公开(公告)号：KR1019970076203A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960015912

申请日：1996-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근

IPC: G06F3/14

Abstract: 본 발명은 그래픽(graphic), 비디오/오디오(Video/Audio) 그리고 사운드(Sound)에 관한 데이터의 처리 기능을 갖는 멀티미디어 데이터 처리 장치(an apparatus with processing multi-media data)에 관한 것으로서, 그래픽 데이터 처리부(50)에 의해 2/3차원 그래픽 데이터의 처리가 고속으로 이루어지며, MPEG 데이터 처리부(70)에 의해 MPEG 데이터의 변환/재생에 따른 포맷팅/디포맷팅이 이루어지며 이외의 변환/재생에 따른 데이터의 처리는 호스트에 의해 처리되며, 사운드 데이터 처리부(80)에 의해 사운드/미디 데이터의 처리가 이루어진다. 또한 이상의 멀티미디어 데이터 처리장치(200)는 하나의 반도체 칩에 직접되는 원칩의 형태로 제공될 수 있다.

公开(公告)号：KR100114350B1

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：KR1019920002220

申请日：1992-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김석기 ,  이석정 ,  안형근

IPC: G06F3/06

公开(公告)号：KR1019950028033A

公开(公告)日：1995-10-18

申请号：KR1019940005020

申请日：1994-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  이석정 ,  김광호 ,  변태수

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1019930002853B1

公开(公告)日：1993-04-12

申请号：KR1019900014001

申请日：1990-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  주태식 ,  김영철 ,  이석정

IPC: H03M13/00 ,  G06F11/10

Abstract: The method corrects errors with a simple hardware to simplify the correcting process. The apparatus includes a syndrome generator (101) for generating syndromes according to the received word data of 1 block and parity inspecting process, a word position counter (104) for counting word position value (α) by a block, an error value calculator (106) for calculating error value, and a buffer memory (109) for delaying received word and supplying it to an adder (108).

Abstract translation: 该方法使用简单的硬件来纠正错误，以简化纠正过程。 该装置包括：根据1块的接收字数据和奇偶检验处理产生校正子的校正子发生器（101），用于通过块对字位置值（α）进行计数的字位计数器（104），误差值计算器 106）和用于延迟接收字并将其提供给加法器（108）的缓冲存储器（109）。

公开(公告)号：KR1019930000815B1

公开(公告)日：1993-02-05

申请号：KR1019900002072

申请日：1990-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  김영철 ,  이석정 ,  유중재

IPC: G11C17/00

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C7/12 ,  G11C8/00 ,  G11C17/12

Abstract: The ROM circuit for simplifying the ciruit construction of the AND circuit portion (3) to reduce the required area generates N bit of data programed at the respective cross section of output lines (D0- D2) and word lines (W0-W3) by decoding M bit of address signals. The ROM circuit comprises a decoder (10), a gate unit (22), a memory cell array (24) and a precharger (26). The decoder generates a word signal from an input address signal. The gate unit supplies a word signal to a corresponding word line according to a clock signal. The memory cell array stores the desired data according to the combinational existance of MOS transistors at the respective cross section of the word lines and the output lines. The respective output lines are precharged according to the clock signal.

Abstract translation: 用于简化AND电路部分（3）的电路结构以减少所需面积的ROM电路通过解码产生在输出线（D0-D2）和字线（W0-W3）的各截面处编程的数据的N位 M位地址信号。 ROM电路包括解码器（10），门单元（22），存储单元阵列（24）和预增压器（26）。 解码器从输入地址信号产生字信号。 门单元根据时钟信号将字信号提供给对应的字线。 存储单元阵列根据MOS晶体管在字线和输出线的相应截面上的组合存在期望的数据。 各个输出线根据时钟信号进行预充电。

公开(公告)号：KR100057004B1

公开(公告)日：1992-12-03

申请号：KR1019890003597

申请日：1989-03-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근

IPC: G06F7/52

公开(公告)号：KR101559912B1

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：KR1020090027622

申请日：2009-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  신승백 ,  조성래 ,  안형근 ,  임동현 ,  박영림 ,  김중현

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 상변화메모리소자의형성방법을제공할수 있다. 이를위해서, 하부전극및 층간절연막을가지는반도체기판이준비될수 있다. 상기하부전극은층간절연막으로둘러싸일수 있다. 상기반도체기판을반도체증착장비의공정챔버내 안착시킬수 있다. 상기공정챔버내 소오스가스들, 반응가스및 퍼지가스를주입해서반도체기판상에상변화물질막을형성할수 있다. 상기소오스가스들은공정챔버에동시에주입될수 있다. 상기상변화물질막은층간절연막을통해서하부전극과접촉할수 있다. 상기층간절연막을노출시키도록상변화물질막을식각해서층간절연막에상변화메모리셀을형성할수 있다. 상기상변화메모리셀 상에상부전극을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110095040A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100014838

申请日：2010-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현 ,  김익수 ,  조성래 ,  안형근

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for manufacturing phase change materials are provided to obtain the phase change materials with high film property by using a metal organic source and a tellurium source with high vapor pressure. CONSTITUTION: A first source supply unit supplies tellurium source to a process chamber(180) and includes a source container(150), a flow controller(160), and a vaporizer(170). A second source supply unit supplies a metal organic source to a process chamber with a bubbler method and includes an antimony source container(140), a first valve, and pipes(141,142). A reactive gas supply unit includes a reactive gas container(110) and a pipe(111).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造相变材料的装置和方法，以通过使用金属有机源和高蒸气压的碲源获得具有高膜性能的相变材料。 构成：第一源供应单元向处理室（180）供应碲源，并且包括源容器（150），流量控制器（160）和蒸发器（170）。 第二源供应单元使用起泡器方法将金属有机源提供给处理室，并且包括锑源容器（140），第一阀和管（141,142）。 反应性气体供给单元包括反应性气体容器（110）和管道（111）。

公开(公告)号：KR1020100109163A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020090027622

申请日：2009-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  신승백 ,  조성래 ,  안형근 ,  임동현 ,  박영림 ,  김중현

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A method of forming a phase change memory device is provided to supply electrical bit to a phase change device by forming a void in the phase change memory cell. CONSTITUTION: A first to third source gas(G1-G3) are inserted into a process chamber. The first source gas has a germanium precursor. A second source gas has an antimony precursor. A third source gas has a tellurium precursor. A reaction gas is inserted into a process chamber during the time of inserting the first to the third gas. A purge gas is inserted into the process chamber during the time of inserting the first to the third gas. A phase change material layer is filled into the opening the inter-layer insulating film of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供形成相变存储器件的方法，通过在相变存储器单元中形成空隙来向相变器件提供电位。 构成：将第一至第三源气体（G1-G3）插入处理室。 第一源气体具有锗前体。 第二源气体具有锑前体。 第三源气体具有碲前体。 在插入第一至第三气体期间，将反应气体插入处理室。 在插入第一至第三气体期间，将吹扫气体插入处理室。 将相变材料层填充到半导体衬底的层间绝缘膜的开口中。

公开(公告)号：KR1020100066819A

公开(公告)日：2010-06-18

申请号：KR1020080125301

申请日：2008-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  안형근 ,  오규환 ,  안동호 ,  이진일

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L27/24

Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact structure, a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and the semiconductor device are provided to minimize a reset current of a phase change memory device by minimizing an interfacial area between a phase change material film and an electrode. CONSTITUTION: A first molding pattern(24) including a first opening is formed on a substrate(1). An insulating film which covers the sidewall of the first opening is formed. A second molding pattern(30) which fills the rest of the first opening is formed. A mask exposing a part of the insulating layer is formed on the substrate including the second molding pattern. An insulating pattern(27a) is formed between the first and the second molding patterns. The exposed insulating layer is selectively etched.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成接触结构的方法，使用该接触结构的半导体器件的制造方法以及半导体器件，以通过使相变材料膜和相变材料膜之间的界面面积最小化来最小化相变存储器件的复位电流 电极。 构成：在基板（1）上形成包括第一开口的第一成型图案（24）。 形成覆盖第一开口的侧壁的绝缘膜。 形成填充第一开口的其余部分的第二模制图案（30）。 在包括第二成型图案的基板上形成露出绝缘层的一部分的掩模。 绝缘图案（27a）形成在第一和第二模制图案之间。 暴露的绝缘层被选择性地蚀刻。