가변형 조명장치
    1.
    发明授权
    가변형 조명장치 有权
    可变照明装置

    公开(公告)号:KR101815364B1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:KR1020160004870

    申请日:2016-01-14

    Abstract: 본발명은인테리어조명으로변형과절곡을통해배광패턴과, 빛의세기조절및 조명장치의형상변형이가능한가변형조명장치를제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은브라켓에대칭으로회동가능하게설치된복수의베이스부와, 상기베이스부에설치되어빛을발광하는광원부를구비한광원모듈; 및상기광원모듈의베이스부가회동가능하게설치되고, 상기베이스부의일부와치합하는걸림돌기를구비하여상기베이스부가임의의위치에서고정되도록지지하는브라켓을포함한다. 따라서본 발명은인테리어조명으로써변형과절곡을통해조명장치의배광패턴과, 빛의세기조절및 조명장치의형상변형이가능한장점이있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种可变照明装置,其能够通过利用内部光线的变形和弯曲来调节配光图案,光的强度和照明装置的形状。 为此,本发明提供了一种光源模块,包括:可旋转地安装在支架上的多个基部;以及安装在基部上并发光的光源模块; 以及托架,用于支撑光源模块的基部以便可旋转并且具有用于与基部的一部分配合的锁定突起,使得基部固定在任意位置。 因此,本发明的优点在于,通过内部照明的变形和弯曲,照明设备的光分布图案,光的强度和照明设备的形状可以变形。

    모듈형 LED 조명장치
    2.
    发明授权
    모듈형 LED 조명장치 有权
    模块化LED照明系统

    公开(公告)号:KR101784592B1

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:KR1020160027037

    申请日:2016-03-07

    Abstract: 본발명은 LED를광원으로하는모듈형 LED 조명장치에관한것으로서특히, 소정개수의충전이가능한 LED 모듈을작업등에장착하여각 LED 모듈별로 on/off제어가가능하고, 작업등에서 LED 모듈을인출하여 LED 모듈을개별적으로휴대하며사용할수 있는모듈형 LED 조명장치에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用LED作为光源的模块化LED照明装置,更具体地涉及通过将预定数量的可充电LED模块附接到工件等来对每个LED模块进行开/关控制的LED模块, 适用于独立于LED模块可以携带和使用的模块化LED照明设备。

    플렉시블 LED 조명용 모듈 및 평판 디스플레이 장치
    4.
    发明授权
    플렉시블 LED 조명용 모듈 및 평판 디스플레이 장치 失效
    可闪烁的发光二极管平板显示器

    公开(公告)号:KR101082990B1

    公开(公告)日:2011-11-11

    申请号:KR1020090068492

    申请日:2009-07-27

    Abstract: 본발명은플렉시블 LED 조명용모듈및 평판디스플레이장치에관한것으로, 플렉시블한기판에다수개의고체발광소자인 LED(GaN LED계열;이하발광다이오드)를구현함에따라, 기존의유기발광소자(OLED)를사용한플렉시블평판디스플레이에비하여휘도가높고내구성이향상된평판디스플레이를구현할수 있다. 또한, 본발명에의하면, 다수개의발광다이오드를하나의플렉시블기판에형성함에따라보관성및 휴대성이향상되며, 상하부기판에형성한전기적패턴에의해터치구현에의한동작도가능하다. 게다가, 서로다른광원인 R/G/B 발광다이오드를사용하여백색광을구현하거나, 청색발광다이오드에형광물질을도포하여백색광을구현하여플렉서블한형태가구현가능한조명용모듈을구현할수 있다.

    ESD 보호기능을 포함하는 수직형 발광소자 및 그의 제조방법
    5.
    发明授权
    ESD 보호기능을 포함하는 수직형 발광소자 및 그의 제조방법 失效
    具有防腐蚀功能的垂直发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101041436B1

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:KR1020090001886

    申请日:2009-01-09

    Abstract: 본 발명은 ESD 보호기능을 포함하는 수직형 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 수직형 발광소자 중 제 1클래드층, 활성층, 제 2클래드층의 내부 또는 측면에 역전압 ESD(Elestrostatic Discharde; 정전기 파괴) 특성을 개선하여 보호하는 기능을 하는 바리스터(Varistor)를 형성한다.
    본 발명에 의하면, 수천 볼트의 정전기 발생 시 발광소자에 직적접인 충격이 가해지지 않고 바리스터를 이루는 투명 반도체 저항층으로 정전기가 도통되어 발광 소자의 신뢰성을 향상시키며, 투명 반도체 저항층이 빛에 대해 투명한 특성을 나타내어 발광 소자에서 방사되는 빛을 간섭하지 않기 때문에 전체 수직형 발광소자의 발광 특성을 향상시킨다.
    ESD 보호, 수직형 발광소자, 바리스타(Varistor)

    발광소자 및 그의 제조방법
    6.
    发明授权
    발광소자 및 그의 제조방법 有权
    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101020473B1

    公开(公告)日:2011-03-08

    申请号:KR1020080118295

    申请日:2008-11-26

    Abstract: 발광소자 및 그의 제조방법이 제공된다. 발광소자는 베이스 기판 상에 위치되며, 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들 및 돌출부들 사이의 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층, 하부 버퍼 패턴층의 돌출부들 및 홈들 상부에 형성된 제1 클래드층, 제1 클래드층 상에 형성된 활성층 및 활성층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 발광소자 제조방법은 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층을 패터닝하여 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계, 하부 버퍼 패턴층 상에 제1 클래드층을 성장시키는 단계, 제1 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 활성층 상에 제2 클래드층을 성장시키는 단계를 포함한다.
    발광소자, 보이드, 하부 버퍼 패턴층, 단결정 기판, 돌출부, 홈

    발광소자 및 그의 제조방법
    7.
    发明公开
    발광소자 및 그의 제조방법 有权
    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100059499A

    公开(公告)日:2010-06-04

    申请号:KR1020080118295

    申请日:2008-11-26

    Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacture method thereof are provided to form a single crystal layer having the low defect density by preventing defect propagating from a base substrate vertically with a void. CONSTITUTION: A lower part buffer pattern layer(13) is located on a base substrate(11). The lower part buffer pattern layer comprises a groove between protrusions and a plurality of protrusions. A first clad layer(21) is formed on the top of the protrusion and the groove of the lower part buffer pattern layer. An active layer(22) is formed on the first clad layer. A second clad layer(23) is formed on the active layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种发光器件及其制造方法,以通过防止从空穴中垂直向基底衬底传播的缺陷来形成具有低缺陷密度的单晶层。 构成:下部缓冲图案层(13)位于基底(11)上。 下部缓冲图案层包括在突起和多个突起之间的凹槽。 第一覆盖层(21)形成在突起的顶部和下部缓冲图案层的凹槽上。 在第一包层上形成有源层(22)。 在有源层上形成第二覆层(23)。

    은계를 투명전극으로 하는 자외선 발광소자
    8.
    发明授权
    은계를 투명전극으로 하는 자외선 발광소자 有权
    Ag系列紫外线发光二极管的透明金属

    公开(公告)号:KR100959163B1

    公开(公告)日:2010-05-24

    申请号:KR1020070097545

    申请日:2007-09-27

    Abstract: 자외선 발광소자의 투명전극을 Ni/Au 또는 ITO 막 대신에 은 (Ag) 을 포함하는 물질로 함으로써, 높은 광투과성 및 높은 휘도를 갖는 자외선 발광소자를 얻을 수 있다. 기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층, 투명전극을 포함하는 자외선 발광소자로서, 상기 투명전극은 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질인, 자외선 발광소자가 제공된다.
    자외선 발광소자, 투명전극, 은 (Ag)

    비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법 및 화합물 반도체발광소자의 제조방법
    9.
    发明授权
    비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법 및 화합물 반도체발광소자의 제조방법 失效
    制造具有非平面表面的P型复合半导体的方法和使用该化合物的化合物半导体发光装置的方法

    公开(公告)号:KR100916297B1

    公开(公告)日:2009-09-10

    申请号:KR1020070123419

    申请日:2007-11-30

    Abstract: 본 발명은 발광소자에 있어서 내부에 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 방법 및 그러한 p형 화합물 반도체층을 가지는 화합물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 n형 화합물 반도체층 및 활성층을 순차로 형성하는 단계 및 반응온도, 반응시간, 반응가스의 유입량 및 p형 불순물 원료 소스의 유입량을 조절하여 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
    본 발명에 따르면 화합물 반도체 발광소자를 제조함에 있어서, 최상위의 p형 반도체층의 일면을 비평면층으로 패터닝하여 광추출 효율을 높임과 동시에 에피 박막층의 증착공정의 단일 공정을 통해 비평면층을 형성시킬 수 있어 공정상 경제적이므로 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
    화합물 반도체, 발광소자, 비평면, p형 화합물 반도체층, 에피 박막층

    수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법
    10.
    发明公开
    수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법 无效
    垂直结构发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090051456A

    公开(公告)日:2009-05-22

    申请号:KR1020070117857

    申请日:2007-11-19

    Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 제 1기판의 상부에 패터닝 된 접합물질 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 1반도체부와 제 2기판의 상부에 발광 소자 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 2반도체부의 각 본딩금속을 접합한 후 상기 제 2기판, 접합물질 및 제 1기판을 제거하여 발광 소자 칩을 형성한다.
    본 발명에 의하면 수직형 발광 소자 제조시 기판 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 기판의 휘어짐을 방지하고, 기판 접합에 사용되는 기판을 제거함으로써 질화갈륨(GaN)만으로 구성된 수직형 발광 소자를 제조하여 고휘도의 수직형 발광 소자를 제조할 수 있다.
    수직형 발광 소자, 사파이어기판, 패터닝된 접합물질

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