公开(公告)号：KR1020060032454A

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020040081406

申请日：2004-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: A method of fabricating a poly crystalline silicon thin film transistor (TFT) is provided. The method includes the operations of forming a poly crystalline silicon having a source, a drain, and a channel region between the source and the drain on a substrate in a predetermined pattern; forming an insulating layer on the poly crystalline silicon; forming a silicon-based heat absorption material layer on the insulating layer; exposing the source and the drain by patterning the insulating layer and the heat absorption material layer and forming a gate and a gate insulating layer corresponding to the channel region; injecting impurities into the source, the drain, and the gate; and heat processing the gate insulating layer and the heat absorption material layer by applying thermal energy to the heat absorption material layer. In the heat treatment, the gate material absorbs some of the heat and passes the remaining heat. The heat treatment of the gate insulating layer under the gate can be performed efficiently.

公开(公告)号：KR101813169B1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：KR1020170032461

申请日：2017-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  정지심 ,  권장연 ,  이광희

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

Abstract: 전기적신뢰성이향상된능동형표시장치의스위칭소자및 그구동방법이개시된다. 개시된능동형표시장치의스위칭소자는직렬연결된다수의박막트랜지스터를포함한다. 따라서, 하나의스위칭소자내에서다수의박막트랜지스터가동시에온(ON)이되는시간이외에는, 하나의스위칭소자내의각각의박막트랜지스터에비동시적으로양의전압을인가함으로써스위칭소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了一种具有改善的电可靠性的有源矩阵显示装置的开关元件及其驱动方法。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管。 因此，它可以，开关装置的可靠性由开关元件内将正电压施加到异步给每个在所述一方的开关元件的薄膜晶体管的提高比的时间的晶体管被​​同时导通（ON）薄膜的一些其他 。

公开(公告)号：KR101510212B1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020080053128

申请日：2008-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  박영수 ,  이상윤 ,  김창정 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 투명한산화물반도체를채널물질로사용하는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시되는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법은, 채널층상에보호막을형성한다음, 100℃이상의온도에서 1시간이상열처리공정을수행하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101270174B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020070124383

申请日：2007-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 산화물반도체박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시된제조방법은기판상에게이트를형성한다음, 이게이트를덮도록기판상에게이트절연막을형성하는단계; 게이트절연막상에산화물반도체로이루어진채널층을형성하는단계; 채널층의양측면상에각각소스및 드레인전극을형성하는단계; 채널층에산소를공급하기위한플라즈마처리공정을수행하는단계; 소스및 드레인전극과, 채널층을덮도록보호막을형성하는단계; 및보호막을형성한다음, 열처리공정을수행하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101176539B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020030077763

申请日：2003-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 적층된 제1 열전도막, 상기 제1 열전도막 상에 적층된, 상기 제1 열전도막보다 열전도도가 낮은 제2 열전도막, 상기 제2 열전도막과 상기 제2 열전도막 양쪽의 상기 제1 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막 및 상기 제2 열전도막을 덮는 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 제2 열전도막은 상기 제1 열전도막 상에 형성되는 대신, 상기 제1 열전도막의 일부와 대체될 수 있다. 상기 폴리 실리콘막은 상기 제1 및 제2 열전도막 상에 형성된 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저광을 한번 조사하여 형성한 것이다. 또한, 상기 게이트 적층물은 상기 폴리 실리콘막의 채널영역으로 사용된 부분의 아래쪽에 구비될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110063252A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020100029352

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  이창승 ,  이재철 ,  이상윤 ,  권장연 ,  이광희 ,  손경석

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248

Abstract: PURPOSE: A transistor, a method for manufacturing the same, and an electronic device including the transistor are provided to improve the reliability of a flat display apparatus by being adapted to the flat display apparatus. CONSTITUTION: A multi-layered structure includes a silicon oxide layer(10), a silicon oxynitride layer(20), and a silicon nitride layer(30). The silicon oxide layer is capable of being formed at low temperature between 100 and 250 degrees Celsius or at high temperature between 250 and 450 degrees Celsius. The characteristic change of a channel layer(C1) is suppressed by a protective layer(P1). The thicknesses of a gate(G1), the channel layer, a gate insulating layer, a source electrode(S1), a drain electrode(D1), and a protective layer are respectively between 50 and 300nm, between 40 and 100nm, between 50 and 400nm, between 10 and 200nm, between 10 and 200nm, and between 250 and 1200nm.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件，以通过适用于平板显示装置来提高平板显示装置的可靠性。 构成：多层结构包括氧化硅层（10），氧氮化硅层（20）和氮化硅层（30）。 氧化硅层能够在低于100摄氏度至250摄氏度的低温或250至450摄氏度的高温下形成。 通过保护层（P1）抑制沟道层（C1）的特性变化。 栅极（G1），沟道层，栅极绝缘层，源极（S1），漏极（D1）和保护层的厚度分别为50〜300nm，40nm〜100nm，50nm 在400nm和200nm之间，在10nm和200nm之间，在250nm和1200nm之间。

公开(公告)号：KR1020100135544A

公开(公告)日：2010-12-27

申请号：KR1020090053988

申请日：2009-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  이상윤 ,  이광희 ,  권장연 ,  손경석

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78693 ,  G02F1/136209

Abstract: PURPOSE: A transistor, a method for manufacturing the same, and an electronic element including the same are provided to suppress the change of a threshold voltage in the transistor by including a photo relaxation layer. CONSTITUTION: A transistor includes a source, a drain, a channel layer, a gate insulating layer(GI1), and a gate(G1). The channel layer includes an amorphous oxide semiconductor. The amorphous oxide semiconductor is a ZnO-based oxide. A photo relaxation layer(R1) suppresses the change of a threshold voltage in the transistor due to light. The photo relaxation layer is based on Al_2O_3. The gate insulating layer is based on a silicon oxide.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子元件，以通过包括光弛豫层来抑制晶体管中阈值电压的变化。 构成：晶体管包括源极，漏极，沟道层，栅极绝缘层（GI1）和栅极（G1）。 沟道层包括无定形氧化物半导体。 无定形氧化物半导体是ZnO类氧化物。 光弛豫层（R1）抑制由于光引起的晶体管中的阈值电压的变化。 光致弛豫层基于Al_2O_3。 栅极绝缘层基于氧化硅。

公开(公告)号：KR1020100030995A

公开(公告)日：2010-03-19

申请号：KR1020080090007

申请日：2008-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/458

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor by reducing off current of high drain area is provided. CONSTITUTION: A thin film transistor comprises a gate(11), gate insulation layer(12), channel(13), intermediate layer(14), source and drain(16a,16b). The gate is formed on one are of a substrate. The gate insulation layer is formed on the substrate and gate. The channel is formed on an area corresponding to the gate on the gate insulation layer. The intermediate layer is formed at both upper sides of the channel and on the gate insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过减少高漏区电流来制造薄膜晶体管的方法。 构成：薄膜晶体管包括栅极（11），栅极绝缘层（12），沟道（13），中间层（14），源极和漏极（16a，16b）。 栅极形成在一个基板上。 栅极绝缘层形成在基板和栅极上。 沟道形成在与栅极绝缘层上的栅极对应的区域上。 中间层形成在通道的两个上侧和栅极绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020090122727A

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：KR1020080048676

申请日：2008-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  유병욱 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition apparatus and an atomic layer deposition method using the same are provided to rapidly deposit a film of desired thickness on a substrate by injecting a first source gas, a first purge gas, a second source gas, and a second purge gas at the same time while the substrate or a shower head is moved. CONSTITUTION: A substrate supporting bar(120) is installed inside a reaction chamber, and supports a substrate(10). A shower head(130) includes a nozzle set capable of injecting a first source gas, a second source gas, and a purge gas on the substrate at the same time. At least one among the substrate supporting bar and the shower head is movably installed according to a first direction. A first source gas injection nozzle(31) is arranged in a first row. A purge gas injection nozzle(41,42) is arranged in a second row. A second source gas injection nozzle(32) is arranged in a third row.

Abstract translation: 目的：提供一种原子层沉积装置和使用其的原子层沉积方法，以通过注入第一源气体，第一吹扫气体，第二源气体和第二吹扫来快速沉积在衬底上的所需厚度的膜 同时在衬底或淋浴头移动的同时气体。 构成：衬底支撑杆（120）安装在反应室内，并支撑衬底（10）。 淋浴头（130）包括能够同时在基板上喷射第一源气体，第二源气体和吹扫气体的喷嘴组。 基板支撑杆和淋浴头中的至少一个根据第一方向可移动地安装。 第一源气体喷射喷嘴（31）布置在第一排中。 吹扫气体注入喷嘴（41,42）布置在第二排中。 第二源气体喷射喷嘴（32）布置在第三排中。

公开(公告)号：KR1020090121711A

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：KR1020080047743

申请日：2008-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G09F9/35

Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof for improving the real feeling and immersion are provided to improve the image quality by changing FOV within a predetermined range. CONSTITUTION: A display device includes a flexible base(10) and a hard base(30). An image display structure(20) is formed on a second surface of the flexible base. The hard base comprises a plurality of pieces. A plurality of pieces is closely fixed to the flexible base. The flexible base is bend in a direction of the image display structure. The image display structure is roundly changed. The reality is improved by increase of FOV(Field Of View) by bending of the display device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于改善真实感和浸没的显示装置及其制造方法，以通过在预定范围内改变FOV来改善图像质量。 构成：显示装置包括柔性基座（10）和硬质基座（30）。 图像显示结构（20）形成在柔性基底的第二表面上。 硬底包括多个片。 多个件紧密地固定在柔性基座上。 柔性基座在图像显示结构的方向上弯曲。 图像显示结构被彻底改变。 通过显示装置的弯曲增加FOV（视场）来改善现实。