公开(公告)号：KR1019940016713A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920026629

申请日：1992-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정귀상 ,  안근영 ,  강진영 ,  강상원

IPC: H01L41/27

Abstract: 본 발명은 n
_ 실리콘기판(1)상에 열산화막(8)이 형성된 제 1 기판과 p
++ 실리콘기판(10)상에 p
_ 에피층(7)이 형성된 제 2 기판을 상호접합하되 상기 p
_ 에피층(7)과 상기 열산화막(8)이 접합되게 하는 단계와, 상기 p
++ 실리콘기판(10)을 식각하여 형성된 제 2 기판과 실리콘(1a) 상부표면에 압저항(2)과 유전체분리용산화막(9)이 형성된 제 4 기판을 상호접합시키되 상기 p
_ 에피층(7)과 상기 유전체분리용산화막(9)이 접합되게 하는 단계와, 제 1 규소막(13)을 마스크로서 사용하여 상기 실리콘기판(1a)을 식각하는 단계와, 상기 압저항(2)에 전극(4)을 형성하고 패시베이션용산화막(14)과 제 2 규소막(2)에 전극(4)을 형성하고 패시베이션용산화막(14)과 제 2 규소막(13a)을 순차로 형성하고 상기 규소막(13,13a)의 다이어프램패턴을 형성하는 단계와, 습식이방성식각에 의해 기 n
_ 실리콘기판(1)을 식각하여 박막실리콘다이어프램(3)을 형성하는 단계를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019940016351A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920025022

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안근영 ,  강원구 ,  강성원

IPC: H01J9/02

Abstract: 본 발명은 단위면적당 전류밀도를 증가시키기 위한 미세 진공소자의 음극제조방법에 관한 것으로, 기판(1)위에 다결정규소(2)를 증착하여 생기는 요철 표면의 돌출부를 식각하여 전자방출 가능표면을 증대시키는 것이 특징이다.

公开(公告)号：KR100072429B1

公开(公告)日：1994-04-04

申请号：KR1019900021818

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  안근영 ,  이경수

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019920013609A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：KR1019900021818

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강상원 ,  안근영 ,  이경수

IPC: H01L21/00

Abstract: 내용 없음