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公开(公告)号：CN101802963B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880106475.1
申请日：2008-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 道格拉斯·梅 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
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公开(公告)号：CN101903960A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880110580.2
申请日：2008-08-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01B17/56 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J2237/2001 , H01J2237/26
Abstract: 一种绝缘导体元件及其相关方法。用于电压结构的绝缘导体元件包括导体以及多个绝缘区段。导体连接一电压，多个绝缘区段包围此导体且多个绝缘区段彼此交界。
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公开(公告)号：CN101802964A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107478.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 皮尔·R·卢比克 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/248 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。
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公开(公告)号：CN101627529A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880005779.9
申请日：2008-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H02M7/10
CPC classification number: H02M7/103
Abstract: 一种离子注入系统的电源供应系统。在一实施例中，此系统可为一种电源供应系统，其包括低频电源变换器、堆栈式驱动器以及从电源变换器接收源电力的高压发电单元。高压发电单元可包括用以提供输出电力的高压变压器，输出电力倍增到所需的输出电平并且输送到离子束加速器的输入端。电源供应系统还可包括介电外壳，其包围高压发电单元的至少一部份，藉此避免内部元件的崩溃强度变化。
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公开(公告)号：CN101903960B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200880110580.2
申请日：2008-08-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01B17/56 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J2237/2001 , H01J2237/26
Abstract: 一种绝缘导体元件及其相关方法。用于电压结构的绝缘导体元件包括导体以及多个绝缘区段。导体连接一电压，多个绝缘区段包围此导体且多个绝缘区段彼此靠接或接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802963A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106475.1
申请日：2008-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 道格拉斯·梅 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
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公开(公告)号：CN101563749A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043193.7
申请日：2007-09-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/317 , H01J31/16 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J2237/0206 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
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公开(公告)号：CN101203932A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680019106.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/31761 , Y10S438/961
Abstract: 本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN102985995A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180032055.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/20 , G21K5/10 , H01J37/304 , H01J37/3045 , H01J37/3171 , H01J2237/20285 , H01J2237/31703 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。
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公开(公告)号：CN101438368B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200680047932.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
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