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公开(公告)号：KR101020473B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020080118295
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 발광소자 및 그의 제조방법이 제공된다. 발광소자는 베이스 기판 상에 위치되며, 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들 및 돌출부들 사이의 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층, 하부 버퍼 패턴층의 돌출부들 및 홈들 상부에 형성된 제1 클래드층, 제1 클래드층 상에 형성된 활성층 및 활성층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 발광소자 제조방법은 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층을 패터닝하여 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계, 하부 버퍼 패턴층 상에 제1 클래드층을 성장시키는 단계, 제1 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 활성층 상에 제2 클래드층을 성장시키는 단계를 포함한다.
발광소자, 보이드, 하부 버퍼 패턴층, 단결정 기판, 돌출부, 홈-
公开(公告)号：KR1020100059499A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080118295
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국광기술원
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacture method thereof are provided to form a single crystal layer having the low defect density by preventing defect propagating from a base substrate vertically with a void. CONSTITUTION: A lower part buffer pattern layer(13) is located on a base substrate(11). The lower part buffer pattern layer comprises a groove between protrusions and a plurality of protrusions. A first clad layer(21) is formed on the top of the protrusion and the groove of the lower part buffer pattern layer. An active layer(22) is formed on the first clad layer. A second clad layer(23) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过防止从空穴中垂直向基底衬底传播的缺陷来形成具有低缺陷密度的单晶层。 构成：下部缓冲图案层（13）位于基底（11）上。 下部缓冲图案层包括在突起和多个突起之间的凹槽。 第一覆盖层（21）形成在突起的顶部和下部缓冲图案层的凹槽上。 在第一包层上形成有源层（22）。 在有源层上形成第二覆层（23）。
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公开(公告)号：KR1020100059492A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080118281
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/10
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode including a light reflecting structure and a manufacturing method thereof are provided to improve straightness of the light by increasing the are of accepting distributed light and increasing the amount of the reflected light. CONSTITUTION: A light emitting structure(30) comprises a first clad layer(12), an active layer(14), and a second clad layer(16). A light reflection structure(20) is arranged to be distance from at least one side of the light emitting structure. The light reflecting structure comprises a light reflection base structure and a light reflecting layer. The light reflecting layer covers a side of the light reflection base structure. The light reflecting layer expanded to the upper side of the light reflection base structure.
Abstract translation: 目的：提供一种包括光反射结构的发光二极管及其制造方法，其通过增加接收分布光并增加反射光量来提高光的平直度。 构成：发光结构（30）包括第一覆盖层（12），有源层（14）和第二覆盖层（16）。 光反射结构（20）布置成距离发光结构的至少一侧的距离。 光反射结构包括光反射基底结构和光反射层。 光反射层覆盖光反射基体结构的一侧。 光反射层扩展到光反射基体结构的上侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101048595B1
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020080118281
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/10
Abstract: 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 구조체를 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 베이스 구조체를 형성하는 단계 및 상기 광반사 베이스 구조체의 측면을 덮는 광반사층을 형성하여 광반사 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
발광다이오드, 광반사 구조체, 광출력 효율, 광 직진성Abstract translation: 提供了一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括发光结构和光反射结构，所述发光结构包括第一包层，有源层和第二包层，所述光反射结构设置在距所述发光结构的至少一侧的一定距离处。 此外，制造发光二极管的方法包括：形成第一包层，有源层和具有从设置在所述发光结构的基板和在光反射基底结构上的包层结构和至少一个侧面和间隔开的所述第二发光 并且形成覆盖光反射基底结构的侧表面的光反射层以形成光反射结构。
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公开(公告)号：KR101019301B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020080119962
申请日：2008-11-28
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 형광체를 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층 및 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 배치되고 상기 측면 형광 패턴층과 분리된 상부 형광 패턴층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체를 형성하는 단계, 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 발광 구조체 상에 상부 형광 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.
발광 다이오드, 형광체, 측면 형광 패턴층, 상부 형광 패턴층-
公开(公告)号：KR1020090015430A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070079741
申请日：2007-08-08
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/385 , H01L33/46 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016 , H01L2224/05599
Abstract: A light emitting diodes with redistributed metal pad is provided to improve optical power by forming a first electrode and a second electrode on the same plane. In a light emitting diodes with redistributed metal pad, a first semiconductor and second semiconductor layers(110,130) laminated on the substrate(100) are mesa-etched. The reflective layer(140) is formed on the upper side and the side in which the mesa etching is made. More than one second electrode is contacted on top of the reflective layer, while more than one first electrode is contacted with the semiconductor layer the contact. The first protective layer(Passivation)(300) is formed in the part excluding the contacted first and the second electrode. The first electrode is connected through the first electrode line to one first bonding pad. The second electrode is connected through the second electrode line to the second bonding pad. The first protective layer is formed by the double protective film which are identical each other or different. The second protective layer is formed in the rest of substrate excluding the first and the second bonding pad.
Abstract translation: 提供具有再分布金属焊盘的发光二极管，以通过在同一平面上形成第一电极和第二电极来提高光功率。 在具有再分布金属焊盘的发光二极管中，层压在基板（100）上的第一半导体层和第二半导体层（110,130）被台蚀。 反射层（140）形成在台面蚀刻的上侧和侧面。 多于一个第二电极在反射层的顶部接触，而多于一个的第一电极与半导体层接触。 在除了接触的第一和第二电极之外的部分中形成第一保护层（钝化）（300）。 第一电极通过第一电极线连接到一个第一接合焊盘。 第二电极通过第二电极线连接到第二接合焊盘。 第一保护层由彼此相同或不同的双重保护膜形成。 除了第一和第二接合焊盘之外，第二保护层形成在基板的其余部分中。
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公开(公告)号：KR1020100061081A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119962
申请日：2008-11-28
Applicant: 한국광기술원
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode including a fluorescent substance and a manufacturing method thereof are provided to shorten device manufacturing time by forming a sidewall fluorescence pattern layer and an upper side fluorescent layer on a single wafer. CONSTITUTION: A light-emitting structure includes a clad layer(22), an active layer(24), and a second clad layer(26). A sidewall fluorescence pattern layer(29) is arranged on the side of the light-emitting structure. An upper side fluorescence pattern layer is arranged on a light emitting part of the light-emitting structure. The upper side fluorescence pattern layer is separated from the sidewall fluorescence pattern layer. The sidewall fluorescence pattern layer is a mixture of a photoresist and the fluorescent substance.
Abstract translation: 目的：提供包含荧光物质的发光二极管及其制造方法，以通过在单个晶片上形成侧壁荧光图案层和上侧荧光层来缩短器件制造时间。 构成：发光结构包括覆层（22），有源层（24）和第二覆层（26）。 侧壁荧光图案层（29）布置在发光结构的侧面。 在发光结构的发光部上配置有上侧荧光图案层。 上侧荧光图案层与侧壁荧光图案层分离。 侧壁荧光图案层是光致抗蚀剂和荧光物质的混合物。
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公开(公告)号：KR100941766B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020070079741
申请日：2007-08-08
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/385 , H01L33/46 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016 , H01L2224/05599
Abstract: 본 발명은 패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판에 적층 된 제 1, 2반도체층에 메사 식각이 실행되는 제 1단계를 포함하고, 상기 메사 식각이 이루어진 상부면 및 측면에 반사층(Reflectot)이 형성되는 제 2단계를 포함하며, 상기 제 1반도체층에 하나 이상의 제 1전극이 컨택(contact)되고, 상기 반사층의 상부에 하나 이상의 제 2전극이 컨택(contact)되는 제 3단계를 포함한다. 그리고, 상기 컨택 된 제 1, 2전극을 제외한 부분에 제 1보호층(Passivation)이 형성되는 제 4단계를 포함하며, 상기 하나 이상의 제 1전극이 제 1전극 라인을 통해 하나의 제 1본딩 패드로 연결되고, 상기 하나 이상의 제 2전극이 제 2전극 라인을 통해 제 2본딩 패드로 연결되는 5단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 본딩 패드로 인한 발광 다이오드면의 손실이 감소하고, 전류 확산 효율이 증가한다.
반도체, 전극 라인, 본딩 패드, 보호막
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