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    레티클 형성용 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법
    2.
    发明公开
    레티클 형성용 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법 审中-实审
    用于制造反应物的曝光系统和制造方法

    公开(公告)号：KR1020130044385A

    公开(公告)日：2013-05-03

    申请号：KR1020110085039

    申请日：2011-08-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최진 ,  정진하 ,  블라디미르우라자에브 ,  이혜연

    IPC: H01L21/027 ,  G03F1/36 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

    CPC classification number: H01J37/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  Y10S430/143 ,  G03F1/36 ,  H01L21/0274

    Abstract: PURPOSE: An exposure system for forming a reticle and a method for manufacturing the reticle are provided to manufacture a reticle having various shapes of pattern without deflecting an electron beam by moving a second aperture plate. CONSTITUTION: A blank reticle(32) coated with a photosensitive layer is loaded. A second aperture plate(20) is moved so that an electronic beam passing through a second aperture for a first pattern and maintains the optical axis of the electronic beam passing through a first aperture(14a). A photosensitive film is exposed using the first electronic beam passing through the second aperture for the first pattern to form a first exposure pattern(40a). The position of the second aperture plate is changed so that the electronic beam passes through the second aperture(22b) for a second pattern and its optical axis is maintained. The photosensitive film is exposed using the second electronic beam passing through the second aperture for the second pattern to form a second exposure pattern(40b). [Reference numerals] (AA) Second area; (BB) First area

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成掩模版的曝光系统和用于制造掩模版的方法，以通过移动第二孔板来制造具有各种图案形状而不偏转电子束的掩模版。 构成：装载涂有感光层的空白掩模版（32）。 移动第二孔板（20）使得电子束通过用于第一图案的第二孔径并且保持电子束的光轴通过第一孔（14a）。 使用通过用于第一图案的第二孔的第一电子束曝光感光膜，以形成第一曝光图案（40a）。 改变第二孔板的位置，使得电子束通过第二孔（22b）以保持第二图案并保持其光轴。 使用通过用于第二图案的第二孔的第二电子束曝光感光膜，以形成第二曝光图案（40b）。 （附图标记）（AA）第二区域; （BB）第一区

    냉장고
    3.
    实用新型
    냉장고 无效

    公开(公告)号：KR2020090004341U

    公开(公告)日：2009-05-11

    申请号：KR2020070017820

    申请日：2007-11-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박용필 ,  블라디미르우라자에브 ,  이선명

    IPC: F25D17/00 ,  F25D17/04 ,  F25D11/00

    CPC classification number: F25D21/04 ,  F25D17/04 ,  F25D21/14 ,  F25D23/069 ,  F25D2317/0653

    Abstract: 본 고안은 냉장고의 증발기 결빙을 억제하는 냉기귀환유로에 관한 것이다.
    본 고안에 따른 냉장고는 냉동실과 냉장실을 구비하는 본체;와, 상기 냉동실과 상기 냉장실을 구획하는 격벽;과, 상기 냉동실 및 상기 냉장실에서 유입되는 공기를 냉각시키는 냉각실;과, 상기 냉장실의 공기가 상기 냉각실로 이동하는 유로를 형성하는 냉기귀환유로;를 포함하고, 상기 냉기귀환유로는 상기 냉장실의 공기를 응결시키도록 그 단면적이 작아지게 형성되는 축소부;를 포함하여 구성되는 것이다.
    본 고안은 냉장실의 공기를 증발기 측으로 이동하는 경로인 냉기귀환유로의 단면적을 변화시킴으로써 증발기의 결빙을 억제하는 효과가 있다.

    전자빔 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법
    6.
    发明公开
    전자빔 노광 장치 및 이를 이용한 레티클 제조 방법 审中-实审
    电子束曝光系统及其制作方法

    公开(公告)号：KR1020120125796A

    公开(公告)日：2012-11-19

    申请号：KR1020110043452

    申请日：2011-05-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최진 ,  정진하 ,  블라디미르우라자에브 ,  이혜연

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  H01L21/0275 ,  G03F7/2063

    Abstract: PURPOSE: An electron-beam exposure device and a method for manufacturing a reticle using the same are provided to shorten manufacturing time by exposing non-important patterns with electronic beam of large size. CONSTITUTION: A photosensitive film is coated on a blank reticle. First shot patterns within an important pattern area are exposed using first electronic beam(S14). Second shot patterns within a non-important pattern area are exposed using second electronic beam(S18). The second electronic beam comprises a cross-sectional area larger than the first electronic beam. A first mask pattern and a second mask pattern are formed by developing the photosensitive film(S22). A reticle is completed by etching the blank reticle using the first mask pattern and the second mask pattern. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) A blank reticle is loaded on a stage; (S12) The size of a first opening of a first aperture is controlled; (S14) First shot patterns within an important pattern region are exposed with a first electronic beam created by being passed the first opening; (S16) The size of the first opening of the first aperture is controlled to be increased; (S18) Second shot patterns within a non-important region are exposed with a second electronic beam created by being passed the first opening; (S20) The second shot patterns are repeatedly exposed; (S22) First and second mask patterns are formed by developing a photosensitive film; (S24) A reticle is formed by performing an etching process

    Abstract translation: 目的：提供电子束曝光装置和使用其的掩模版的制造方法，以通过用大尺寸的电子束曝光非重要图案来缩短制造时间。 构成：将感光膜涂覆在空白掩模版上。 使用第一电子束曝光重要图案区域内的第一拍摄图案（S14）。 使用第二电子束暴露非重要图案区域内的第二拍摄图案（S18）。 第二电子束包括大于第一电子束的横截面积。 通过使感光膜显影来形成第一掩模图案和第二掩模图案（S22）。 通过使用第一掩模图案和第二掩模图案蚀刻空白掩模版来完成掩模版。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）将一个空白掩模版装载在舞台上; （S12）控制第一孔的第一开口的尺寸; （S14）重要图案区域内的第一拍摄图案通过通过第一开口而产生的第一电子束曝光; （S16）控制第一孔的第一开口的尺寸增大; （S18）非重要区域内的第二射击图案通过通过第一开口而产生的第二电子束曝光; （S20）第二拍摄图案被重复曝光; （S22）通过显影感光膜形成第一和第二掩模图案; （S24）通过进行蚀刻处理来形成掩模版

    연수기 및 이를 갖춘 세탁기
    7.
    发明公开
    연수기 및 이를 갖춘 세탁기 无效
    水洗衣机和洗衣机

    公开(公告)号：KR1020080107209A

    公开(公告)日：2008-12-10

    申请号：KR1020070055242

    申请日：2007-06-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 함정윤 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  노지마히데오

    IPC: C02F1/00 ,  C02F5/00 ,  C02F1/42

    CPC classification number: C02F1/001 ,  C02F1/42 ,  C02F5/00 ,  C02F2307/12

    Abstract: A water softener is provided not to inject a NaCl solution for regenerating an ion-exchange resin and to supply continuously soft water. A water softener without injecting a NaCl solution in an ion exchanger contains ion exchangers(21A, 21B) including an ion-exchange resin. The ion exchanger contains a first ion exchanger and a second ion exchange unit for softening water and regenerating the ion-exchange resin by turns. Additionally, the water softener contains an acidity water forming unit(22) for supplying acidity water selectively to one of the first ion exchanger and the second ion exchange unit by generating the acidity water in which large amount of cation is included.

    Abstract translation: 提供一种软水器不注入用于再生离子交换树脂的NaCl溶液并且连续供给软水。 在离子交换器中不注入NaCl溶液的软水剂含有离子交换树脂的离子交换体（21A，21B）。 离子交换器包含第一离子交换器和第二离子交换单元，用于软化水并轮流再生离子交换树脂。 此外，软水剂含有酸性水形成单元（22），用于通过产生包含大量阳离子的酸性水，向第一离子交换器和第二离子交换单元之一选择性地供给酸性水。

    상변화 메모리 소자의 형성방법
    9.
    发明授权
    상변화 메모리 소자의 형성방법 有权
    形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：KR101559912B1

    公开(公告)日：2015-10-13

    申请号：KR1020090027622

    申请日：2009-03-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이진일 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  신승백 ,  조성래 ,  안형근 ,  임동현 ,  박영림 ,  김중현

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    Abstract: 상변화메모리소자의형성방법을제공할수 있다. 이를위해서, 하부전극및 층간절연막을가지는반도체기판이준비될수 있다. 상기하부전극은층간절연막으로둘러싸일수 있다. 상기반도체기판을반도체증착장비의공정챔버내 안착시킬수 있다. 상기공정챔버내 소오스가스들, 반응가스및 퍼지가스를주입해서반도체기판상에상변화물질막을형성할수 있다. 상기소오스가스들은공정챔버에동시에주입될수 있다. 상기상변화물질막은층간절연막을통해서하부전극과접촉할수 있다. 상기층간절연막을노출시키도록상변화물질막을식각해서층간절연막에상변화메모리셀을형성할수 있다. 상기상변화메모리셀 상에상부전극을형성할수 있다.

    연수기
    10.
    发明授权
    연수기 有权
    软水机

    公开(公告)号：KR101227852B1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：KR1020070048419

    申请日：2007-05-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 함정윤 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  노지마히데오

    IPC: C02F1/42 ,  C02F1/46 ,  C02F1/00

    Abstract: 처리 용량을 종래에 비해 증가된 전기 탈이온화 방식의 연수기가 개시된다. 본 발명에 따른 연수기는 양이온교환막과 음이온교환막 사이에 이온교환물질이 충전된 탈염실과 양이온 및 음이온교환막 외측에 구성되는 농축실이 스택 구조로 배열되고, 스택 구조의 외측에 음극과 양극이 각각 마련되는 연수기에 있어서, 탈염실에 이온교환물질을 이온교환수지로 충전할 경우에는 내측은 액상이고 외측은 고상인 캡슐 형태나, 내외측의 밀도가 다르거나, 이온교환기를 외측에 집중시킨 형태로 설치함으로써, 이온교환수지 입자 크기가 크더라도 이온의 흡착 및 이동속도를 모두 증가시켜 처리 용량을 현저하게 늘릴 수 있다. 또한, 이온교환물질을 이온교환섬유로 충전할 경우에는 직물 형태나 두께가 서로 다른 형태나, 중공이 구비된 형태나, 표면에 요철이 마련된 형태나, 방향성을 구비하는 등의 다양한 형태로 설치함으로써, 상기와 마찬가지로 이온 흡착 및 이동속도를 증가시켜 처리 용량을 현저하게 늘릴 수 있다.

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