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公开(公告)号：WO2022196936A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/KR2022/001815
申请日：2022-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치는, 인스트럭션들을 포함하는 메모리와, 상기 인스트럭션들을 실행하기 위한 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서에 의해 상기 인스트럭션들이 실행될 때, 상기 프로세서는, LTE 셀에 연결 실패하여 EMM 타이머(EPS(evolved packet system) mobility management timer)가 활성화되고 NR 셀에 연결된 상황에서 MO 콜(mobile originated call)이 시도된 경우, LTE 네트워크에 대한 연결 장애의 원인을 판단하고, 리디렉션 정보를 수신하고, 상기 원인이 약전계로 인한 연결 실패 또는 일시적인 네트워크 장애인 경우, VoLTE를 작동시키기 위해 상기 리디렉션 정보에 기초하여 결정된 타겟 셀에 트래킹 영역 업데이트를 요청할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022102964A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/013471
申请日：2021-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 일실시예에 따른 사용자 단말은 네트워크 노드로부터 등록 허용 메시지를 수신하고, 등록 허용 메시지로부터 NSSAI를 추출하며, NSSAI에 포함된 적어도 하나의 S-NSSAI에 기초하여 미리 정해진 슬라이스 유형에 대응하는 거절 NS 리스트를 생성하며, 거절 NS 리스트에 기초하여 해당 슬라이스 유형의 서비스를 지원하는 PLMN 및 셀 중 적어도 하나를 결정한다.
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公开(公告)号：KR1020170029758A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126736
申请日：2015-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/67051 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67017
Abstract: 반도체세정공정시스템은반도체기판이로딩되는공정챔버, 공정챔버내부로유기불화물, 유기산및 유기용매를포함하는세정액을공급하는세정액공급부, 공정챔버로부터배출된세정액을회수하는회수부, 회수부에수집된회수액의불소농도를측정하는제1 농도측정부, 및상기제1 농도측정부에의해측정된상기불소농도에따라상기세정액공급부에상기유기불화물을보충하는서브-세정액공급부를포함한다.
Abstract translation: 半导体清洗处理系统被收集到回收单元，用于回收从清洗液供给部排出的清洗液回收部，用于供给含有有机氟化物，有机酸和有机溶剂到所述处理室中的清洗液中的处理室，所述处理室是半导体衬底装载 以及副清洁液体供应单元，用于根据由第一浓度测量单元测量的氟浓度向清洁液体供应单元供应有机氟化物。
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公开(公告)号：KR1020170029063A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150125595
申请日：2015-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/02101 , H01L21/31111 , H01L21/67028 , H01L21/67253 , H01L21/67276
Abstract: 본발명은기판처리방법을개시한다. 그의방법은, 선행기판을세정하는단계와선행기판을건조하고후속기판을세정하는단계를포함한다. 선행기판을건조하는단계와후속기판을세정하는단계는선행기판의건조를시작한후의일정시점을후속기판의세정시작시점으로판단하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 在实施例中，该方法包括清洗前面的衬底，干燥前面的衬底并清洁下一个衬底。 干燥前面的衬底并清洁下一个衬底包括确定下一个衬底的清洁开始时间，并且清洁开始时间对应于在开始干燥前面的衬底之后的期望时间点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170027919A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124255
申请日：2015-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/67086 , H01L21/67253 , H01L21/67288
Abstract: 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 인산수용액및 실리콘화합물을포함하는약액을이용하여기판을처리하는기판처리유닛및 상기기판처리유닛으로상기약액을공급하는약액공급유닛을포함하되, 상기약액공급유닛은, 상기약액을샘플링하여상기약액의농도를측정하는농도측정부를포함하되, 상기농도측정부는약액의수분의농도를측정하는제 1 농도측정부및 상기약액의실리콘의농도를측정하는제 2 농도측정부를포함한다.
Abstract translation: 一种基板处理装置和基板处理方法，该装置包括使用化学溶液处理基板的基板处理器，所述化学溶液包括磷酸水溶液和硅化合物; 以及向所述基板处理单元供给所述化学溶液的化学溶液供给体，所述化学溶液供给体包含测定所述化学溶液浓度的浓度测定器，所述浓度测定器包括测定所述化学溶液的水浓度的第一浓度测定器 ; 以及测量化学溶液的硅浓度的第二浓度测量器。
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公开(公告)号：KR101691804B1
公开(公告)日：2017-01-10
申请号：KR1020100128776
申请日：2010-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , B08B7/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L27/108 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B7/0021 , H01L21/0206 , H01L21/02104 , H01L21/31111 , H01L22/00 , H01L22/26 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: 기판처리방법에있어서, 기판을공정챔버내에로딩한다. 초임계유체를상기기판상에제공하여초임계유체공정을수행한다. 상기초임계유체공정의진행중에상기공정챔버로부터상기초임계유체를배출시킨다. 상기배출된유체내에포함된대상물질의실시간농도값을측정한다. 상기농도값에따라상기초임계유체공정의종료점을결정한다.
Abstract translation: 在超临界流体法中，将超临界流体供应到处理室中。 当超临界流体处理进行时，超临界流体从处理室排出。 在超临界流体处理中检测从处理室排出的超临界流体中包含的目标材料的浓度。 超临界流体处理的终点可以基于检测到的目标材料的浓度来确定。
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公开(公告)号：KR1020160061731A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140164496
申请日：2014-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/3206 , G06F1/206 , G06F1/324 , Y02D10/126 , Y02D10/16 , Y02D50/20
Abstract: 프로세서와이를포함하는반도체장치가제공된다. 상기프로세서는, 연산부, 상기연산부의제1 연산에대한카운팅을통하여제1 동작패턴를측정하고, 상기연산부의상기제1 연산과다른제2 연산에대한카운팅을통하여제2 동작패턴을측정하는연산카운터, 상기제1 동작패턴에대한제1 가중치와, 상기제2 동작패턴에대한제2 가중치를이용하여, 상기연산부의소비전력을산출하는전력측정부, 및상기산출된소비전력을이용하여, 상기제1 또는제2 연산에이용되는동작주파수를조절하는주파수제어부를포함한다.
Abstract translation: 提供一种处理器和包括该处理器的半导体器件。 处理器包括：操作单元; 操作计数器，其通过对与第一操作不同的操作单元的第二操作进行计数来对操作单元的第一操作进行计数和第二操作模式来测量第一操作模式; 功率测量单元，其通过使用第一操作模式的第一加权值和第二操作模式的第二加权值来计算操作单元的功耗; 以及频率控制单元，其通过使用所计算的功率消耗来调整用于第一或第二操作的操作频率。 本发明的目的是提供一种通过实时考虑功耗来调整操作频率的处理器。
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公开(公告)号：KR1020150066005A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130150774
申请日：2013-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C11D11/00
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057
Abstract: 본발명은초임계세정제의정제방법및 그의정제장치를개시한다. 그의정제방법은, 식각제와, 제 1 세정제, 및제 2 세정제가각각혼합된제 1 혼합용액을제 1 온도이하로가열하여상기식각제및 제 1 세정제를증류하고, 상기제 2 세정제를제거하는단계와, 상기식각제및 상기제 1 세정제를압축또는응축하여상기식각제및 상기제 1 세정제가혼합된제 2 혼합용액을생성하는단계와, 상기제 2 혼합용액을제 1 온도보다낮은제 2 온도이하로가열하여상기식각제를재 증류하고, 상기제 1 세정제를추출하는단계를포함한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了一种超临界清洗剂的净化方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一温度下加热与蚀刻剂，第一清洗剂和第二清洗剂混合的第一混合溶液，蒸馏蚀刻剂和 第一清洗剂并除去第二清洗剂; 压缩或冷凝蚀刻剂和第一清洁剂，从而产生与蚀刻剂和第一清洁剂混合的第二混合溶液; 以及在低于第一温度的第二温度下加热第二混合溶液，再次蒸馏蚀刻剂并提取第一清洗剂及其净化装置。
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公开(公告)号：KR1020120028509A
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100090390
申请日：2010-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01G13/06
Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to prevent a short circuit between bottom electrodes by forming a bowing preventing film having a lower etching rate than that of a mold film in forming a capacitor. CONSTITUTION: A first mold film, a supporting film, a second mold film, a bowing preventing film, and a third mold film are successively formed on a top side of a substrate. The third mold film, the bowing preventing film, the second mold film, the supporting film, and the first mold film are etched partly and a first opening(150b) is formed which to expose a conductive region. A bottom electrode(190) electrically connected to the conductive region is formed on an inner wall of the first opening. The third mold film, the bowing preventing film, and the second mold film are removed. A supporting film pattern(150a) is formed by eliminating a part of the supporting film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成电容器的方法和使用该电容器的半导体器件的制造方法，以通过在形成电容器中形成具有比模具膜蚀刻速率低的蚀刻速率的弓形防止膜来防止底部电极之间的短路 。 构成：在基板的上侧依次形成第一模膜，支撑膜，第二模膜，防弓膜，第三模膜。 部分地蚀刻第三模具薄膜，防弓薄膜，第二模具薄膜，支撑薄膜和第一模具薄膜，并形成露出导电区域的第一开口（150b）。 电连接到导电区域的底部电极（190）形成在第一开口的内壁上。 去除第三模具薄膜，防弓薄膜和第二模具薄膜。 通过消除支撑膜的一部分来形成支撑膜图案（150a）。
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