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公开(公告)号：KR1020090056319A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123421
申请日：2007-11-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/04
Abstract: A nitride compound semiconductor light-emitting device with a super-lattice structure is provided to improve electrical characteristics with a complex process by forming p-type nitride clad layer having a super lattice at p-type semiconductor region. A semiconductor light emitting device comprises an undoped GaN semiconductor layer(101), an n-type nitride semiconductor layer(102), an active layer(103), and the p-type nitride semiconductor layer(104). A multi p-type nitride clad layer(105) having the supper-lattice structure is formed on the p-type nitride semiconductor, and the p-type nitride clad layer is made of the same material as the p-type nitride semiconductor layer. Each layer of multi-layer p-type nitride clad layers has different doping concentration.
Abstract translation: 提供具有超晶格结构的氮化物化合物半导体发光器件，通过在p型半导体区域形成具有超晶格的p型氮化物覆层，通过复杂工艺改善电特性。 半导体发光器件包括未掺杂的GaN半导体层（101），n型氮化物半导体层（102），有源层（103）和p型氮化物半导体层（104）。 在p型氮化物半导体上形成具有超晶格结构的多p型氮化物覆层（105），p型氮化物覆盖层由与p型氮化物半导体层相同的材料构成。 每层多层p型氮化物覆层具有不同的掺杂浓度。
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公开(公告)号：KR100888484B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070123420
申请日：2007-11-30
Applicant: 한국광기술원
Abstract: A method for growing nitride semiconductor thin film capable of growing high quality thin film on sapphire substrate through simple process is provided to improve quality of a nitride thin film by reforming a surface of a sapphire substrate by an ion injection process. A physical property of a substrate is changed by injecting an ion(120) of a gas on a patterned sapphire substrate(100). At least one or more nitride semiconductor layer is formed on the substrate. An electrode is formed on the nitride semiconductor layer. A surface patterning of the sapphire substrate is performed with one method selected among a photo lithography method, an electron beam lithography method, an extreme ultraviolet ray interference lithography method, and a nano imprinting method.
Abstract translation: 提供能够通过简单的工艺生长蓝宝石衬底上的高质量薄膜的氮化物半导体薄膜的制造方法，以通过离子注入工艺对蓝宝石衬底的表面进行重整来提高氮化物薄膜的质量。 通过在图案化蓝宝石衬底（100）上注入气体离子（120）来改变衬底的物理性质。 在衬底上形成至少一个或多个氮化物半导体层。 在氮化物半导体层上形成电极。 使用从光刻法，电子束光刻法，极紫外线干涉光刻法和纳米压印法中选择的一种方法来进行蓝宝石衬底的表面图案化。
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公开(公告)号：KR1020090001903A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070052277
申请日：2007-05-29
Applicant: 한국광기술원
Abstract: The photon determination emitting device and manufacturing method thereof are provided to form the photonic crystal pattern the transparent electrode between two doped layers and to prevent the deterioration of the electrical characteristic. The photon determination emitting device comprises the first doped layer(110) laminated on the substrate(100), the first electrode(150) laminated on the bottom surface mesa-etched in the one side of the first doped layer, the active layer(120) laminated on the part, the second doped layer(130) laminated to the grid structure on the top of the active layer, the transparent electrode(140) laminated on the protruded part of the second doped layer, and the second electrode(160), the first doped layer laminated on one side of the second doped layer. The active layer is the quantum-well layer(MQW). The substrate is the sapphire substrate.
Abstract translation: 提供光子确定发射器件及其制造方法以在两个掺杂层之间形成透明电极的光子晶体图案，并且防止电特性的恶化。 光子确定发射器件包括层叠在衬底（100）上的第一掺杂层（110），层压在第一掺杂层的一侧台面蚀刻的底表面上的第一电极（150），有源层 ）层叠在有源层顶部上的栅格结构的第二掺杂层（130），层叠在第二掺杂层的突出部分上的透明电极（140）和第二电极（160） ，所述第一掺杂层层压在所述第二掺杂层的一侧上。 有源层是量子阱层（MQW）。 衬底是蓝宝石衬底。
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公开(公告)号：KR101055695B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020080128671
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/30
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로 상부 클래드층에 인접한 부분에 AlInP과 u-AlGaInP 등으로 형성된 초격자(super-lattice) 구조를 포함하는 활성층을 형성하고, 다중 양자 장벽(MQW) 구조로 형성된 상부 클래드층을 형성한다.
본 발명에 의하면, 다중 양자 장벽 구조에 의해 전자들이 상부 클래드층으로 넘치는 현상(overflowing)을 억제하고, 초격자 구조에 의해 활성층으로 유입되는 홀(hole)의 효율을 향상시켜 전체적이 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킨다.
SL구조, MQB 구조, 활성층, 클래드층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101048595B1
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020080118281
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/10
Abstract: 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 구조체를 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 베이스 구조체를 형성하는 단계 및 상기 광반사 베이스 구조체의 측면을 덮는 광반사층을 형성하여 광반사 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
발광다이오드, 광반사 구조체, 광출력 효율, 광 직진성Abstract translation: 提供了一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括发光结构和光反射结构，所述发光结构包括第一包层，有源层和第二包层，所述光反射结构设置在距所述发光结构的至少一侧的一定距离处。 此外，制造发光二极管的方法包括：形成第一包层，有源层和具有从设置在所述发光结构的基板和在光反射基底结构上的包层结构和至少一个侧面和间隔开的所述第二发光 并且形成覆盖光反射基底结构的侧表面的光反射层以形成光反射结构。
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公开(公告)号：KR1020100070074A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128671
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/30
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode is provided to efficiently suppress the overflow generated when electrons are inputted to the upper clad layer by comprising a light emitting diode using an active layer of a super lattice structure and the upper clad layer of a quantum barrier layer. CONSTITUTION: A substrate is laminated on the upper side of the lower electrode. A buffer layer is laminated on the upper side of the substrate. A fist clad layer(130) is laminated on the upper side of the buffer layer and is made of the conductive material including an N type impurity. A second clad layer(150) is laminated on the upper side of the first clad layer and is made of the conductive material including a P type impurity. An active layer(140) forms the super lattice structure of a quantum barrier layer near a second clad layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造发光二极管的方法，以通过包括使用超晶格结构的有源层和量子阱的上包层的发光二极管来有效地抑制电子输入到上包层时产生的溢出 阻挡层。 构成：在下电极的上侧层压基板。 缓冲层层压在基板的上侧。 第一覆层（130）层叠在缓冲层的上侧，并由包含N型杂质的导电材料制成。 第二覆盖层（150）层压在第一覆盖层的上侧，并由包括P型杂质的导电材料制成。 活性层（140）在第二包覆层附近形成量子势垒层的超晶格结构。
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公开(公告)号：KR1020100062603A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121321
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국광기술원
Abstract: PURPOSE: An alternating current light emitting diode chip and a method for manufacturing the same are provided to effectively emit heat from a light emitting diode by filling metal with superior conductivity to the via hole of a substrate. CONSTITUTION: A buffer layer(102), a first semiconductor layer(104), an active layer(106) and a second semiconductor layer(108) are formed on the upper side of a first substrate. A reflective film is formed on a part of the second semiconductor layer. A part of the first semiconductor layer is exposed through the second semiconductor layer excluding the reflective film by mesa-etching. An insulator(114) is deposited on the second semiconductor layer excluding the reflective film. A first electrode is deposited on the part of the first semiconductor layer on which the insulator is not deposited. Bonding metal is deposited on the reflective film and the upper part of the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种交流发光二极管芯片及其制造方法，以通过向衬底的通孔填充具有优良导电性的金属来有效地从发光二极管发射热量。 构成：在第一基板的上侧形成缓冲层（102），第一半导体层（104），有源层（106）和第二半导体层（108）。 反射膜形成在第二半导体层的一部分上。 第一半导体层的一部分通过台面蚀刻而不包括反射膜的第二半导体层露出。 绝缘体（114）沉积在除了反射膜之外的第二半导体层上。 第一电极沉积在其上不沉积绝缘体的第一半导体层的部分上。 接合金属沉积在反射膜和第一电极的上部。
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公开(公告)号：KR100926789B1
公开(公告)日：2009-11-13
申请号：KR1020070117862
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 이중포토레지스트를 이용한 그의 제조방법에 관한 것으로 제 1 기판 상부에 발광 소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 상부에 포토레지스트를 증착하고 상기 포토레지스트 및 발광 소자의 상부에 반사막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사막의 상부에 포토레지스트를 증착하는 단계를 포함한다. 그리고, 상기 포토레지스트의 상부에 제 2기판을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1기판 및 포토레지스트를 제거하고, 상기 발광 소자 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 이중으로 포토레지스트를 증착한 후, 플레이팅 방법을 통해 금속 기판을 성장하여 본딩을 진행함으로써, 기판의 휘어짐 현상을 방지하며 후속 공정 진행 시 기판 혹은 발광 소자의 파손을 방지함에 따라 공정시간을 단축하고 안정적인 전기적, 열적 특성을 갖는 수직형 발광 소자를 구현할 수 있다.
수직형, 이중포토레지스트, 플레이팅 방법-
公开(公告)号：KR100907223B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070066714
申请日：2007-07-03
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체층이 적층된 발광다이오드 상부에 본딩 금속층을 매개로 접합되고, 내부에 금속으로 충진되어 발광다이오드를 외부와 전기적으로 소통시키는 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 포함한다. 이러한 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, 기판 위에 개별소자로 형성된 발광다이오드 상부에 금속으로 충진된 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 접합하는 단계와, 상기 기판을 제거하고 세라믹 기판이 접합된 발광다이오드 개별소자를 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 발광 다이오드 상부에 도전성 기판 대신 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 장착함으로써 가격대비 열전도율이 매우 우수하고, 질화갈륨 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수를 최소화함으로써 소자의 신뢰성이 향상된 발광 다이오드를 얻을 수 있는 효과가 있다.
발광다이오드, 반도체층, 비아홀, 세라믹, 질화갈륨, 열팽창 계수
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