公开(公告)号：KR1019980031839A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960051401

申请日：1996-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호

IPC: H01L21/68

Abstract: 작업자가 웨이퍼를 캐리어에 담거나 캐리어로부터 웨이퍼를 꺼내어 소정 위치로 옮기는데 사용하는 반도체 웨이퍼 이송용 진공척에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 밑면에 밀착되도록 평탄도를 갖는 상면과, 상기 상면 소정 위치에 내부의 진공통로와 연결되는 진공홀을 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 이송용 진공척에 있어서, 상기 진공홀에서 소정 간격 이격된 전단부에 상면에서 하면 방향으로 소정 각도를 이루는 경사면이 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 측면 부위는 진공척의 전단부에 형성된 경사면에 의해 슬라이딩되어 상면으로 유도됨에 따라 웨이퍼의 파손 및 손상이 방지되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020070067253A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：KR1020050128331

申请日：2005-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호 ,  김봉수 ,  김영남 ,  이영선 ,  김지용 ,  강호성

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L22/26 ,  G06K9/6201 ,  H01L22/10

Abstract: A method for recognizing an image having a fine circuit pattern in a semiconductor manufacture is provided to rapidly manage defects by using plural stored images and reference images. A first stored image being registered is validated(S11). A first reference image, which is formed on an upper of a semiconductor substrate so as to be matched to the first stored image, is validated(S13). The first stored image and the first reference image is compared to each other and then it is checked whether or not a matching ratio of the first stored image and the first reference image is within an error range(S17). When the matching ratio is out of the error range, a (n-1)-th stored image is validated(S19). A (n-1)-th reference image, which is formed on an upper of the semiconductor substrate at a region different from the first reference image so as to be matched to the (n-1)-th stored image, is validated(S21). The (n-1)-th stored image and the (n-1)-th reference image are compared to each other, and then it is checked whether or not a matching ratio of the (n-1)-th stored image and the (n-1) reference image is within an error range(S23). When the matching ratio is out of the error range, an n-th stored image is validated(S27). An n-th reference image, which is formed on an upper of the semiconductor substrate at a region different from the (n-1)-th reference image so as to be matched to the n-th stored image, is validated(S29). The n-th stored image and the n-th reference image are compared to each other, and then it is checked whether or not a matching ratio of the n-th stored and the n-th reference image is within an error range(S31).

Abstract translation: 提供一种在半导体制造中识别具有精细电路图案的图像的方法，以通过使用多个存储的图像和参考图像来快速地管理缺陷。 登录的第一存储图像被验证（S11）。 验证第一参考图像（S13），其形成在半导体衬底的上部以与第一存储图像匹配。 将第一存储图像和第一参考图像彼此进行比较，然后检查第一存储图像和第一参考图像的匹配比率是否在误差范围内（S17）。 当匹配比超出误差范围时，第（n-1）个存储的图像被验证（S19）。 在与第一参考图像不同的区域形成在半导体衬底上的与第（n-1）个存储图像相匹配的第（n-1）个参考图像被验证（ S21）。 将第（n-1）个存储图像和第（n-1）个参考图像彼此进行比较，然后检查第（n-1）个存储图像的匹配比和 （n-1）参考图像在误差范围内（S23）。 当匹配比超出误差范围时，第n个存储的图像被验证（S27）。 第n个参考图像被形成在半导体衬底的与第（n-1）个参考图像不同的区域上，以便与第n个存储的图像匹配的区域上被验证（S29） 。 将第n个存储图像和第n个参考图像相互比较，然后检查第n个存储的和第n个参考图像的匹配比率是否在误差范围内（S31 ）。

公开(公告)号：KR1020060002338A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020040051308

申请日：2004-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호 ,  김봉수 ,  김영남 ,  손기백

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/68714

Abstract: 반도체 웨이퍼 상에 형성된 막의 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치의 웨이퍼 스테이지를 제공한다. 상기 웨이퍼 스테이지는 레퍼런스 칩의 엣지 깨짐 및 이로 인하여 발생하는 파티클 오염을 방지하기 위하여 상기 레퍼런스 칩을 홈이 형성된 금속 플레이트에 끼워 넣음으로써 측정 데이터의 신뢰성을 확보하고 부품수명을 연장할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040107963A

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：KR1020030038675

申请日：2003-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호 ,  고영민 ,  이명섭 ,  정용길

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a stepped portion of a semiconductor device is provided to prolong the lifetime of a stylus and to secure reliable data when measuring the stepped portion by keeping the stylus clean using a cleaning part. CONSTITUTION: An apparatus includes a stylus, a stylus assembly, a stage, a support member and a cleaning part. The stylus(400) generates an electric signal corresponding to a stepped portion of an object to be measured. The stylus assembly(420) moves and supports the stylus. The stage is used for supporting the object to be measured. The support member(430) is connected with an external portion of the stage. The cleaning part(440) is located on the support member. The cleaning part is used for cleaning a contact portion(400b) of the stylus.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的阶梯部分的装置，以延长触针的寿命并且通过使用清洁部保持触针清洁来测量阶梯部分时确保可靠的数据。 构成：装置包括触笔，触针组件，台架，支撑构件和清洁部件。 触针（400）产生对应于被测量物体的台阶部分的电信号。 触针组件（420）移动和支撑触针。 舞台用于支撑要测量的物体。 支撑构件（430）与台的外部部分连接。 清洁部分（440）位于支撑构件上。 清洁部件用于清洁触针的接触部分（400b）。

公开(公告)号：KR1020040035090A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020063821

申请日：2002-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이명섭 ,  곽정호

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring thickness of a metal film is provided to reduce defects by displaying a thickness value of the metal film using a display part. CONSTITUTION: An apparatus for measuring thickness of a metal film includes a thickness measure part(101) for measuring the thickness of the metal film, a conversion part(103) for converting the measuring data to a thickness value, and a display part(105) for displaying the thickness value. An LCD(Liquid Crystal Display) monitor is used as the display part(105).

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量金属膜的厚度的装置，以通过使用显示部显示金属膜的厚度值来减少缺陷。 构成：用于测量金属膜厚度的装置包括用于测量金属膜厚度的厚度测量部分（101），用于将测量数据转换为厚度值的转换部分（103）和显示部分（105 ）显示厚度值。 LCD（液晶显示器）监视器用作显示部分（105）。

公开(公告)号：KR1020010084008A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000008741

申请日：2000-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호 ,  정용길

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A stage of a semiconductor manufacturing system is provided to protect a wafer and a semiconductor manufacturing system from static electricity by coating a Teflon layer on a stage for loading the wafer. CONSTITUTION: A stage(100) is used for loading a wafer(WF) transferred by a handler for transferring the wafer(WF). The stage(100) is formed by coating a Teflon layer on a stage chuck of a metal material. The handler(200) is manufactured by a ceramic material for preventing static electricity. A frictional coefficient of the Teflon layer is 0.4 to 0.1. A coating thickness of the Teflon layer is 25 to 37.5 micrometers.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造系统的一个阶段，以通过在用于加载晶片的载物台上涂覆特氟隆层来保护晶片和半导体制造系统免受静电。 构成：阶段（100）用于装载用于传送晶片（WF）的处理器传送的晶片（WF）。 阶段（100）通过在金属材料的台架上涂覆特氟隆层而形成。 处理器（200）由用于防止静电的陶瓷材料制成。 特氟隆层的摩擦系数为0.4〜0.1。 特氟龙层的涂层厚度为25至37.5微米。

公开(公告)号：KR1020000001510A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980021809

申请日：1998-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer conveying apparatus is provided to prevent a crack of a wafer and a generation of electrostatic by including a locate-block having thin thickness and making ceramics. CONSTITUTION: The wafer carrier(1) comprises a cassette platform(2) located a wafer cassette; a carrier(3) having an arm(4) for conveying the wafer from the wafer cassette to an inspection chamber; and a locate block(5) for guiding the arm(4) formed in the cassette platform(2). The thickness(T) of the locate block(5) is 4-8 mm and the locate block(5) made of ceramics.

Abstract translation: 目的：提供一种晶片输送装置，通过包括具有薄的厚度的定位块和制造陶瓷来防止晶片的裂纹和产生静电。 构成：晶片载体（1）包括位于晶片盒的盒平台（2）; 具有用于将晶片从晶片盒传送到​​检查室的臂（4）的载体（3） 以及用于引导形成在盒平台（2）中的臂（4）的定位块（5）。 定位块（5）的厚度（T）为4-8mm，定位块（5）由陶瓷制成。

公开(公告)号：KR1020080038837A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020060106278

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽정호 ,  김봉수 ,  김영남 ,  김정수 ,  최병삼 ,  이이수

IPC: H01L21/66

Abstract: A method for correcting the focal position of an optical inspection apparatus is provided to prevent an inspected object from being damaged by light in an optical inspection process by using light with different wavelength according to the layer quality of an inspection target. First light with a first wavelength band is filtered according to the reflectivity and absorbance of an inspection target to generate second light with a second wavelength band(S4). The focal distance of the inspection target is adjusted by using the second light(S5). The second wavelength band can be a long wavelength band in the first wavelength band.

Abstract translation: 提供一种用于校正光学检查装置的焦点位置的方法，以根据检查对象的层质量，通过使用具有不同波长的光来防止被检查物体在光学检查过程中被光损坏。 根据检查对象的反射率和吸光度对具有第一波长带的第一光进行滤波以产生具有第二波长带的第二光（S4）。 通过使用第二光来调整检查对象的焦距（S5）。 第二波长带可以是第一波长带中的长波长带。

公开(公告)号：KR1020070053831A

公开(公告)日：2007-05-28

申请号：KR1020050111522

申请日：2005-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영선 ,  김봉수 ,  김영남 ,  강호성 ,  이이수 ,  곽정호

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F7/70625 ,  H01L22/12

Abstract: 공정 시간을 단축시키기 위한 기판 표면 검사 방법에 있어서, 우선, 패턴이 샷 단위로 형성된 기판을 기초하여 포토 맵을 획득하고, 상기 포토 맵의 중심 좌표를 검출하고, 상기 중심 좌표를 기준으로 다수의 정렬 좌표들을 설정한다. 또한, 상기 다수의 샷들을 구분하기 위한 구분선들의 교차 좌표들을 등록하여 검사 공정 레서피를 설정한다. 이어서, 반도체 기판을 검사 스테이지 상으로 로딩시키고, 상기 중심 좌표, 정렬 좌표들 및 교차 좌표들을 이용하여 상기 기판의 위치를 인식한다. 상기 정렬 좌표들 및 교차 좌표들을 이용하여 상기 기판의 측정 위치를 검출하여 상기 측정 위치에 해당하는 막 또는 패턴의 두께를 측정한다. 여기서, 상기와 같이 샘플 반도체 기판 없이 포토 맵으로 공정 레서피를 설정함으로써, 공정 레서피 설정 시간을 단축시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060072894A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：KR1020040111661

申请日：2004-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용길 ,  김봉수 ,  곽정호

IPC: G01N21/3559 ,  G01N21/84

Abstract: 반도체 제조 공정에서 박막의 농도 측정 방법이 개시된다. 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼에 상에 박막을 형성하고, 푸리에 변환 적외선 측정법을 이용하여 상기 박막에 대한 제1적외선 흡수 스펙트럼을 획득한다. 상기 제1적외선 흡수 스펙트럼에 형성된 노이즈를 제거하기 위하여 상기 제1적외선 흡수 스펙트럼을 스무딩(smoothing) 처리하여 제2적외선 흡수 스펙트럼을 획득한다. 상기 제2적외선 흡수 스펙트럼에서 잔류하는 노이즈 영역에 대하여 마스킹(masking) 영역을 설정하고, 상기 마스킹 영역을 제외한 피크들의 면적들을 산출한다. 그리고, 상기 면적들로부터 상기 피크들이 나타내는 물질들 사이의 농도를 산출할 수 있다. 따라서, 테스트 웨이퍼를 별도로 제작할 필요 없이, 제조 공정을 진행되는 런(run) 웨이퍼를 이용하여 상기 박막에 포함되어 있는 불순물의 농도를 용이하게 측정할 수 있다.