公开(公告)号：CN1135614C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN98105197.9

申请日：1998-03-31

Applicant: 西门子公司

Inventor： 德克·托宾 ,  彼得·韦甘德

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/108

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 一种形成半导体器件结构的方法，包括：在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构；在其表面沉积流动性的牺牲材料，其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构；在第二结构表面沉积非牺牲材料，其与第二结构的表面形貌一致，非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面；选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料，以形成具有水平组件的第三结构，且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。

公开(公告)号：CN1466775A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01816484.6

申请日：2001-07-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  奥村美香

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。

公开(公告)号：CN1429762A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02150667.1

申请日：2002-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李羲重

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0078 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

Abstract: 本发明提供了一种具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法。这种悬臂包括：一个衬底；一个形成于该衬底上的锚固件；和一块被连接在锚固件上同时保持与衬底的预定间隙的移动板，其中，所述锚固件包括有一个具有预定形状的第一锚固件和一个第二锚固件，该第二锚固件垂直于第一锚固件的一个边缘，并且沿所述移动板的纵轴成形。这种悬臂的形变量，比如由于制造过程中的高温高压导致的该悬臂的移动板的形变量明显减小。从而，这种悬臂的屈服率得以改善，并且采用这种悬臂的制品的可靠性也得以提高。

公开(公告)号：CN1103115C

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN97116108.9

申请日：1997-07-31

Applicant: SGS-汤姆森微电子有限公司

Inventor： 马里奥·福罗尼 ,  保罗·费拉里 ,  本尼德托·维格纳 ,  弗莱维奥·维拉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/763 ,  H01L21/764

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0728 ,  B81C2203/075 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/764

Abstract: 本发明方法包括步骤：在衬底(1)上形成一消耗隐埋区；在隐埋区上生长一多晶区(80)的半导体材料层(8)，在别处生成一单晶区(81)；有选择地去除多晶区(80)的一部分以形成沟槽；经沟槽(20)除去消耗隐埋层。这样由沟槽(20)环绕的多晶(80)的部分(80＇)就形成了一悬浮结构，并与其它部分(80，80″)分离、隔热。电子元件(12-14)可在单晶区(81)上形成，一专用区(24)在悬浮结构上形成，从而电子元件可与静态、运动或动态的微结构(30)集成于同一芯片内。

公开(公告)号：CN106687407B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480079923.9

申请日：2014-06-16

Applicant: 埃普科斯股份有限公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： G.亨 ,  M.吉森 ,  A.邓德克 ,  J-L.波宁 ,  D.圣-帕特赖斯 ,  B.赖格

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。

公开(公告)号：CN107709225A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580080251.8

申请日：2015-06-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K.L.林 ,  C.帕瓦舍 ,  R.金 ,  I.A.扬 ,  K.J.辛格 ,  R.L.布里斯托尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0771

Abstract: 将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。

公开(公告)号：CN107407694A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580076922.3

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

Abstract: 半导体装置具有基板(1A)、梁(12)、可动构造体(13)、第1止动部件(S1)、第2止动部件(S2)以及第3止动部件(S3)。第1止动部件(S1)在面内方向上，与可动构造体(13)之间隔着第1间隙(T1)而配置。第2止动部件(S2)在面外方向上，与可动构造体(13)之间隔着第2间隙(T2)而配置。第3止动部件(S3)在面外方向上，相对于可动构造体(13)而配置于第2止动部件(S2)的相反侧，且与可动构造体(13)之间隔着第3间隙(T3)而配置。由此，能够得到一种通过抑制可动构造体的过度的位移，从而能够抑制支撑可动构造体的梁的损伤及破损的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN105712288A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410724507.1

申请日：2014-12-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0111

Abstract: 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。

公开(公告)号：CN105593964A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054306.3

申请日：2014-09-24

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 迈克·雷诺 ,  维克拉姆·乔希 ,  罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 ,  托马斯·L·麦圭尔 ,  理查德·L·奈普

IPC: H01H59/00 ,  H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/011 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。

公开(公告)号：CN105592940A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480052627.X

申请日：2014-09-15

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： P·迪克森 ,  M·米尔德 ,  A·莱韦斯泰因

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H02N1/006

Abstract: 公开了一种制造电容式微加工超声换能器(CMUT)装置的方法，所述装置包括在基底(110)上的第一电极(112)以及被嵌入在电绝缘膜中的第二电极(122)，所述第一电极和所述膜由通过移除在所述第一电极与所述膜之间的牺牲材料(116)形成的腔(130)而分离开，所述方法包括形成所述第二电极上的膜部分(22)以及从所述膜部分沿所述牺牲材料侧面朝向所述基底沿延伸的另一膜部分(24)，其中，在形成所述腔之前，所述膜部分和所述另一膜部分的各自厚度超过牺牲材料的厚度。也公开了根据该方法制造的CMUT装置以及包括所述CMUT装置的设备。