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公开(公告)号：KR1019950002181B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910007293
申请日：1991-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/26
Abstract: The method includes the steps of depositing a thin fluoride film (2) on a semiconductor substrate (1), irradiating electron beams to the gate or metal wiring formation region on the fluoride film (2), forming a thin metal film (3) for gate or wirings on the electron beam irradiated region, and depositing a passivation film (4) of fluoride, SiO2, Si3N4 or Al2O3 thereon, thereby metallic materials being obtained from the fluoride film to simplify the photolithographic process. The residual fluoride materials act as an insulator for preventing the electric leakage between the metallic circuits.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底（1）上沉积氟化薄膜（2），向氟化膜（2）上的栅极或金属布线形成区域照射电子束，形成薄金属膜（3） 电子束照射区域的栅极或配线，以及在其上沉积氟化物，SiO 2，Si 3 N 4或Al 2 O 3的钝化膜（4），由此从氟化物膜获得金属材料以简化光刻工艺。 剩余的氟化物材料用作防止金属电路之间漏电的绝缘体。
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公开(公告)号：KR1019940007072B1
公开(公告)日：1994-08-04
申请号：KR1019910010394
申请日：1991-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3205
Abstract: The method includes the steps of forming a fluoride thin film 9 on a substrate 1 on which a first and second interconnection line 2 and 3 are formed, selectively irradiating electron beam into a portion of the fluoride thin film, in which vertical connection is required, to form a metal thin film 10 in a super vacuum ambient, wherein the metal thin film 10 is used as the vertical connection portion which connects first and second interconnection layer to each other, the portion of the fluoride thin film 9, in which electron beam is not irradiated, is used as an insulating layer which insulates first and second interconnection layer from each other.
Abstract translation: 该方法包括在其上形成有第一和第二互连线2和3的基板1上形成氟化物薄膜9的步骤，选择性地将电子束照射到需要垂直连接的氟化物薄膜的一部分中， 在超真空环境中形成金属薄膜10，其中金属薄膜10用作将第一和第二互连层彼此连接的垂直连接部分，即氟化物薄膜9的部分，其中电子束 不被照射，被用作使第一和第二互连层彼此绝缘的绝缘层。
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公开(公告)号：KR1019940016453A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920024319
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: 본 발명은 발광실리콘인 다공질 실리콘층에 ALE법을 이용하여 안정화 물질로 갈륨비소 화합물을 증착시켜 열적, 구조적으로 안정화하여 실리콘광소자 구현 및 이종에피탁시를 위한 버퍼(buffer)층 형성을 목적으로 하는 것으로, 고순도 HF 용액내에서 전기화학적 반응을 이용하여 단결정 실리콘 기판위에 다공질층을 형성시키고, 화학반응을 위해 코팅된 Al을 염산(HCl)을 사용하여 세척하고 초고진공 화학증착 장치에 장착한 후, 갈륨비소의 원료기체인 TMGA와 AsH
3 을 다공질 실리콘 기판에 교대로 분사시켜 다공질층에 갈륨비소를 증착시킴으로써, 발광효율 저하를 막을 수 있고, 양질의 갈륨비소층을 얻을 수 있고, 이종에피탁시에 활용할 수 있으며, 낮은 온도로서 수소 화합물의 결합을 분리시키지 않고 증착할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019930001393A
公开(公告)日：1993-01-16
申请号：KR1019910010394
申请日：1991-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3205
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR1020090022209A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087345
申请日：2007-08-30
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
Abstract: A system-on-chip having IEEE 1500 wrapper and an internal delay test method thereof are provided to reduce the number of test pins by using a TAP controller. An IEEE 1500 wrapped core(230) comprises a core(2390) having a scan-chain(2391). The IEEE 1500 wrapper(2310~2380) provides an interface between a TAP controller and the core. A wrapper instruction register(2310) determines the action mode corresponding to the wrapper control signal(WSC) set. A wrapper bypass register(2320) is selectively operated by the wrapper instruction register. A WSC-WBC decoder(2330) converts the wrapper control signal into the test control signal for performing the test operation according to the invention. A multiplexer controller(2340) produces control signals controlling input-output wrapper border cells. A boundary test clock generator(2350) produces the input-output clock of wrapper border cells. A scan test clock generator(2360) produces the core scan-chain test clock(STCLK).
Abstract translation: 提供具有IEEE1500封装和其内部延迟测试方法的片上系统，以通过使用TAP控制器来减少测试引脚的数量。 IEEE 1500包裹的核心（230）包括具有扫描链（2391）的核心（2390）。 IEEE 1500封装（2310〜2380）提供TAP控制器和核心之间的接口。 包装器指令寄存器（2310）确定对应于包装器控制信号（WSC）集合的动作模式。 包装旁路寄存器（2320）由包装指令寄存器选择性地操作。 WSC-WBC解码器（2330）将包装器控制信号转换成用于执行根据本发明的测试操作的测试控制信号。 多路复用器控制器（2340）产生控制输入 - 输出包装边界单元的控制信号。 边界测试时钟发生器（2350）产生封装边界单元的输入 - 输出时钟。 扫描测试时钟发生器（2360）产生核心扫描链测试时钟（STCLK）。
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公开(公告)号：KR100160581B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950050512
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막의 형성방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 레이저 어블레이션(laser ablation) 방법으로 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성시 외부에서 기판 상에 원자 수소빔(atomic hydrogen beam)을 공급하여 양질의 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법은, 엑시머 레이저(1)로부터 발생된 레이저빔을 그래파이트 타겟(2)에 조사하고, 레이저빔의 조사에 의해 튀어나온 입자들을 기판 가열기(3) 위에 위치한 기판(4) 상에 증착시켜 다이아몬드 박막을 형성하는 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법에 있어서, 상기한 증착과정 중에 별도의 원자수소 공급수단(5)을 사용하여 기판(4) 상에 원자 수소빔을 공급하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019980047257A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960065733
申请日：1996-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R31/28
Abstract: 메모리 테스트는 고가의 테스트 장비를 이용하여 수십 종류의 고장 모델 점검 및 진단을 목포로 하는 방법과 사용중 발생하는 간헐오류 등을 실시간으로 점검하기 위한 빌트-인 셀프 테스트(Built-In Self Test) 기술로 구분할 수 있다. 테스트 장비에서 결정적인(deterministic) 테스트 패턴 생성에 의한 방법은 목표한 몇 가지 고장만을 점검할 수 있을 뿐 지연 고장등을 실속도로 점검하는 데에 어려움이 있다.
따라서, 본 발명에서는 기존의 논리회로용 테스트를 위하여 널리 사용되는 가중 랜덤 패턴 생성기(WRPG; Weighted Random Pattern Generator)를 개선하여 신호 지연을 포함한 다양한 종류의 고장을 실속도로 단시간에 점검할 수 있는 메모리 테스트 패턴 생성기에 관해 개시된다.-
公开(公告)号：KR100138857B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940029925
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 초고진공내에서 반도체 및 도체의 시료를 이동하고 특정한 목적으로 열처리하는 집게 및 시료대에 관한 것으로, 기존의 조작기(Manipulator)가 가지고 있는 시료의 조작의 불편이나, 두발집게가 가지고 있는 시료대의 불안정성과 전자빔 가속에 의한 열처리의 난점 등을 극복한 네발집게와 시료대로서 본 발명 네발집게를 이용하면 외부에서 어떠한 크기나 형태를 가진 물건도 초고진공내에서의 조작과 이동이 가능하고, 반도체나 도체의 세척과정에서 필수적으로 수반되는 열처리의 과정이 훨씬 용이하게 된다
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公开(公告)号：KR1019970052803A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050512
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막의 형성방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 레이저 어블레이션(laser ablation) 방법으로 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성시 외부에서 기판 상에 원자 수소빔(atomic hydrogen beam)을 공급하여 양질의 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법은, 엑시머 레이저(1)로부터 발생된 레이저빔을 그래파이트 타겟(2)에 조사하고, 레이저빔의 조사에 의해 튀어나온 입자들을 기판 가열기(3) 위에 위치한 기판(4) 상에 증착시켜 다이아몬드 박막을 형성하는 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법에 있어서, 상기한 증착과정 중에 별도의 원자수소 공급수단(5)을 사용하여 기판(4) 상에 원자 수소빔을 공급하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
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