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公开(公告)号：KR1020140079115A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148729
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/04 , H01L33/486 , H01L33/52
Abstract: The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device comprises: a PCB substrate on which an electrode connection part is formed; an LED chip of which an electrode formation surface is arranged toward the PCB substrate; and a fluorescent body layer formed on a substrate of the LED chip. According to the present invention, a space, needed for mounting the LED chip on the PCB substrate on which the electrode connection part is formed, is small. Therefore, a package can: have a large capacity; be miniaturized; and reduce the power consumption.
Abstract translation: 发明装置及其制造方法技术领域本发明涉及发光装置及其制造方法。 发光器件包括：PCB基板，其上形成有电极连接部分; 将其电极形成面朝向PCB基板配置的LED芯片; 以及形成在所述LED芯片的基板上的荧光体层。 根据本发明，在形成有电极连接部的PCB基板上安装LED芯片所需的空间很小。 因此，包装可以：具有大容量; 小型化; 并降低功耗。
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公开(公告)号：KR100959163B1
公开(公告)日：2010-05-24
申请号：KR1020070097545
申请日：2007-09-27
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 자외선 발광소자의 투명전극을 Ni/Au 또는 ITO 막 대신에 은 (Ag) 을 포함하는 물질로 함으로써, 높은 광투과성 및 높은 휘도를 갖는 자외선 발광소자를 얻을 수 있다. 기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층, 투명전극을 포함하는 자외선 발광소자로서, 상기 투명전극은 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질인, 자외선 발광소자가 제공된다.
자외선 발광소자, 투명전극, 은 (Ag)-
公开(公告)号：KR100916297B1
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020070123419
申请日：2007-11-30
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 발광소자에 있어서 내부에 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 방법 및 그러한 p형 화합물 반도체층을 가지는 화합물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 n형 화합물 반도체층 및 활성층을 순차로 형성하는 단계 및 반응온도, 반응시간, 반응가스의 유입량 및 p형 불순물 원료 소스의 유입량을 조절하여 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 화합물 반도체 발광소자를 제조함에 있어서, 최상위의 p형 반도체층의 일면을 비평면층으로 패터닝하여 광추출 효율을 높임과 동시에 에피 박막층의 증착공정의 단일 공정을 통해 비평면층을 형성시킬 수 있어 공정상 경제적이므로 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
화합물 반도체, 발광소자, 비평면, p형 화합물 반도체층, 에피 박막층-
公开(公告)号：KR1020090051456A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070117857
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 제 1기판의 상부에 패터닝 된 접합물질 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 1반도체부와 제 2기판의 상부에 발광 소자 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 2반도체부의 각 본딩금속을 접합한 후 상기 제 2기판, 접합물질 및 제 1기판을 제거하여 발광 소자 칩을 형성한다.
본 발명에 의하면 수직형 발광 소자 제조시 기판 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 기판의 휘어짐을 방지하고, 기판 접합에 사용되는 기판을 제거함으로써 질화갈륨(GaN)만으로 구성된 수직형 발광 소자를 제조하여 고휘도의 수직형 발광 소자를 제조할 수 있다.
수직형 발광 소자, 사파이어기판, 패터닝된 접합물질-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100898819B1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070091636
申请日：2007-09-10
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 LED 구동회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수동 소자만으로 구성된 AD/DC 변환회로, 전압 및 전류 제어회로, 및 온도 보상회로를 포함하는 LED 구동회로에 관한 것이다.
LED 구동 전원을 변환시키는 AD/DC 변환회로의 동작 여부를 결정하는 제1스위칭 소자, 상기 제1스위칭 소자를 온(on) 또는 오프(off) 시키는 트랜지스터로 이루어지는 제2스위칭 소자, 및 상기 제2스위칭 소자의 컬렉터(collector)단과 베이스(base)단 사이에 연결되며 온도에 따라 그 저항값이 현격하게 변동하는 서미스터를 포함하는, LED 구동회로가 제공된다.
LED, 온도 보상, 서미스터, 수동 소자-
公开(公告)号：KR1020090048138A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070114367
申请日：2007-11-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 패턴화된 유전체 막이 증착되어 있는 기판 상에 질화물 박막층을 성장시킴으로써, 박막층 내의 결정결함과 응력이 최소화되는 질화물계 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
실리콘 기판, 소정의 형상으로 패턴화된 유전체 막으로서, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 유전체 막, 및 상기 패턴화된 유전체 막이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 질화물 박막층을 포함하는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법이 제공된다.
실리콘 기판, 갈륨 질화물, 유전체 막, 결함, 응력-
公开(公告)号：KR1020090047285A
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：KR1020070113369
申请日：2007-11-07
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H05B33/086 , H05B33/0806 , H05B33/0818
Abstract: LED (Light Emitting Diode)의 색온도 제어를 위한 색온도 제어 PWM 신호, 및 상기 색온도 제어 PWM 신호의 R, G, B 비율에 따라 결정되는 상기 LED의 구동전류의 양에 대응하는 LED 구동의 전원 제어를 위한 전원 제어 PWM 신호를 출력하는 마이크로컨트롤러, 및 상기 마이크로컨트롤러로부터의 전원 제어 PWM 신호를 수신하여 LED 구동을 위한 전원 회로를 제어하는 PWM 제어부를 포함하는 발광 다이오드의 색온도 제어 장치 및 제어 방법이 제공된다.
LED, 색온도, 전원 제어, 휘도, SMPS-
公开(公告)号：KR100886821B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070052277
申请日：2007-05-29
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 및 제조방법에 관한 것으로 기판의 상부에 적층되는 제 1도핑층을 포함하고, 상기 제 1도핑층 일측에 메사 식각 된 저면에 적층되는 제 1전극을 포함하며, 상기 제 1도핑층의 식각되지 않은 부분의 상부에 적층되는 활성층을 포함한다. 그리고, 상기 활성층의 상부에 격자구조로 적층되는 제 2도핑층을 포함하며, 상기 제 2도핑층의 돌출된 부분에 적층되는 투명전극을 포함하고, 상기 투명전극이 적층 된 제 2도핑층의 일측에 적층되는 제 2전극을 포함한다. 본 발명에 의하면, 투명전극과 제 2도핑층을 동시에 식각함에 따라 플리즈마 식각에 대한 데미지를 방지하여 전기적 특성을 향상시키고, 스카라이브레인(scribe lane) 상에 격자구조를 형성하여 발광 소자의 광추출 효율을 증가시킨다.
발광소자, 투명전극, 메사 식각, 격자구조-
公开(公告)号：KR1020090015448A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070079767
申请日：2007-08-08
Applicant: 한국광기술원
IPC: F21S2/00
CPC classification number: F21K9/27 , F21K9/62 , F21K9/65 , F21S2/005 , F21V19/02 , F21Y2107/40 , F21Y2115/10
Abstract: A LED lamp used as a fluorescent lamp, a method for manufacturing the same and a luminous intensity distribution thereof are provided to improve an emitting efficiency by controlling distribution light according to an angle of light emission of a light emitting diode. A LED for a fluorescent lamp includes a first LED light-emitting part(310) and a second LED light-emitting part(320). The first LED light-emitting part is made of a frame which has one or more light emitting diodes(300) and is positioned in the front of a lamp. The second LED light-emitting part is made of a frame which has one or more light emitting diodes and is positioned at the sides of the first LED light-emitting part. The angle of the second LED light-emitting part is adjustable. A LED for a fluorescent lamp further includes a distribution part(330) to spread the light emitted from the first LED light-emitting part. The light emitted from the second light emitting diode with the angle adjustment is reflected by a reflecting body(340).
Abstract translation: 提供了用作荧光灯的LED灯，其制造方法和发光强度分布，以通过根据发光二极管的发光角度控制分配光来提高发光效率。 用于荧光灯的LED包括第一LED发光部（310）和第二LED发光部（320）。 第一LED发光部由具有一个或多个发光二极管（300）并位于灯前部的框架制成。 第二LED发光部由具有一个或多个发光二极管并位于第一LED发光部分的侧面的框架制成。 第二LED发光部的角度是可调节的。 用于荧光灯的LED还包括用于展开从第一LED发光部分发射的光的分配部分（330）。 由第二发光二极管以角度调节发出的光被反射体（340）反射。
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