Abstract:
본발명은 LED를광원으로하는모듈형 LED 조명장치에관한것으로서특히, 소정개수의충전이가능한 LED 모듈을작업등에장착하여각 LED 모듈별로 on/off제어가가능하고, 작업등에서 LED 모듈을인출하여 LED 모듈을개별적으로휴대하며사용할수 있는모듈형 LED 조명장치에관한것이다.
Abstract:
본발명은 LED를광원으로하는모듈형 LED 조명장치에관한것으로서특히, 소정개수의충전이가능한 LED 모듈을작업등에장착하여각 LED 모듈별로 on/off제어가가능하고, 작업등에서 LED 모듈을인출하여 LED 모듈을개별적으로휴대하며사용할수 있는모듈형 LED 조명장치에관한것이다.
Abstract:
본 발명은 ESD 보호기능을 포함하는 수직형 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 수직형 발광소자 중 제 1클래드층, 활성층, 제 2클래드층의 내부 또는 측면에 역전압 ESD(Elestrostatic Discharde; 정전기 파괴) 특성을 개선하여 보호하는 기능을 하는 바리스터(Varistor)를 형성한다. 본 발명에 의하면, 수천 볼트의 정전기 발생 시 발광소자에 직적접인 충격이 가해지지 않고 바리스터를 이루는 투명 반도체 저항층으로 정전기가 도통되어 발광 소자의 신뢰성을 향상시키며, 투명 반도체 저항층이 빛에 대해 투명한 특성을 나타내어 발광 소자에서 방사되는 빛을 간섭하지 않기 때문에 전체 수직형 발광소자의 발광 특성을 향상시킨다. ESD 보호, 수직형 발광소자, 바리스타(Varistor)
Abstract:
발광소자 및 그의 제조방법이 제공된다. 발광소자는 베이스 기판 상에 위치되며, 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들 및 돌출부들 사이의 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층, 하부 버퍼 패턴층의 돌출부들 및 홈들 상부에 형성된 제1 클래드층, 제1 클래드층 상에 형성된 활성층 및 활성층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 발광소자 제조방법은 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층을 패터닝하여 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계, 하부 버퍼 패턴층 상에 제1 클래드층을 성장시키는 단계, 제1 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 활성층 상에 제2 클래드층을 성장시키는 단계를 포함한다. 발광소자, 보이드, 하부 버퍼 패턴층, 단결정 기판, 돌출부, 홈
Abstract:
PURPOSE: A light emitting device and a manufacture method thereof are provided to form a single crystal layer having the low defect density by preventing defect propagating from a base substrate vertically with a void. CONSTITUTION: A lower part buffer pattern layer(13) is located on a base substrate(11). The lower part buffer pattern layer comprises a groove between protrusions and a plurality of protrusions. A first clad layer(21) is formed on the top of the protrusion and the groove of the lower part buffer pattern layer. An active layer(22) is formed on the first clad layer. A second clad layer(23) is formed on the active layer.
Abstract:
자외선 발광소자의 투명전극을 Ni/Au 또는 ITO 막 대신에 은 (Ag) 을 포함하는 물질로 함으로써, 높은 광투과성 및 높은 휘도를 갖는 자외선 발광소자를 얻을 수 있다. 기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층, 투명전극을 포함하는 자외선 발광소자로서, 상기 투명전극은 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질인, 자외선 발광소자가 제공된다. 자외선 발광소자, 투명전극, 은 (Ag)
Abstract:
본 발명은 발광소자에 있어서 내부에 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 방법 및 그러한 p형 화합물 반도체층을 가지는 화합물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 n형 화합물 반도체층 및 활성층을 순차로 형성하는 단계 및 반응온도, 반응시간, 반응가스의 유입량 및 p형 불순물 원료 소스의 유입량을 조절하여 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 화합물 반도체 발광소자를 제조함에 있어서, 최상위의 p형 반도체층의 일면을 비평면층으로 패터닝하여 광추출 효율을 높임과 동시에 에피 박막층의 증착공정의 단일 공정을 통해 비평면층을 형성시킬 수 있어 공정상 경제적이므로 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 화합물 반도체, 발광소자, 비평면, p형 화합물 반도체층, 에피 박막층
Abstract:
본 발명은 수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 제 1기판의 상부에 패터닝 된 접합물질 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 1반도체부와 제 2기판의 상부에 발광 소자 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 2반도체부의 각 본딩금속을 접합한 후 상기 제 2기판, 접합물질 및 제 1기판을 제거하여 발광 소자 칩을 형성한다. 본 발명에 의하면 수직형 발광 소자 제조시 기판 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 기판의 휘어짐을 방지하고, 기판 접합에 사용되는 기판을 제거함으로써 질화갈륨(GaN)만으로 구성된 수직형 발광 소자를 제조하여 고휘도의 수직형 발광 소자를 제조할 수 있다. 수직형 발광 소자, 사파이어기판, 패터닝된 접합물질