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公开(公告)号：KR1019990069617A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980003996
申请日：1998-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장치는 포토레지스트의 공급 여부를 감지하는 센서를 구비하는 저장 탱크와 센서의 감지 신호를 받아 저장 탱크를 스위칭하는 저장 탱크 교환 밸브 및 저장 탱크 교환 밸브와 포토레지스트 도포용 관 사이에 설치되어 포토레지스트의 공급 유무를 감지하는 보조 센서 및 보조 저장 탱크를 구비하고 있다.
본 발명에 따르면, 저장 탱크 교환 밸브 전단에 설치된 센서가 오동작하더라도 저장 탱크 교환 밸브와 포토레지스트 도포용 관 사이에 설치된 센서에 의해 포토레지스트의 잔량을 최종적으로 확인 감지함으로써 양호한 포토레지스트막을 제조할 수 있으며, 생산성도 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990043548A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064562
申请日：1997-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 텅스텐실리사이드막 상의 고온산화막 증착방법에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼 상에 텅스텐실리사이드막을 증착하는 단계, 상기 텅스텐 실리사이드막 증착 후 상기 웨이퍼를 수평으로 배열하여 열처리하는 단계, 상기 열처리한 상기 웨이퍼를 세정하는 단계 및 상기 세정된 웨이퍼를 수평으로 배열하여 고온산화막(HTO : High Temperature Oxide)을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 텅스텐실리사이드막 상에 고온산화막 형성시 웨이퍼의 배열 상태와 세정조건을 변형함으로써 상기 텅스텐실리사이드막 상에 형성된 텅스텐옥사이드에 의한 파티클 생성을 방지하여 균질의 고온산화막을 형성하는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1019960000808B1
公开(公告)日：1996-01-12
申请号：KR1019920010857
申请日：1992-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N27/62
Abstract: The secondary ion mass spectrometry including a first ion generator, a first ion filter, a first ion beam controller, a second ion generator, a spectrometer, and a detector is characterized in that a first ion emission direction regulating unit is arranged in the first ion beam regulating unit and installed in front of a lens right before a sample.
Abstract translation: 包括第一离子发生器，第一离子过滤器，第一离子束控制器，第二离子发生器，光谱仪和检测器的二次离子质谱法的特征在于，第一离子发射方向调节单元布置在第一离子 光束调节单元，并在样品前面安装在镜头的前面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940007448B1
公开(公告)日：1994-08-18
申请号：KR1019920002925
申请日：1992-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: The method for forming the oxynitride (SiOXNY) layer as the gate insulation suppressing the diffusion of the boron comprises the steps of: a) forming the oxide layer on the semiconductor substrate by reacting the N2O gas and a first reactant at 400-900 deg.C; and b) forming the oxynitride layer with N2 of 1-10 % on the boundary region by reacting the oxide layer and N2O gas at 400-900 deg.C. The first reactant is one of SiH4 and SiH2Cl2.
Abstract translation: 形成氧氮化物（SiOXNY）层作为抑制硼的扩散的栅极绝缘的方法包括以下步骤：a）通过在400-900度反应N2O气体和第一反应物，在半导体衬底上形成氧化物层。 C; 和b）通过在400-900℃使氧化物层和N2O气体反应，在边界区域上形成具有1-10％的N 2的氧氮化物层。 第一反应物是SiH 4和SiH 2 Cl 2之一。
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公开(公告)号：KR1020080080833A
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020070021075
申请日：2007-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/0262 , H01L21/02639
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor wafer is provided to crystallize a material layer by performing a crystallization process using a single crystal pattern as a seed. A substrate wafer(200) including a non-single crystal film(210) is prepared. One or more single crystal pattern(150) is arranged adjacently to the non-single crystal film on the substrate wafer. A material layer is formed on the non-single crystal film. The material layer comes in contact with the single crystal pattern. A raw material including a carrier solution and a plurality of single crystal semiconductor patterns is coated on the non-single crystalline thin film. The single crystalline semiconductor patterns are formed on the non-single crystal film by removing selectively the carrier solution.
Abstract translation: 提供一种制造半导体晶片的方法，通过使用单晶图案作为晶种进行结晶处理来使材料层结晶。 制备包括非单晶膜（210）的衬底晶片（200）。 一个或多个单晶图案（150）被布置成与衬底晶片上的非单晶膜相邻。 在非单晶膜上形成材料层。 材料层与单晶图案接触。 将包含载体溶液和多个单晶半导体图案的原料涂覆在非单晶薄膜上。 通过选择性地除去载体溶液，在非单晶膜上形成单晶半导体图案。
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公开(公告)号：KR1020080038837A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060106278
申请日：2006-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: A method for correcting the focal position of an optical inspection apparatus is provided to prevent an inspected object from being damaged by light in an optical inspection process by using light with different wavelength according to the layer quality of an inspection target. First light with a first wavelength band is filtered according to the reflectivity and absorbance of an inspection target to generate second light with a second wavelength band(S4). The focal distance of the inspection target is adjusted by using the second light(S5). The second wavelength band can be a long wavelength band in the first wavelength band.
Abstract translation: 提供一种用于校正光学检查装置的焦点位置的方法，以根据检查对象的层质量，通过使用具有不同波长的光来防止被检查物体在光学检查过程中被光损坏。 根据检查对象的反射率和吸光度对具有第一波长带的第一光进行滤波以产生具有第二波长带的第二光（S4）。 通过使用第二光来调整检查对象的焦距（S5）。 第二波长带可以是第一波长带中的长波长带。
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