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公开(公告)号：KR101911314B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020120033339
申请日：2012-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01T1/24 , A61B6/00 , H01L31/115
CPC classification number: G01T1/247 , H01L27/14636 , H01L27/14676
Abstract: 엑스선검출기를제공한다. 본엑스선검출기는제1 영역및 제2 영역으로구성된실리콘기판, 제1 영역에배치되며엑스선을검출하는복수개의픽셀, 제2 영역에배치되며복수개의픽셀에공통의제어신호를공급하는제어패드, 제1 영역에배치되며복수개의픽셀중 그룹핑된픽셀단위로전원을공급하는전원패드를포함한다.
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公开(公告)号：KR101894392B1
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：KR1020110145018
申请日：2011-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/16 , G01T1/243 , H01L27/14676 , H01L31/035281 , H01L31/119 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 다중에너지방사선검출기및 그제조방법이개시된다. 개시된다중에너지방사선검출기는, 서로다른두께를가지는복수영역을포함하는광전변환층에서각각서로다른에너지대역의방사선을검출함으로써하나의검출기를이용하여다중에너지대역의영상을얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR101675114B1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020090051060
申请日：2009-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된트랜지스터는기판상에형성된활성층; 상기활성층에각각접촉형성된소오스전극및 드레인전극; 상기활성층위에형성된게이트전극: 상기기판과상기활성층사이에마련되어, 외부로부터의광이상기활성층으로입사되는것을차단하는광차단막;을포함한다.
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公开(公告)号：KR101654140B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020100028616
申请日：2010-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/085 , G01T1/24
Abstract: 산화물반도체트랜지스터를구비한엑스선검출기가개시된다. 개시된산화물반도체트랜지스터를구비한엑스선검출기는, 기판상에서직렬로배치된산화물반도체물질로형성된채널을구비한산화물반도체트랜지스터및 신호저장커패시터와포토컨덕터를구비한다. 포토컨덕터의양면에는각각픽셀전극및 공통전극이형성된다. 상기채널은 ZnO 또는 ZnO에 Ga, In, Hf, Sn 중선택된적어도하나를포함하는화합물로이루어진산화물반도체채널이다.
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公开(公告)号：KR1020160060506A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140162953
申请日：2014-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 광계수방법, 이를이용한광계수장치, 및방사선촬영장치가개시된다. 개시된광계수방법은입력되는방사선포톤들에상응하는전하신호를기초로방사선포톤들을계수함에있어서, 방사선포톤에대한계수값데이터의변화를최소화하는방식으로계수한다.
Abstract translation: 公开了光子计数方法，使用该光子计数方法的光子计数装置和放射线照相装置。 所公开的光子计数方法能够通过基于对应于输入的放射性光子的电荷信号计数光子来最小化关于放射性光子的计数值数据的变化来计数放射性光子。 该方法包括接收与输入的放射性光子相对应的电荷信号的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101597769B1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：KR1020090131842
申请日：2009-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 나노와이어를이용한압력센서가개시된다. 상기압력센서는게이트, 절연층, 채널, 소스/드레인을포함하는트랜지스터; 상기트랜지스터의소스/드레인과연결되는제 1 전극; 상기제 1 전극위에수직으로배치된다수의압전성나노와이어들로이루어진나노와이어층; 및상기나노와이어층 위에배치된제 2 전극;을포함하는압전셀을이용한압력센서에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150046641A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：KR1020130126107
申请日：2013-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전하증폭기, 이를포함한검출기및 엑스선촬영장치를제공한다. 본전하증폭기는, 입력된전하를증폭시키는증폭부, 일단은증폭부의입력단과연결되고타단은증폭부의출력단과연결된커패시터및 입력단의임피던스는출력단의임피던스보다작으며출력단은증폭부의입력단및 커패시터의일단과연결되는버퍼부를포함한다.
Abstract translation: 提供电荷敏感放大器，检测器和X射线摄影装置。 电荷敏感放大器包括：用于放大输入的电荷的放大部分; 其一端与放大部的输入端连接的能力，另一端连接到放大部的输出端; 以及缓冲部分，其中输入端的阻抗小于输出端的阻抗，并且输出端连接到放大部分的输入端和容量的一端。
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公开(公告)号：KR1020150024721A
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020130102001
申请日：2013-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01T1/24
Abstract: 전압의 초기화 시점을 적응적으로 결정하는 방법을 개시한다. 전압을 초기화하는 방법은 입력된 광자(photon)를 이용하여 시간에 따라 변화하는 전압을 획득하는 단계; 상기 획득된 전압이 상승하는 구간에서의 시간 정보를 이용하여 상기 전압 값을 초기화(reset)시킬 시점을 결정하는 단계; 및 상기 결정된 시점에 기초하여 상기 전압을 초기화시키는 단계;를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于自适应地确定电压的复位点的方法。 用于重置电压的方法包括以下步骤：使用输入的光子获取随时间变化的电压; 在获取的电压上升的时段内，使用时间信息设定电压的复位点; 并且基于确定的点来重置电压。
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公开(公告)号：KR101416879B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020080097786
申请日：2008-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G11C8/06 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G11C13/0069
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리의 동작 방법은, 통상적인 프로그래밍 동작에서는 비휘발성 메모리의 상태를 한쪽 방향으로만 천이시킨다.
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公开(公告)号：KR101402189B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020070061875
申请日：2007-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/302
CPC classification number: C09K13/06 , H01L21/467 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각 용액에 관한 것이다. 게이트, 상기 게이트에 대응되는 위치에 Zn 산화물로 형성된 채널, 상기 게이트 및 채널 사이에 형성된 게이트 절연체 및 상기 채널의 양측부와 각각 접촉하며 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 및 드레인 사이의 채널에 형성된 함입부를 포함하는 Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 상기 함입부 형성용 Zn 산화물 식각 용액을 제공한다.
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