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公开(公告)号：CN102439683A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN102428542A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN101014878B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200580005650.4
申请日：2005-02-22
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 戴维·马修·伯特内尔 , 斯科特·A·汤森 , 丹尼尔·E·西格弗里德 , 维亚切斯拉夫·V·茹林
CPC classification number: H01J27/04 , H01J2237/002 , H01J2237/08
Abstract: 本发明涉及一种离子源，其利用与阳极分开并且独立的冷却板进行冷却。冷却板形成冷却剂腔，流体冷却剂(例如，液体或者气体)能够流经该冷却剂腔以便冷却阳极。在这样的结构中，可以通过冷却板对磁体进行热保护。在传热界面部件中的导热材料能够提高冷却板的冷却能力。此外，冷却板与阳极的分开使冷却板和冷却管线与阳极的高电压电隔离(例如，利用导热、电绝缘材料)。将这些结构组合成阳极分组件和磁体分组件还能够便于离子源的装配和维护，尤其当阳极没有冷却剂管线时更是如此，因为冷却剂管线会在维护过程中带来某些困难。
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公开(公告)号：CN101802963A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106475.1
申请日：2008-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 道格拉斯·梅 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
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公开(公告)号：CN100560787C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN02828340.6
申请日：2002-02-27
Applicant: 亨利J·拉莫斯 , 菲律宾高等科学技术研究及开发委员会 , 菲律宾迪利曼大学
Inventor： 亨利J·拉莫斯
CPC classification number: C23C14/355 , C23C14/325 , H01J2237/08 , H01J2237/3142
Abstract: 本发明是利用磁化的片等离子体源在金属底材上蒸镀氮化钛(TiN)薄膜的合成法。在金属底材上有化学计量TiN和Ti2N的TiN膜在下列条件下初始充气率为1∶3的N2/Ar混合等离子体中合成：初始充气总压力至少40毫托，等离子体电流范围约为2A-3A，等离子区放电电压范围约为125V-150V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563749A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043193.7
申请日：2007-09-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/317 , H01J31/16 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J2237/0206 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
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公开(公告)号：CN100536062C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200480027321.5
申请日：2004-09-17
Applicant: 应用材料以色列公司
Inventor： 亚设·珀尔
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/26 , H01J2237/08 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
Abstract: 本发明提供一种用来控制液态金属离子源的方法，该液态金属离子源包含一尖端，一第一电极及一第二电极，该方法包括的步骤为：(i)将第一电极保持在第一电压等级范围及将第二电极保持在第二电压等级范围，用以在源的操作中主动模式期间撷取形成在尖端上的金属离子；(ii)将第一电极保持在第三电压等级范围及将第二电极保持在第四电压等级范围，用以在源的操作中闲置模式期间实质上减少从尖端撷取金属离子。第三电压等级和第四电压等级中至少其一并不包括零电压等级。第一电压等级不同于第三电压等级。
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公开(公告)号：CN1190111C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN99806093.3
申请日：1999-05-07
Applicant: 英特维克公司
Inventor： 特丽·布鲁克 , 詹姆斯·H·罗杰斯 , 肖恩·P·迈克金尼斯
IPC: H05H1/00 , C23C16/00 , B05C5/00 , H01J37/317
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/26 , H01J37/3178 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种衬底处理系统包括处理室(10)、位于处理室中的衬底支架(12)、用于给处理室供应处理气体的气体源(54)、位于处理室中的第一和第二离子源(20，22)、用于激发所说第一和第二离子源的电源(50)。每个离子源都电离处理气体，产生处理设于衬底支架上的衬底的离子。第一和第二离子源分别包括第一和第二阳极(30，40)。电源按多路复用方式激发第一和第二阳极，以便在任何时间所说第一和第二离子源中只有一个被激发，避免了离子源间的相互作用。
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公开(公告)号：CN1132218C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN95108133.0
申请日：1995-06-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： F·R·特鲁爱拉
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/15 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 在一种离子注入设备中，一种可移走的对准夹具90，同一种自对中的夹紧装置92一起，被用来使引出元件孔精确地定位到同预定的束路线对准。引出元件72固定于夹紧装置的支持环94，而夹紧装置安装于对准夹具。被安装于源机箱的对准夹具同预定束路线精密对准。夹紧装置的开口环107固定于围绕着离子发生电弧室18的支持筒80。由于夹紧装置是自对中的，故不危害引出元件孔的对准。在移走对准夹具之后，将可变间隙引出电极装置130固定于源机箱。
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公开(公告)号：CN1397151A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN01804421.2
申请日：2001-01-23
Applicant: 英特维克公司
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01J37/3178 , H01J37/3233 , H01J2237/08 , H01J2237/0822 , H01J2237/3142
Abstract: 一种基片加工系统包括一个加工腔(10)，一个安置在腔内的电浮置的基片支撑架(12)，一个为该腔提供处理气体的气体源(54)，至少一个位于腔内离子源(20)，与一个以一个脉冲序列使阳极(40)正偏和阴极(22)负偏给离子源提供能量的电源19(b)，该脉冲序列具有可选择变化的占空因数和大小，以保持一个选择的时间平均电流，每个情况下的偏置都是相对于腔而言的。离子源(20)电离处理气体，产生离子以加工放置在腔内浮置的基片支撑架(12)上的基片。浮置基片上的偏置电压与它上面的净电荷一致，而净电荷受高能电子束流控制。一种实施方案包括两个这样的离子源(22，42)。在这种情况下，电源以一种时间复用的方式给第一和第二阳极(30，40)以及阴极(22，42)提供能量，以致在任何时间内只有第一或者第二离子源中的一个被提供能量，从而消除了离子源之间的相互作用。
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