Abstract:
A 3D(Dimensional) image display device using a transparent display panel and a method thereof are provided to output 3D image data like a real object by using a few of transparent display panels. A display unit(320) is formed by stacking more than one transparent display panel(321-330), in which a 2D image is displayed, at intervals. A vibration controller(340) controls reciprocating motion of the display unit along a direction for stacking the transparent display panels as much as the interval. An image controller(310) receives 3D image data. The image controller receives location information of the transparent display panel according to the reciprocating motion from the vibration controller.
Abstract:
A transparent electronic device using a CNT(Carbon Nano Tube) and a manufacturing thereof are provided to enhance stability in atmospheric moisture and a manufacturing process such as a thermal process by forming a channel with a single wall CNT. A CNT channel(120) is formed between a source and a drain(150). A transparent electrode is formed at an upper part of the source and an upper part of the drain. A gate(180) is formed on an upper part of the transparent electrode. The CNT channel is coated with the PSG (Phosphorous Silicate Glass) and SWCNT(Single-Walled Carbon Nano Tube), and a single wall CNT. The CNT channel is coated with BSG (Boron Silicate Glass) and SWCNT.
Abstract:
A method for fabricating a thin film transistor by forming and patterning a protection layer on an oxide semiconductor layer is provided to improve performance of a thin film transistor by protecting an interface between the oxide semiconductor layer and a protective insulating layer. A source/drain electrode(2) is formed on a substrate(1). An oxide semiconductor layer(3) is formed on the substrate including the source/drain electrode. A protective insulating layer(4) for protecting the oxide semiconductor layer is deposited on the oxide semiconductor layer by using ALD(Atomic Layer Deposition) method. The semiconductor layer and the protective insulating layer are patterned simultaneously. A gate insulating layer(5) is formed on the patterned protective insulating layer. A gate electrode(6) is formed on the gate insulating layer.
Abstract:
An organic light emitting diode device is provided to increase a luminous efficiency through a balanced injection of charges and to ensure excellent durability and a long life. An organic light emitting diode device includes a substrate(10), an anode(20) formed on the substrate, a first organic thin film layer(A) formed on the anode, an organic light emitting layer(50) formed on the first organic thin film layer, a second organic thin film layer(B) formed on the organic light emitting layer, and a cathode(90) formed on the second organic thin film layer. The first organic thin film layer and the second organic thin film layer are mono-layered or multi-layered, respectively. At least a part of the first organic thin film layer and the second organic thin film layer is doped or stacked with an insulating material.
Abstract:
본 발명은 고효율 유기전기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 인광 특성을 이용하는 소재를 발광층으로 하는 유기전기발광소자는 인광의 특성상 효율이 매우 우수하나, 소자를 구성하는 소재의 특성상 정공주입층과 발광층 간의 에너지 밴드의 불연속성으로 인하여 발광층 내에 정공의 주입이 원활하게 이루어지는 데 어려움이 있다. 이에 본 발명에서는 정공이 원활하게 발광층으로 주입되도록 정공수송층과 발광층의 사이에 장벽완화층을 도입하여 효율을 향상시킨 유기전기발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 유기 EL, OLED, 고효율, 인광, 디스플레이
Abstract:
A high efficiency organic light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve a hole injection efficiency by arranging a barrier buffering layer between a hole transport layer and a light emitting layer. A hole injection layer(32) is made of a hole injection-supporting material on an anode(22). A hole transport layer(42) is arranged on the hole injection layer. A barrier buffering layer is arranged on the hole transport layer and made of a combination of materials used for the hole transport layer and a light emitting layer. The light emitting layer(52) is arranged on the barrier buffering layer. An electron transport layer(72) is arranged on the light emitting layer. An electron injection layer(82) is arranged on the electron transport layer. A cathode is arranged on the electron injection layer.
Abstract:
본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 제1 청색 발광층; 상기 제1 청색 발광층 상에 형성되는 적색 발광층; 상기 적색 발광층 상에 형성되는 제2 청색 발광층; 및 상기 제2 청색 발광층 상에 형성되는 제2 전극을 포함한다. 이에 따라, 순도가 높은 백색 발광 특성을 얻을 수 있으며, 단순한 공정에 의해 양산성이 좋다. 백색 발광, 제1 청색 발광층, 제2 청색 발광층, 적색 발광층
Abstract:
An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to obtain operation stability and uniformity of the device by controlling a size of an active driving unit. An organic light emitting device(400) includes a plurality of organic light emitting units(420,440,460) on a substrate(401). An active driving unit(410) is laminated on one side of top and bottom of each organic light emitting unit(420,440,460). The active driving unit(410) is made of transparent semiconductor material and conductive material. The organic light emitting unit(420,440,460) includes a transparent first electrode, an organic light emitting layer formed on the first electrode, and a transparent second electrode formed on the organic light emitting layer.
Abstract:
본 발명은 전기 발광 고분자 합성용 경화성 관능기를 갖는 단량체를 저가격의 간단한 합성법으로 제조하는 방법, 이로부터 얻은 단량체, 이 단량체로부터 얻은 전기 발광 고분자, 이를 포함한 전기 발광 소자 및 이를 이용한 자체 발광 디스플레이를 개시하며, 본 발명에 따른 경화성 관능기를 갖는 단량체는 하기와 같은 구조를 갖는다:
상기 식에서, X는 할로겐, 붕산 또는 붕산 에스테르이고, R 1 및 R 2 는 서로 같거나 다르고, 각각 선형 또는 분지형의 C 2 -C 22 알킬기 또는 C 2 -C 22 알킬기로 치환된 아릴기이며, R 1 및 R 2 는 서로 결합하여 연결될 수 있도록 -O, 또는 -S와 같은 헤테로원자, 이중결합, 또는 삼중결합을 포함한다. 전기 발광 고분자, 플루오렌, 경화성
Abstract:
본 발명은 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 탄소나노튜브를 이용하되, 구동 전압의 증가를 방지하면서 누설 전류 특성 및 전자빔의 집속도를 확보할 수 있는 삼극형 전계 방출 소자 및 그를 이용한 전계 방출 디스플레이를 제공하는데 그 목적이 있다. 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 경우, 동작 전압을 낮게 가져가기 위해서는 삼극형 전극 구조를 적용해야 한다. 이때 추출 전극이 전자 방출원에 대하여 어떠한 구조를 가지는 지에 따라 동작 특성이 크게 달라진다. 본 발명에서는 추출 전극이 그 상부에 제공되며, 탄소나노튜브 혼합물 어레이의 위치에 대응하여 다수의 구멍을 구비하되, 구멍 상단부의 크기가 하단부의 크기보다 작은 절연성 메쉬 게이트 판을 이용하여 방출된 전자빔의 집속도를 크게 높이고, 누설 전류를 억제한다. 한편, 본 발명은 보조 전극을 추가하거나 각 전극의 형태를 최적화하여 전자빔의 집속도 및 누설 전류 특성을 최적화할 수 있다. 삼극형 전계 방출 소자, 탄소나노튜브, 메쉬 게이트 판, 구멍, 전자빔 집속