반도체-
公开(公告)号：KR1020090032366A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070097545
申请日：2007-09-27
Applicant: 한국광기술원
Abstract: An Ag series transparent metal for a ultraviolet light emitting diode is provided to improve the optical permeability and the luminance of the ultraviolet light-emitting device by forming an Ohmic contact between a transparent electrode of the ultraviolet light-emitting device and a p-GaN system semiconductor layer. An n-GaN system semiconductor layer(22) is formed on a substrate(21). An active layer(23) is laminated on the n-type semiconductor layer. A p-GaN system semiconductor layer(24) is formed on the active layer. A transparent electrode(25) consisting of Ag or Ag alloy is evaporated on the p-GaN system semiconductor layer. A p-type metal electrode(26) is formed on the top of one side of the transparent electrode. An n-type metal electrode(27) is formed on the other side of the n-GaN system semiconductor layer.
Abstract translation: 提供一种用于紫外线发光二极管的Ag系透明金属，以通过在紫外发光元件的透明电极与p-GaN系之间形成欧姆接触来提高紫外线发光元件的透光率和亮度 半导体层。 在衬底（21）上形成n-GaN系半导体层（22）。 在n型半导体层上层叠有源层（23）。 在有源层上形成p-GaN系半导体层（24）。 由Ag或Ag合金构成的透明电极（25）在p-GaN系半导体层上蒸发。 p型金属电极（26）形成在透明电极一侧的顶部。 n型金属电极（27）形成在n-GaN系半导体层的另一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090015430A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070079741
申请日：2007-08-08
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/385 , H01L33/46 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016 , H01L2224/05599
Abstract: A light emitting diodes with redistributed metal pad is provided to improve optical power by forming a first electrode and a second electrode on the same plane. In a light emitting diodes with redistributed metal pad, a first semiconductor and second semiconductor layers(110,130) laminated on the substrate(100) are mesa-etched. The reflective layer(140) is formed on the upper side and the side in which the mesa etching is made. More than one second electrode is contacted on top of the reflective layer, while more than one first electrode is contacted with the semiconductor layer the contact. The first protective layer(Passivation)(300) is formed in the part excluding the contacted first and the second electrode. The first electrode is connected through the first electrode line to one first bonding pad. The second electrode is connected through the second electrode line to the second bonding pad. The first protective layer is formed by the double protective film which are identical each other or different. The second protective layer is formed in the rest of substrate excluding the first and the second bonding pad.
Abstract translation: 提供具有再分布金属焊盘的发光二极管，以通过在同一平面上形成第一电极和第二电极来提高光功率。 在具有再分布金属焊盘的发光二极管中，层压在基板（100）上的第一半导体层和第二半导体层（110,130）被台蚀。 反射层（140）形成在台面蚀刻的上侧和侧面。 多于一个第二电极在反射层的顶部接触，而多于一个的第一电极与半导体层接触。 在除了接触的第一和第二电极之外的部分中形成第一保护层（钝化）（300）。 第一电极通过第一电极线连接到一个第一接合焊盘。 第二电极通过第二电极线连接到第二接合焊盘。 第一保护层由彼此相同或不同的双重保护膜形成。 除了第一和第二接合焊盘之外，第二保护层形成在基板的其余部分中。
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公开(公告)号：KR1020080018492A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080690
申请日：2006-08-24
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/06
Abstract: A semiconductor light emitting device having multiple active layers and a manufacturing method thereof are provided to prevent rapid saturation of an output light due to injection current by enlarging an area of the active layer twice. A light emitting layer having plural active layers is deposited on a substrate(10). The light emitting layer is formed by depositing plural light emitting diode modules(20) each having the active layer, in which adjacent semiconductor layers(21,23) have the same shape. The semiconductor layer has a metal electrode layer(40) to allow an electric current to flow through each semiconductor layer. An insulating layer(30) is formed between a side of the metal electrode layer and a side of the light emitting layer to restrict inflow of the current into the light emitting layer from the side of the metal electrode layer.
Abstract translation: 提供具有多个有源层的半导体发光器件及其制造方法，以通过将有源层的面积扩大两次来防止由于注入电流引起的输出光的快速饱和。 具有多个有源层的发光层沉积在基板（10）上。 发光层通过沉积多个具有活性层的发光二极管模块（20）形成，其中相邻的半导体层（21,23）具有相同的形状。 半导体层具有允许电流流过每个半导体层的金属电极层（40）。 在金属电极层的一侧和发光层的一侧之间形成绝缘层（30），以限制从金属电极层一侧将电流流入发光层。
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公开(公告)号：KR100786802B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060093658
申请日：2006-09-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/44
Abstract: A vertical type semiconductor light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to simplify a total process by performing a bonding process without a patterning process. A semiconductor emission layer(204) is formed on a lower part of a substrate(200). The semiconductor emission layer is divided into unit modules in order to emit the light. A protective layer(208) is formed in a separate space between the semiconductor emission layer and the semiconductor emission layer in order to protect the semiconductor emission layer. A bonding metal layer(205) and a receptor(207) are sequentially formed at a lower surface of the substrate including the protective layer and the semiconductor emission layer. A reflective metal layer is formed on an upper part of the receptor. Further, one or more ohmic metal layers are on an upper or a lower part of the bonding metal layer.
Abstract translation: 提供了一种垂直型半导体发光二极管及其制造方法，以通过在不进行图案化处理的情况下进行接合处理来简化总体处理。 半导体发光层（204）形成在基板（200）的下部。 半导体发射层被分成单元模块以发射光。 为了保护半导体发射层，在半导体发射层和半导体发射层之间的单独空间中形成保护层（208）。 在包括保护层和半导体发射层的衬底的下表面上顺序地形成接合金属层（205）和接收器（207）。 反射金属层形成在受体的上部。 此外，一个或多个欧姆金属层位于接合金属层的上部或下部。
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公开(公告)号：KR1020070079957A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：KR1020070066714
申请日：2007-07-03
Applicant: 한국광기술원
Abstract: A vertical light emitting diode and its fabricating method are provided to improve reliability by minimizing a thermal expansion coefficient between a semiconductor layer and a ceramic substrate. A plurality of semiconductor layers(202,204) are laminated on a light emitting diode. A bonding metal layer(209) is formed on an upper surface of the light emitting diode including the semiconductor layers. A ceramic substrate(210) having a via hole is bonded with the upper surface of the light emitting diode through the bonding metal layer. The via hole of the ceramic substrate is filled with a metal to connect the light emitting diode with the outside. The light emitting diode includes the semiconductor layers including nitride semiconductor compounds of different types, an active layer(203), and electrodes(206,211).
Abstract translation: 提供了垂直发光二极管及其制造方法，以通过使半导体层和陶瓷基板之间的热膨胀系数最小化来提高可靠性。 在发光二极管上层叠多个半导体层（202,204）。 在包括半导体层的发光二极管的上表面上形成接合金属层（209）。 具有通孔的陶瓷基板（210）通过接合金属层与发光二极管的上表面接合。 陶瓷基板的通孔用金属填充，以将发光二极管与外部连接。 发光二极管包括包括不同类型的氮化物半导体化合物的半导体层，有源层（203）和电极（206,211）。
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公开(公告)号：KR101680488B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020150157605
申请日：2015-11-10
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은책상위에거치하여개인의필요에따라자외선을이용한비타민 D3의생성과라이트테라피를통해생체리듬을정상화시키는테라피기능을갖는조명장치및 이의제어방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은사용자로부터동작신호를검출하면, 광원부가인체의피부에비타민 D 합성용자외선과임의의색온도를갖는가시광선을출력하고, 상기광원부는상/하/좌/우방향으로회전하면서상기출력되는자외선과가시광선이인체의다양한위치에조사되도록이루어진것을특징으로한다. 따라서본 발명은책상위에거치하여개인의필요에따라개별적으로제어된자외선조명을제공함으로써, 적정량의비타민 D를생성할수 있으며, 백색의가시광선을이용한라이트테라피를통해사용자의신체리듬을정상적으로유지할수 있는장점이있다.
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