Abstract:
A solid electrolyte electrode structure includes a solid electrolyte electrode which is made of conductive materials to have ion conductivity by being ionized to a metal ion, a metal electrode which is separated from the solid electrolyte electrode and is made of metal, and an insulation thin film which is interposed between the solid electrolyte electrode and the metal electrode and includes a metal filament to connect the electrodes by the metal ions along the edge thereof when a voltage is applied between the electrodes.
Abstract:
유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 열처리 방법은, 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자에 유도가열 에너지를 가하여 상기 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 가열시킴으로써 접촉 저항을 감소시키는 것이다. 본 발명에 따른 열처리 장치는, 유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부, 고주파 전원, 및 상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함한다. 본 발명에 따르면, 문턱전압 변화 등의 채널 영역의 특성 변화없이 반도체 - 금속 접점의 접촉 특성만 개선할 수 있고, 종래에 사용되던 진공 챔버 가열 방식에 비해 시간과 비용을 줄일 수 있으며 진공 시스템이 필요 없으므로 장치의 유지, 보수가 간단하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a fine electrode gap on a flexible substrate is provided to simplify a process by additionally forming an extended electrode on one side of an electrode using a shadow effect. CONSTITUTION: An electrode layer is formed on a plurality of preset areas on a flexible substrate(S110). A substrate angle is controlled at a preset angle(S120). An extended electrode layer is formed on a preset area between electrode layers using a shadow effect(S130). Deposition time is controlled according to preset time to control the thickness of the extended electrode layer(S140).
Abstract:
PURPOSE: A vertical electrode structure which uses a trench and a manufacturing method thereof are provided to perform a deposition process when a substrate is inclined to a predetermined direction, thereby effectively controlling a distance between electrodes. CONSTITUTION: A trench is formed on a predetermined region of a semiconductor substrate(S110). The semiconductor substrate is inclined to a predetermined direction(S120). An electrode layer is respectively formed on a predetermined region inside and outside of the trench(S130). A predetermined liquid material is sprayed on the substrate(S140). A solidified material in which the electrode layer is transferred is separated from the substrate(S150).
Abstract:
PURPOSE: A gas detecting device and a method thereof are provided to efficiently sense a gas by using a nano-wire without influences of a contact resistance between the nano-wire and extrude by using a hall effect. CONSTITUTION: A gas detecting device(100) comprises a current applying part(110), a magnetic field applying part(120), a voltage measuring part(130), and a gas detecting part(140). The current applying part applies currents to the nano-wire. The magnetic field applying part applies a magnetic field perpendicular to a direction of the current to the nano-wire. The voltage measuring part measures voltages respectively perpendicular to the direction of the current and magnetic field on the nano-wire. The gas detecting part detects gas contacted to the nano-wire by using the measured voltage value.
Abstract:
본 발명은 나노 막대를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 PLD(Pulsed Laser Deposition) 방식으로, 나노 막대의 측면에 나노 막대의 타입과 대응되는 타입의 물질을 증착하여 나노 막대의 측면에 PN 접합을 형성하고, 나노 막대의 측면에 형성된 PN 접합부를 모두 면광원으로 사용함으로써, 종래 기술에 비하여 발광 면적을 확대하여 발광 효율을 현저하게 향상시키는 효과가 있다. 또한, 종래 기술에 비하여, 본 발명은 PN 접합 면적이 확대됨으로써 전기적 안정성 측면에서 서로 다른 두 반도체의 접촉 저항을 감소시킴으로써 소자의 수명을 연장시키고, 접촉면에서의 열 발생을 감소시킴으로써 소자의 안정적인 동작에도 기여하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 고온에서 증착이 수행되는 기존 CVD 방법에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 수행되는 PLD 방식을 이용함으로써, 나노 막대에 추가적으로 후막을 증착하여 발광부를 생성할 때, 기성장된 나노 막대 구조의 안정성으로 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 PLD 방식으로 나노 막대에 후막을 증착하므로, 증착되는 물질을 용이하게 변경할 수 있고, 이에 따라서 발생되는 빛의 파장을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for measuring the ratio of metallic and semiconductive CNT(Carbon Nanotube) in a carbon nanotube network transistor and a method thereof and media recording program for reading with a computer capable of implementing the method thereof are provided to quantitatively recognize the rate of the metallic and semiconductive CNT in a carbon nanotube network transistor with low cost and little time. CONSTITUTION: A transistor voltage measurement unit applies a predetermined voltage for measuring the resistance of a transistor in a bridge circuit and measures voltages between a source drain of each transistor in case the gate voltage of the transistor is applied or not. A carbon nanotube rate output unit produces the rate of the metallic and semiconductive CNT in the carbon nanotube network transistor using the rate of source drain voltage in the measured transistor and the preset relation between the rate of the metallic and semiconductive CNT in the carbon nanotube network transistor and the rate of the measured voltages.