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公开(公告)号:CN112440204A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010869743.8
申请日:2020-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/27
Abstract: 本发明提供弹性膜及基板保持装置,弹性膜能够抑制弹性膜在周向上的变形情况的偏差并能够容易地安装于基板保持装置的头主体。本发明涉及的弹性膜(10)用于基板保持装置(1)。此弹性膜(10)具备与基板(W)抵接而将该基板(W)向研磨垫(19)按压的抵接部(11),和从该抵接部(11)的周端部延伸的边缘周壁(33)。边缘周壁(33)具有边缘周壁唇部(33b),该边缘周壁唇部夹在基板保持装置(1)的头主体(2)与用来将该边缘周壁(33)固定于头主体(2)的边缘安装部件(47)之间。此边缘周壁唇部(33b)的表面的至少一部分被粗糙化。
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公开(公告)号:CN111644976A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010489789.7
申请日:2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/30 , B24B49/00 , B24B49/12 , B24B53/017 , B24B37/005 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置,尤其是提出一种抛光方法,用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前,顶圈(1)移动至第一高度,且接着在衬底压抵抛光表面之后,顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号:CN105904335B
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201610230339.X
申请日:2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。
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公开(公告)号:CN104625948B
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201410640498.8
申请日:2014-11-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32 , B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/687
Abstract: 一种基板保持装置(1),具有:对基板(W)进行保持的顶环主体(10);以及保持环(40),该保持环(40)配置成包围保持在顶环主体(10)上的基板(W),保持环(40)具有与研磨垫(2)接触的环状的垫按压部(122),垫按压部(122)具有3mm以上、7.5mm以下的宽度。采用本发明,即使是连续对多个基板进行研磨的情况下,也可防止基板的边缘部处的研磨速率上升。
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公开(公告)号:CN108515447A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810348607.7
申请日:2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置,尤其是提出一种抛光方法,用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前,顶圈(1)移动至第一高度,且接着在衬底压抵抛光表面之后,顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号:CN103447939B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201310216923.6
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/005 , B24B7/228 , B24B37/042 , B24B37/07 , B24B37/32 , B24B49/16
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法,研磨装置具有:基板保持装置(1),具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40);旋转机构(13),使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转;至少一个局部负荷施加机构(110),向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动,局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法,能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号:CN107186617A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710150426.9
申请日:2017-03-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法,具备如下工序:输送工序(S2),在该输送工序(S2)中,利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送;研磨工序(S4),在该研磨工序(S4)中,使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨;以及提离工序(S6),在该提离工序(S6)中,利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。
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公开(公告)号:CN104044057B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201410104150.7
申请日:2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。
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公开(公告)号:CN103252714B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201310158460.2
申请日:2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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公开(公告)号:CN105313002A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510733698.2
申请日:2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/32 , B24B49/10 , B24B49/12
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置,尤其是提出一种抛光方法,用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前,顶圈(1)移动至第一高度,且接着在衬底压抵抛光表面之后,顶圈(1)移动至第二高度。
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