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公开(公告)号:KR1019990005269A
公开(公告)日:1999-01-25
申请号:KR1019970029464
申请日:1997-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 오정민
IPC: G02F1/133
Abstract: 이 발명은 그래픽 제어장치에서 제공되는 색신호 데이타의 비트수가 액정 표시 장치가 지원하는 색신호 데이타의 비트수보다 더 클 경우에 사용하기에 적합한 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 입력되는 색신호 데이타의 소정 하위 비트를 이용하여 나머지 비트에 의해 표시되는 임의의 두 계조 사이의 중간계조를 표시할 수 있으며, 특히 매프레임마다 홀수행의 화소와 짝수행의 화소에서의 계조 움직임이 서로 반대로 이루어지도록 함으로써 플리커가 인식되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1019980067902A
公开(公告)日:1998-10-15
申请号:KR1019970004255
申请日:1997-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 오정민
IPC: G09G3/36
Abstract: 본 발명에 따른 표시 장치에서는 두 게이트선에 동시에 주사 신호를 공급하여 주사 신호 공급 시간을 종래의 두 배로 하고, 프레임 메모리에 입력되는 화상 데이터의 주기보다 프레임 메모리로부터 출력되는 화상 데이터의 주기를 두 배로 늘여, 화상 데이터 주기를 두 배로 늘여, 화상 데이터 전압이 화소에 충전되는 시간을 두배로 늘임으로써, 양호한 화질을 얻을 수 있다.
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57.세정 장치, 그를 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템, 화학적 기계적 연마 후 세정 방법 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
Title translation: 一种清洁装置,包括该清洁装置的化学机械抛光系统,化学机械抛光后的清洁方法以及包括该清洁装置的半导体装置的制造方法公开(公告)号:KR1020170119273A
公开(公告)日:2017-10-26
申请号:KR1020160094385
申请日:2016-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 본발명은세정장치, 그를포함하는화학적기계적연마시스템, 화학적기계적연마후 세정방법, 및그를포함하는반도체소자의제조방법을개시한다. 그의장치는제 1 약액과, 상기제 1 약액을용해시키는제 1 용액을함유하는제 1 스프레이를기판에제공하는제 1 이중노즐을포함하는제 1 세정부, 그리고상기제 1 약액과다른제 2 약액과, 상기제 2 약액을용해시키고상기제 1 용액과동일한제 2 용액을함유하는제 2 스프레이를상기기판상에제공하는제 2 이중노즐을포함하는제 2 세정부를포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种清洁装置,包括该清洁装置的化学机械抛光系统,化学机械抛光后的清洁方法以及包括该清洁装置的半导体装置的制造方法。 该设备包括:第一清洁单元,其包括第一双喷嘴和第一双喷嘴,用于向基板提供包含第一溶液和用于溶解第一溶液的第一溶液的第一喷雾, 以及第二清洁部件,其包括用于溶解第二化学溶液的第二双喷嘴并且在包含与第一溶液相同的第二溶液的基板上提供第二喷雾。
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58.초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법 审中-实审
Title translation: 用于使用包括其的超临界流体衬底处理系统处理衬底的装置以及使用其处理衬底的方法公开(公告)号:KR1020170006570A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:KR1020150097391
申请日:2015-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67017
Abstract: 기판처리장치및 방법에있어서, 초임계유체를이용하여기판을처리(process)하는공정챔버, 내부압력이제1 공정압력이되도록공정챔버로상기초임계유체를주입하는주입밸브및 초임계유체를고속으로보충하여공정챔버의내부에난류유동을생성하고감압된내부압력을제1 공정압력으로회복시키는난류생성기를구비하는공정유체공급모듈및 기판으로부터분리된약액과초임계유체의혼합물인초임계혼합물을부분적으로추출하여내부압력을상기제1 공정압력보다낮은제2 공정압력으로감압하는감압유닛을포함한다. 초임계혼합물의부분적인배출과초임계부분적인보충을반복적으로수행하여약액제거효율을높이고초임계혼합을단계적으로제거하여단열팽창에의한아이스파티클의생성을억제한다.
Abstract translation: 公开了一种处理基板的设备和处理基板的方法。 该设备包括入口阀,超临界流体通过入口阀流入处理室直到处理室的内部压力达到第一压力,湍流发生器湍流地将超临界流体补充到处理室中,直到处理室的内部压力 被恢复到第一压力。 压降模块部分地从处理室移除超临界混合物,直到处理室的内部压力下降到第二压力。 压降模式和补充模式可以由流量控制器交替重复。
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公开(公告)号:KR1020160142653A
公开(公告)日:2016-12-13
申请号:KR1020150078662
申请日:2015-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G5/39 , G06T1/60 , G09G5/001 , G09G2340/02 , G09G2350/00 , G09G2360/08
Abstract: 시스템온 칩(system on chip) 및시스템온 칩의동작방법이개시된다. 일실시예에따른시스템온 칩의동작방법은, 프로세서(processor)의제어에의해수행되는시스템온 칩의동작방법으로, 상기시스템온 칩의버퍼메모리(buffer memory)의할당에대한요청을분석하여제1 특성을설정하는단계; 상기버퍼메모리의할당에대한요청에응답하여, 상기버퍼메모리의제1 영역을할당하는단계; 및상기제1 특성에근거하여, 상기제1 영역으로제공되는데이터(data)에대한압축여부를달리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供片上设备的系统和操作片上系统的方法。 一种示例性方法包括:通过分析片上系统的缓冲存储器的分配请求来设置第一特性; 响应于缓冲存储器的分配请求,分配缓冲存储器的第一区域; 以及压缩或不压缩提供给第一特征的第一区域的数据。
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公开(公告)号:KR1020160127582A
公开(公告)日:2016-11-04
申请号:KR1020150059184
申请日:2015-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426 , G03F7/039 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/266 , H01L21/31133 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L29/16
Abstract: 포토레지스트제거용조성물은불화알킬암모늄염 0.5 중량% 내지 10 중량%, 유기술폰산 1 중량% 내지 20 중량%, 및락톤계용매 70 중량% 내지 98.5 중량%를포함한다.
Abstract translation: 基于组合物的总重量,用于除去光致抗蚀剂的组合物,其包含约0.5重量%至约10重量%的烷基铵氟化物盐; 基于组合物的总重量的约1重量%至约20重量%的量的有机磺酸; 和基于组合物总重量的约70重量%至约98.5重量%的内酯类溶剂。
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