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公开(公告)号：KR101662713B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020140167085
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의열전특성측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 바닥면에는제 2 패턴이형성되고, 상부면에는제 3 패턴이형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및 2 패턴들과면 접촉하도록배치될수 있다.
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公开(公告)号：KR101662714B1
公开(公告)日：2016-10-07
申请号：KR1020140167084
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의제백계수측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 제 2 패턴의하부면에형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및제 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및제 2 패턴과면 접촉하도록배치될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150085280A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140004975
申请日：2014-01-15
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01N21/552
Abstract: 본실시예에따른가스상태의흡착종분석장치는내부가진공으로유지되며, 적외선광이진출입되는입사창과출사창이측벽에동축배치되는반응기; 상기반응기의상부면에결합되며, 내부공간부가진공으로유지되는플라즈마장치; 상기반응기와플라즈마장치사이에개재되며, 상기플라즈마장치와마주보는면을분석대상물질이통과하는크리스털; 상기크리스털이중앙부근에결합되며, 일단은상기반응기의상부면에고정되어주변온도를조절하는크리스털히팅홀더; 상기크리스털히팅홀더와결합되며, 상기크리스털과대응되는위치에요홈이형성되는홀더부재; 상기출사창에서출력되는적외선빔을검출하는검출기; 및검출된빔의세기를이용하여시료의정성및 정량분석을수행하는분석기;를포함하며, 상기분석기는분석대상물질을크리스털측으로유입하였을때의측정값과, 상기분석대상물질의유입을차단한후, 상기크리스털표면에흡착된물질에반응가스를유입시켜반응시켰을때의측정값을비교하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明实施方案的气相中吸附物质的分析装置包括其内部可以保持在真空状态的反应器，并且用于使红外光通过的入口窗和出口窗同轴地布置在 侧墙; 连接到反应器的上表面的等离子体装置，其中内部空间单元可以保持在真空状态; 设置在反应器和等离子体装置之间的晶体，其中分析物通过面向等离子体装置的表面; 固定在反应器的上表面并控制环境温度的晶体加热器，其中晶体连接到其中心; 连接到晶体加热保持器的保持器元件，其中在对应于晶体的位置形成有槽; 检测器，检测从出口窗口输出的红外线束; 以及通过使用所检测的光束强度对样品进行定性和定量分析的分析仪，其中所述分析仪的特征在于将当所述分析物被引入所述晶体侧时的测量值与当引入和反应反应性气体时的测量值进行比较 在阻止分析物的引入之后吸附到晶体表面的材料。
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公开(公告)号：KR101486284B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130069757
申请日：2013-06-18
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명의 푸리어 변환 적외선 분광 장치 및 그 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 푸리어 변환 적외선 분광 장치는 제1 방향으로 광을 출력하는 광대역 광원; 상기 광대역 광원의 출력광을 제공받아, 상기 출력광의 일부를 제1 방향으로 투과시키고, 상기 출력광의 다른 일부를 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 반사시키는 빔 분할기; 상기 빔 분할기로부터 상기 제1 방향으로 이격되어 배치되고 상기 투과한 광을 반사시키는 제1 고정 미러; 상기 빔 분할기로부터 상기 제2 방향으로 이격되어 배치되고 상기 반사한 광을 반사시키는 제2 고정 미러; 상기 제1 고정 미러와 상기 빔 분할기 사이에 배치된 제1 실린더리컬 볼록 렌즈; 상기 제1 실린더리컬 볼록 렌즈와 상기 제1 고정 미러 사이에 배치된 제2 실린더리컬 블록 렌즈; 및 간섭 신호를 측정하는 광 검출부를 포함한다. 상기 빔 분할기는 상기 제1 고정 미러에서 반사한 반사광과 상기 제2 고정 미러에서 반사한 광을 결합하여 상기 간섭 신호를 제공하고, 상기 제1 실린더리컬 볼록 렌즈의 초점 위치는 상기 제2 실린더리컬 볼록 렌즈의 초점 위치와 일치하고, 상기 제1 실린더리컬 볼록 렌즈와 상기 제2 실린더리컬 볼록 렌즈는 위치에 의존하는 광 경로(optical path)를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140124296A
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020130041864
申请日：2013-04-16
Applicant: 한국표준과학연구원 , 주식회사 덕산유엠티
Abstract: 본 발명은 이소프로필게르만(Isopropylgermane) 화합물에 대한 것으로, 특히 유기증착용으로 사용할 수 있는 새로운 이소프로필게르만 화합물 및 이것을 포함하는 조성물에 대한 것이며, 더욱 상세하게는 이소프로필 화합물로부터 높은 수율로 간단하고 용이하게 이소프로필게르만 화합물을 제조할 수 있는 방법에 대한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及异丙基锗烷化合物，更具体地说，涉及能够用于有机气相沉积的新型异丙基锗烷化合物及其组合物。 更具体地说，本发明涉及由异丙基化合物简单且容易地以高产率制造异丙基锗烷化合物的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101302592B1
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020110019943
申请日：2011-03-07
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 실리콘 화합물을 이용한 원자층 증착공정을 수행하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 방법으로서, HSi(isopropyl)
3 를 소스로 이용하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 낮은 온도에서도 높은 증착률을 가지고, 불필요한 입자 발생이 없는 우수한 물리적 특성과 균일성을 가지는 실리콘 화합물 박막을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120067692A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129236
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: PURPOSE: A drooping sensing device is provided to prevent all kinds of process issues generated by deformation of parts by monitoring the parts in which drooping is generated as time goes by on a real time basis. CONSTITUTION: A drooping sensing device comprises irradiation units(110a,110b,110c,110d) and sensing units(120a,120b,120c,120d), and a control unit. The irradiation units are mounted in a first lateral surface among four lateral surfaces, thereby irradiating lights or ultrasonic waves to a direction parallel with upper and lower surfaces. The sensing units are mounted in a second lateral surface facing to the first lateral surface, thereby sensing the lights or ultrasonic waves irradiated from the irradiation units. The control unit controls an on/off switching of the irradiation units and decides whether the parts are drooped or not based on whether the sensing units sense the lights or ultrasonic waves irradiated from the irradiation units.
Abstract translation: 目的：提供一种下垂传感装置，通过监测随时间推移产生下垂的部分，防止零件变形产生的各种过程问题。 构成：下垂感测装置包括照射单元（110a，110b，110c，110d）和感测单元（120a，120b，120c，120d）和控制单元。 照射单元安装在四个侧面中的第一侧表面中，从而将光或超声波照射到与上表面和下表面平行的方向。 感测单元安装在面向第一侧表面的第二侧表面中，从而感测从照射单元照射的光或超声波。 控制单元控制照射单元的开/关切换，并且基于感测单元是感测从照射单元照射的光或超声波来确定部件是否下垂。
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公开(公告)号：KR1020120037653A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099243
申请日：2010-10-12
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/28 , C23C16/04 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/28562 , H01L21/76877
Abstract: PURPOSE: A method for selectively depositing a cobalt thin film is provided to prevent copper from being diffused in an upward direction of a copper metal wire by forming a capping layer on the copper metal layer and an interlayer dielectric layer. CONSTITUTION: An insulation layer(102,104) is formed on a substrate(100). A groove is formed in the insulation layer. The upper side of the insulation layer and the groove are coated with a diffusion preventing layer(106). A metal layer(108) is filled in the groove. A capping layer(110) is formed on the diffusion preventing layer and the metal layer by using a precursor.
Abstract translation: 目的：提供选择性沉积钴薄膜的方法，以通过在铜金属层和层间介质层上形成覆盖层来防止铜在铜金属线的向上方向上扩散。 构成：在衬底（100）上形成绝缘层（102,104）。 在绝缘层中形成凹槽。 绝缘层的上侧和沟槽涂覆有扩散防止层（106）。 金属层（108）填充在凹槽中。 通过使用前体，在扩散防止层和金属层上形成覆盖层（110）。
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公开(公告)号：KR1020110134063A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053835
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A real time precursor vapor pressure measuring system for a semiconductor manufacturing process and a method using the same are provided to drastically reduce pressure change possibility, thereby accurately measuring vapor pressure in real time. CONSTITUTION: A sample container(100) receives a precursor sample. A chemical vapor deposition chamber(200) is connected to the sample container by an oiling pipe(10). A vapor pressure measuring device(300) measures the pressure of the oiling pipe. The vapor pressure measuring device includes a branch oiling path(20), a pressure measuring unit(400), a first valve(610), and a second valve(620). The sample container and the vapor pressure measuring device are made of heat insulating partition walls(700).
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体制造工艺的实时前体蒸汽压力测量系统及其使用方法，以显着降低压力变化的可能性，从而实时精确地测量蒸汽压力。 构成：样品容器（100）接收前体样品。 化学气相沉积室（200）通过上油管（10）连接到样品容器。 蒸汽压力测量装置（300）测量给油管的压力。 蒸汽压力测量装置包括分支上油路径（20），压力测量单元（400），第一阀门（610）和第二阀门（620）。 样品容器和蒸汽压力测量装置由绝热分隔壁（700）制成。
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公开(公告)号：KR101087718B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020090029762
申请日：2009-04-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 유기금속화합물 전구체와 아민화합물을 이용하여 저온의 기판 위에 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로는 하나 이상의 리간드와 배위 결합하는 금속을 포함하는 유기금속화합물 전구체를 아민화합물, 또는 아민화합물과 수소를 이용하여 저온의 기판 위에서 유기금속화합물 전구체의 리간드를 해리시켜 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
CVD, ALD, 화학기상증착, 원자층증착, 금속박막, β-디케토네이트
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