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公开(公告)号：KR101890849B1
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：KR1020160094569
申请日：2016-07-26
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은제1 유전성무기입자; 및상기제1 유전성무기입자표면에형성된제1 전도성물질;을포함하는제1 복합입자; 및제1 고분자매트릭스;를포함하는제1 층; 제2 유전성무기입자; 및상기제2 유전성무기입자표면에형성된제2 전도성물질;을포함하는제2 복합입자; 및제2 고분자매트릭스;를포함하는제2 층; 및상기제1 층및 제2 층사이에배치되고, 제3 유전성무기입자; 및제3 고분자매트릭스를포함하는절연층;을포함하는고분자복합체를제공한다. 본발명에따른고분자복합체는높은유전율과높은파괴전압특성을가지기때문에, 높은에너지밀도달성이가능하다. 또한, 전도성나노입자를세라믹나노입자표면에직접성장시킴으로써, 전도성나노입자의응집을최소화할수 있어, 분산성향상및 전도성경로(pathway) 형성을최소화할수 있다. 나아가, 내장형커패시터에이용될수 있는, 고유전성고분자복합필름제조가능하며, 유연박막전자소자에적용가능하다.
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公开(公告)号：KR101893872B1
公开(公告)日：2018-09-03
申请号：KR1020170009022
申请日：2017-01-19
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물, 이로부터제조된방열필름및 이의제조방법에관한것으로, 본발명인반응성디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물은대면적으로화합물의평면방향으로배향될수 있고, 이로부터제조된방열필름은화합물의평면방향으로우수한 2D의열전도도를보이며화합물의수직방향(필름의두께방향)으로낮은열전도도를나타내는효과가있어다양한전자기기및 디스플레이장치등에응용될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101888620B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020160065425
申请日：2016-05-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은다관능성광가교단량체를포함하는폴리아믹산수지조성물및 이로부터제조되는감광성폴리이미드수지조성물에관한것으로, 본발명에따른다관능성광반응단량체를함유한감광성폴리이미드경화물은내열특성이뛰어날뿐만아니라, 우수한내약품성성및 전기절연특성등으로인하여디스플레이소자에사용되는컬러필터의감광성바인더소재, 전기회로간 고내열절연막및 접촉패널(touch panel)용고분자격벽재료로서의응용에적합하다. 또한, 제조된폴리이미드계수지자체로서광반응이가능하여기존과같이제조된폴리이미드계수지의박막위에내광성층을코팅한후 패턴을형성한다음다시이를제거하는복잡한공정을단축할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020180085841A
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020170009022
申请日：2017-01-19
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C09K5/08 , C09K19/32 , C09K2019/0429
Abstract: 본발명은디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물, 이로부터제조된방열필름및 이의제조방법에관한것으로, 본발명인반응성디스코틱(discotic) 액정화합물을포함하는방열용조성물은대면적으로화합물의평면방향으로배향될수 있고, 이로부터제조된방열필름은화합물의평면방향으로우수한 2D의열전도도를보이며화합물의수직방향(필름의두께방향)으로낮은열전도도를나타내는효과가있어다양한전자기기및 디스플레이장치등에응용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101854436B1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR1020160136354
申请日：2016-10-20
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본원발명은질화붕소에기능성기를부여하고강자성(ferromagnetic) 물질과반응을통한질화붕소복합체의제조, 자기장을이용한질화붕소복합체의배향을통한열전도도가향상된고분자복합필름및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는질화붕소를준비하는질화붕소준비단계; 상기질화붕소에기능성기를부여하는질화붕소기능화단계; 기능성기가부여된질화붕소와강자성(ferromagnetic) 물질을반응시켜강자성물질이복합화된질화붕소를제조하는질화붕소복합체제조단계; 및상기질화붕소복합체를고분자수지에분산시킨후 고분자수지에자기장을인가하는질화붕소복합체배향단계를포함하는것을특징으로하는열전도도가향상된고분자복합필름및 이의제조방법에대한것이다.
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公开(公告)号：KR20180012353A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160094569
申请日：2016-07-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B32B27/18 , B32B27/08 , C08K3/22 , C08K9/00 , C08L101/00 , H01G4/20 , H01L51/56
Abstract: 본발명은제1 유전성무기입자; 및상기제1 유전성무기입자표면에형성된제1 전도성물질;을포함하는제1 복합입자; 및제1 고분자매트릭스;를포함하는제1 층; 제2 유전성무기입자; 및상기제2 유전성무기입자표면에형성된제2 전도성물질;을포함하는제2 복합입자; 및제2 고분자매트릭스;를포함하는제2 층; 및상기제1 층및 제2 층사이에배치되고, 제3 유전성무기입자; 및제3 고분자매트릭스를포함하는절연층;을포함하는고분자복합체를제공한다. 본발명에따른고분자복합체는높은유전율과높은파괴전압특성을가지기때문에, 높은에너지밀도달성이가능하다. 또한, 전도성나노입자를세라믹나노입자표면에직접성장시킴으로써, 전도성나노입자의응집을최소화할수 있어, 분산성향상및 전도성경로(pathway) 형성을최소화할수 있다. 나아가, 내장형커패시터에이용될수 있는, 고유전성고분자복합필름제조가능하며, 유연박막전자소자에적용가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造包含第一介电无机颗粒的磁记录介质的方法， 并且在第一介电无机颗粒的表面上形成第一导电材料; 并且第一聚合物基质; 第二介电无机颗粒; 并且在第二介电无机颗粒的表面上形成第二导电材料; 和包含第二聚合物基质的第二层; 和设置在第一和第二层之间的第三介电无机颗粒; 以及包含第三聚合物基质的绝缘层。 由于根据本发明的聚合物复合材料具有高介电常数和高击穿电压特性，所以可以实现高能量密度。 另外，通过直接在陶瓷纳米颗粒的表面上生长导电纳米颗粒，可以使导电纳米颗粒的聚集最小化，由此改善分散性并使导电通路的形成最小化。 此外，可以制造可用于嵌入式电容器的高介电聚合物复合膜，并且可应用于柔性薄膜电子器件。
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公开(公告)号：KR101783420B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020160058108
申请日：2016-05-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08F22/12 , C08F2/44 , C08K5/17 , H01L29/786 , H01L21/324 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0035 , C08L37/00 , C08L2203/20 , C08L2205/025 , H01L51/0026 , H01L51/0052 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , H01L51/105 , H01L2251/301
Abstract: 본발명은박막트랜지스터절연막용조성물, 이를포함하는절연막및 유기박막트랜지스터에관한것으로, 본발명에따른조성물로부터형성된박막트랜지스터용절연막은낮은표면에너지와더불어양호한유전율을나타내고, 이를적용한유기박막트랜지스터는상기절연막상부에형성되는유기반도체의모폴로지를개선시킴으로써, 누설전류밀도가감소되고, 전하이동도가향상되며, 전류점멸비가향상된효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种绝缘膜和包含所述组合物，其用于薄膜晶体管的绝缘膜时，根据本发明的组合物形成的薄膜晶体管的绝缘膜示出了具有低表面能的良好的介电常数的有机薄膜晶体管，有机薄膜晶体管应用于它是 通过改善形成在上绝缘膜的有机半导体的形态，漏电流密度减小，并且改善的电荷迁移率度，电流比提高闪烁的效果。
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