公开(公告)号：KR1020080052254A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070063121

申请日：2007-06-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 박종혁 ,  김은경 ,  문승언 ,  이홍열 ,  박강호 ,  김종대 ,  김규태 ,  이강호 ,  이성민

IPC: H01L41/08 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B41J2/14314 ,  F03G7/005 ,  Y10T428/25

Abstract: A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.

Abstract translation: 提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层（100）包括第一层（110），其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层（120），其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5，第二纳米颗粒可以是碳纳米管。

公开(公告)号：KR1020080052230A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070054905

申请日：2007-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성규 ,  김혜진 ,  박강호 ,  김종대

IPC: B81B7/02

Abstract: An interdigitated electrode structure for an electronic device and an electronic device using the same are provided to simplify processes compared to a general electronic device having different electrodes in the upper and the lower part. An interdigitated electrode structure for an electronic device comprises a plurality of positive electrodes(32) and a plurality of negative electrodes(33). The positive electrodes and the negative electrodes are arranged in a radial direction and interdigitated to be electrically insulated from each other.

Abstract translation: 提供一种用于电子设备的交叉指状电极结构和使用其的电子设备，以简化与上部和下部具有不同电极的通用电子设备相比的处理。 一种用于电子器件的叉指电极结构包括多个正电极（32）和多个负极（33）。 正极和负极沿径向布置并且互相指定以彼此电绝缘。

公开(公告)号：KR1020080041975A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：KR1020070053741

申请日：2007-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최낙진 ,  이정현 ,  박강호 ,  이효영 ,  이형근 ,  김종대

IPC: C08G64/02 ,  C08G64/20 ,  C08G64/40 ,  C08J3/00

Abstract: A method for producing a highly stable polymer actuator is provided to allow the use of a polymer actuator at a low temperature and even after treatment at an extremely high temperature. A method for producing a highly stable polymer actuator comprises: a step(S11) of preparing an ionic polymer/metal composite comprising metal electrodes plated on both surfaces of a conductive polymer membrane; a step(S12) of removing water from the conductive polymer membrane of the ionic polymer/metal composite; and a step(S13) of swelling the ionic polymer/metal composite in a polar solvent having a higher boiling point and a lower freezing point than water. The polar solvent includes propylene carbonate.

Abstract translation: 提供了一种制造高度稳定的聚合物致动器的方法，以允许在低温下甚至在极高温度下处理之后使用聚合物致动器。 制造高度稳定的聚合物致动器的方法包括：制备离子聚合物/金属复合物的步骤（S11），其包含镀在导电聚合物膜的两个表面上的金属电极; 从离子型聚合物/金属复合体的导电性聚合物膜除去水的工序（S12） 和在具有比水高的沸点和低冰点的极性溶剂中使离子聚合物/金属复合物膨胀的步骤（S13）。 极性溶剂包括碳酸亚丙酯。

公开(公告)号：KR100820182B1

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：KR1020070054562

申请日：2007-06-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최낙진 ,  정민경 ,  박강호 ,  이효영 ,  김종대

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0046 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02603 ,  Y10S977/887

Abstract: A method for fabricating a nano wire device using nano imprinting lithography is provided to reduce an interval of fabrication time of a nano wire device by forming a pattern only once. An insulation layer(20) is formed on a substrate(10). A nano wire solution including a nano wire(60) is deposited on the insulation layer wherein a plurality of nano wires and an organic solvent can be mixed in the nano wire solution. Photoresist is formed on the resultant structure. The photoresist is stamped by using a nano imprinting stamp having a pattern of a nano size. A metal layer for a metal electrode is deposited on the stamped photoresist. The photoresist remaining on the insulation layer is removed by a lift-off process.

Abstract translation: 提供使用纳米压印光刻制造纳米线器件的方法，通过仅形成一次图案来减少纳米线器件的制造时间的间隔。 绝缘层（20）形成在基板（10）上。 包括纳米线（60）的纳米线溶液沉积在绝缘层上，其中可以在纳米线溶液中混合多根纳米线和有机溶剂。 在所得结构上形成光刻胶。 通过使用具有纳米尺寸图案的纳米压印印模冲压光致抗蚀剂。 用于金属电极的金属层沉积在冲压的光致抗蚀剂上。 通过剥离工艺除去残留在绝缘层上的光致抗蚀剂。

公开(公告)号：KR1020060065430A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050034396

申请日：2005-04-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  김은경 ,  이성규

IPC: G11B9/12 ,  G11B9/14

CPC classification number: G11B7/1387 ,  G02B6/241 ,  G02B6/262 ,  G02B6/32

Abstract: 본 발명은 근접장 광 기록(Near Field Recording; NFR) 방식으로 고밀도의 광 정보를 기록 및 재생하기 위한 광섬유 조명계, 광섬유 조명계의 제작 방법, 광섬유 조명계를 구비하는 광 기록 헤드, 및 광 기록 및 재생 장치에 관한 것이다. 광섬유 조명계는 광이 입사되는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 클래드로 이루어지며, 일측 종단에 경사면으로 이루어진 미러가 형성된 광섬유와, 상기 미러에 반사된 광을 집속하기 위해 상기 광섬유의 외측면에 형성된 렌즈를 포함한다. 광 조사 및 검출을 위한 광학적 구조가 종래보다 개선되어 광 입력 제어 및 제작이 용이하고, 어레이 형태로 배열이 용이하다. 상기 광섬유 조명계를 이용하여 광 기록 헤드 및 다중 개구탐침을 구비하는 어레이 형태의 광 기록 및 재생 장치를 구성하면 구조가 간단하고 부피가 적어 소형화가 가능하며, 잡음 대 신호비가 매우 높고 고밀도의 광 정보를 매우 빠른 속도로 기록 및 재생할 수 있다.
광섬유 조명계, 근접장, 개구탐침, 피에조 레지스트, 압전구동기

公开(公告)号：KR100501893B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020020070716

申请日：2002-11-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성규 ,  송기봉 ,  박강호 ,  김준호 ,  김은경 ,  박기환 ,  염우섭

IPC: G01N13/16

CPC classification number: G01Q60/32

Abstract: 본 발명은 표면 형상 측정을 위한 Z 방향 구동기를 사용함에 있어서, 하나의 구동기로 표면 높이를 추종하는 역할과 켄티레버를 그 고유진동수로 가진하는 역할을 동시에 할 수 있는 비접촉식 측정 장치 및 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, X축 및 Y축 방향으로 이동하는 샘플과 일정 거리를 유지하면서 상기 샘플의 표면 형상을 자신의 공진 주파수의 진폭의 변화를 통해 센싱하는 센싱부; 상기 센싱부를 통해 센싱된 신호를 주파수 형태의 제1신호로 변환하여 출력하는 주파수 변환부; 상기 제1신호와 주파수 발생부로부터 출력되는 제2신호를 합성하는 주파수 합성부-상기 제2신호는 상기 공진 주파수와 동일하며 상기 제1신호에 비해 고주파임; 및 상기 합성된 신호 중 상기 제1신호에 응답하여 상기 센싱수단을 Z축 방향으로 구동시키며, 상기 센싱수단이 상기 제2신호에 선택적으로 동작하도록 하기 위해 상기 센싱수단에 상기 합성된 신호를 제공하는 구동부를 포함하는 비접촉식 측정 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100497419B1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020020082855

申请日：2002-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  송기봉 ,  김은경 ,  김준호 ,  이성규

IPC: G11B11/08

CPC classification number: G11B11/002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04

Abstract: 본 발명에 따른 정보저장매체는 기판, 다수의 하부 전극선, 다수의 상부 전극선, 및 정보 기록층을 포함한다. 여기서, 다수의 하부 전극선은 기판 상에 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열되며, 다수의 상부 전극선은 다수의 하부 전극선과 교차하며, 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열된다. 정보 기록층은 하부 전극선과 상부 전극선 사이의 교차점에 셀을 형성하여 매트릭스 구조를 갖는 정보 기록층을 포함하며, 여기서 셀의 결정 상태는 상기 셀을 형성하는 상기 하부 전극선과 상기 상부 전극선에 인가되는 전압의 차이에 따라 비정질 상태 또는 결정 상태로 형성된다.
본 발명에 따른 정보저장매체에서는 상기 정보 기록층의 셀의 초기 상태가 결정(crystal) 상태 또는 비정질(amorphous) 상태이며, 전기적인 가열에 의해 상기 두 상태 중 하나에서 다른 하나로 변환된다. 상기 셀이 결정 상태일 경우와 비정질 상태일 경우의 입사 광에 대한 반사율이 상이하므로, 이러한 성질을 이용하여 상기 정보저장매체에 기록된 정보를 재생할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040056274A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：KR1020020082855

申请日：2002-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  송기봉 ,  김은경 ,  김준호 ,  이성규

IPC: G11B11/08

CPC classification number: G11B11/002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04

Abstract: PURPOSE: A data storage media and an optical system using the data storage media are provided to record or regenerate data at or from the data storage media using a matrix type electric circuit mechanism. CONSTITUTION: The media comprises plural lower electrode lines(120), plural upper electrode lines(140), and a data record layer(130). The plural lower electrode lines(120) are equidistantly and in parallel arranged on a transistor. The plural upper electrode lines(140) are also equidistantly and in parallel arranged on a transistor while they cross the plural lower electrode lines(120). The data record layer(130) includes cells formed between the plural lower electrode lines(120) and plural upper electrode lines(140). The overall surface is covered with a silicon oxide film. The transistor actively controls the current amount supplied for the each cell.

Abstract translation: 目的：提供使用数据存储介质的数据存储介质和光学系统，以使用矩阵型电路机制在数据存储介质上记录或重新生成数据。 构成：介质包括多个下电极线（120），多个上电极线（140）和数据记录层（130）。 多个下电极线（120）在晶体管上等距并联。 多个上电极线（140）在等离子体并排配置在晶体管上同时跨越多个下电极线（120）。 数据记录层（130）包括形成在多个下电极线（120）和多个上电极线（140）之间的单元。 整个表面被氧化硅膜覆盖。 晶体管主动地控制为每个单元提供的电流量。

公开(公告)号：KR100436292B1

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1020010074731

申请日：2001-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  김정용 ,  박강호

IPC: G11B11/26

CPC classification number: G11B7/1387 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/22 ,  Y10S29/016 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49165

Abstract: A method of manufacturing a head for recording and reading optical data. The method includes: providing a silicon substrate on which a silicon oxide film and a silicon deposition layer are stacked; etching the bottom of the silicon substrate by a given depth to form an opening; forming an aperture having a given slant angle in the silicon deposition layer located on the opening; etching the portion of the silicon oxide film, exposed through the opening; forming a dielectric layer on the silicon deposition layer including the aperture; removing an exposed portion of the bottom of the silicon deposition layer by a given thickness to expose a portion of the dielectric layer, forming a probe on the exposed portion of the dielectric layer and the silicon deposition layer exposed through the opening; and burying the aperture with a non-linear material.

Abstract translation: 制造用于记录和读取光学数据的磁头的方法。 该方法包括：提供其上堆叠有氧化硅膜和硅沉积层的硅基板; 将硅衬底的底部蚀刻给定深度以形成开口; 在位于开口上的硅沉积层中形成具有给定倾斜角的孔; 蚀刻通过开口暴露的部分氧化硅膜; 在包括所述孔的所述硅沉积层上形成电介质层; 将所述硅沉积层的底部的暴露部分移除给定厚度以暴露所述介电层的一部分;在所述介电层的所述暴露部分上形成探针并且通过所述开口暴露所述硅沉积层; 并用非线性材料掩埋孔径。

公开(公告)号：KR100171023B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950053645

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  하정숙 ,  이일항

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 금속박막을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 초고진공내에서 계면활성제로서 Sb나 As을 이용하여 Si과 같은 반도체 기판 위에 균일하게 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판으로 사용될 반도체 단결정을 깨끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.