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公开(公告)号：KR1020150070949A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：KR1020140177554
申请日：2014-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/363 , H04N5/3745 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/363 , H04N5/335 , H04N5/3745
Abstract: 본발명은픽셀리드아웃들에대한의사상관된이중샘플링(CDS: correlated double sampling)을구현하는이미징장치에관한것이다. 본발명의이미징장치는픽셀을포함하는픽셀어레이, 픽셀아웃라인을통해검출된입사광선에근거하여, 픽셀의출력신호를리드아웃하기위한리드아웃회로, 픽셀아웃라인으로부터전압을수신하고, 수신된전압에근거하여리셋트랜지스터의게이트터미널로리셋게이트전압을인가하는피드백루프, 리드아웃되는픽셀을선택하기위한로우선택트랜지스터로로우선택신호의인가를제어하고, 리셋게이트전압이리셋트랜지스터에인가되더라도픽셀이리셋되는것을방지하기위해포토다이오드의오프셋을선택적으로더하는제어기를포함하고, 픽셀은, 픽셀의제어를위한리셋트랜지스터, 리드아웃되는픽셀의선택을제어하는로우선택트랜지스터, 및입사광선에응답하여전류를생성하도록구성된포토다이오드를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种实现像素读出的伪相关双倍采样（CDS）的成像装置。 本发明的成像装置包括：包括像素的像素阵列; 读出电路，被配置为经由像素输出线，基于检测到的入射光读出所述像素的输出信号; 反馈回路，被配置为基于所接收的电压从所述像素输出线接收电压并且将复位栅极电压施加到所述复位晶体管的栅极端子; 以及控制器，被配置为控制对行选择晶体管的行选择信号的应用以选择要读出的像素，并且选择性地向光电二极管添加偏移，以防止复位栅极电压施加到像素 复位晶体管。 像素包括用于控制像素的复位晶体管; 控制要读出的像素的选择的行选择晶体管; 以及被配置为产生响应于入射光的电流的光电二极管。
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公开(公告)号：KR1020140084817A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154733
申请日：2012-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3745 , G01S7/4914 , G01S17/89
Abstract: A depth pixel of a three-dimensional image sensor comprises a light detection unit, an ambient light removing current source, a driving transistor, and a selection transistor. The light detection unit generates a light current based on received light reflected from a subject. The ambient light removing current source generates a compensation current for removing an ambient light component included in the received light in response to a power supply voltage and at least one compensation control signal. The driving transistor amplifies an effective voltage corresponding to the sum of the light current and the compensation current. The selection transistor outputs the amplified effective voltage as depth information in response to a selection signal.
Abstract translation: 三维图像传感器的深度像素包括光检测单元，环境光去除电流源，驱动晶体管和选择晶体管。 光检测单元基于从被摄体反射的接收光产生光电流。 环境光去除电流源响应于电源电压和至少一个补偿控制信号产生用于去除接收的光中包括的环境光分量的补偿电流。 驱动晶体管放大对应于光电流和补偿电流之和的有效电压。 选择晶体管响应于选择信号输出放大的有效电压作为深度信息。
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公开(公告)号：KR1020140075412A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120143715
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14601 , H01L27/14605 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L31/02327 , H01L31/09 , H04N5/332 , H04N5/3745
Abstract: The present invention provides a photodetector and an image sensor including the same. The photodetector has a structure which includes conductive patterns and a middle layer interposed between the conductive patterns. A beam is focused on the middle layer by properly adjusting the length of the conductive pattern and the wavelength of the beam to generate joule heat. Therefore, the beam can be detected by changing the electrical resistance of the middle layer.
Abstract translation: 本发明提供一种光检测器和包括该光电检测器的图像传感器。 光检测器具有包括导电图案和介于导电图案之间的中间层的结构。 通过适当调整导电图案的长度和波长的波长来产生焦耳热，将光束聚焦在中间层上。 因此，可以通过改变中间层的电阻来检测光束。
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公开(公告)号：KR1020140069932A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120137825
申请日：2012-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H04N5/378 , H01L2924/0002 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L2924/00
Abstract: A method of operating an image sensor comprises the steps of: thermoelectric-cooling a pixel by using a thermoelectric element having a thermoelectric bonding which is integrated in the pixel; and performing a photoelectric conversion operation by using the thermoelectric device. The thermoelectric-cooling step is a step of peltier-cooling the pixel by using a peltier device having a peltier bonding.
Abstract translation: 操作图像传感器的方法包括以下步骤：通过使用集成在像素中的具有热电接合的热电元件对像素进行热电冷却; 以及通过使用该热电装置进行光电转换操作。 热电冷却步骤是通过使用具有珀耳帖结合的珀耳帖装置来使像素冷却的步骤。
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55.发明公开포토게이트 구조와 감지 트랜지스터를 포함하는 CMOS 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 审中-实审具有光学结构和感光晶体管的CMOS图像传感器，其方法和包括其的散热处理系统
公开(公告)号：KR1020140047524A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130101728
申请日：2013-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: A CMOS image sensor includes a pixel array comprising multiple pixels, wherein each pixel includes a photogate structure which is controlled based on a first gate voltage and a sensing transistor which includes a charge pocket region formed in a substrate region and is controlled based on a second gate voltage. The photogate structure collects charges generated in response to light incident upon the substrate region based on the first gate voltage. The sensing transistor controls at least one among the threshold voltage of the sensing transistor and the current flowing in the sensing transistor in response to charges transmitted from the photogate structure to the charge pocket region based on the difference between the first gate voltage and the second gate voltage.
Abstract translation: CMOS图像传感器包括包括多个像素的像素阵列，其中每个像素包括基于第一栅极电压控制的光栅结构和感测晶体管，所述感光晶体管包括形成在衬底区域中的电荷袋区域，并且基于第二栅极电极 栅极电压。 光栅结构基于第一栅极电压收集响应于入射在衬底区域上的光而产生的电荷。 感测晶体管响应于基于第一栅极电压和第二栅极之间的差从光栅结构传输到电荷阱区域的电荷，控制感测晶体管的阈值电压和在感测晶体管中流动的电流中的至少一个 电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140047512A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020130073997
申请日：2013-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/363 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: A binary CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention comprises: a pixel array including a pixel having a plurality of sub-pixels; and a readout circuit which readouts a pixel signal outputted from the pixel, wherein the readout circuit quantizes the pixel signal corresponding to the sub-pixel signals outputted from the sub-pixels activated in response to incident light among the sub-pixels by using a reference signal. A resistance value of each of the plurality of sub-pixels is determined based on a number of photons generated in response to the incident light.
Abstract translation: 根据本发明实施例的二进制CMOS图像传感器包括：包括具有多个子像素的像素的像素阵列; 以及读出电路，其读出从像素输出的像素信号，其中读出电路通过使用参考来量化与从子像素中的入射光激活的子像素输出的子像素信号相对应的像素信号 信号。 基于响应于入射光而产生的光子的数量来确定多个子像素中的每一个的电阻值。
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公开(公告)号：KR1020090075539A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080001431
申请日：2008-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/148 , G11C13/0004
Abstract: A phase change random access memory composed with a single element semi-metal film is provided to realize a phase change memory having higher wiring speed than a conventional GST(Ge-Sb-Te) material by providing the semi-metal film between the bottom electrode and the top electrode. In a phase change random access memory, a storage node comprises a phase change material layer(12). In a storage node, a semi-metal film of a single group is formed between the top electrode and the bottom electrode. The semi-metal thin film is made of Sb or Bi, and the thickness of the semi-metal thin film is 0.1nm - 15nm. More than one of nitrogen, oxygen, carbon, boron, and mixture of them is doped to the semi-metal of a single group. The oxygen and nitrogen are doped in the semi-metal film of a single group.
Abstract translation: 提供了由单元件半金属膜构成的相变随机存取存储器，以通过在半导体器件的底部电极之间提供半金属膜来实现具有比常规GST（Ge-Sb-Te）材料更高布线速度的相变存储器 和顶部电极。 在相变随机存取存储器中，存储节点包括相变材料层（12）。 在存储节点中，在顶电极和底电极之间形成单组半金属膜。 半金属薄膜由Sb或Bi制成，半金属薄膜的厚度为0.1nm〜15nm。 氮，氧，碳，硼及其混合物中的一种以上掺杂到单组分的半金属中。 氧和氮掺杂在单组的半金属膜中。
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公开(公告)号：KR1020090068816A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136584
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , C23C16/305
Abstract: A phase change memory device employing a phase change material layer is provided to show faster phase change rate than the phase change material layer as well as excellent retention properties. A phase change memory device employing a phase change material layer comprises a chalcogen material and an element of Group III~V. The chalcogen material represents O(oxygen), S(sulfue), Se(seleium), Te(tellurium) or Po(polonium). The element of Group III is B, Al, In or Ga. The element of Group V is Sb or Bi. The phase change material layer includes TexInySbz(x+y+z=1). The crystalline temperature of the phase change material layer is 200-300°C.
Abstract translation: 提供了采用相变材料层的相变存储器件，以显示比相变材料层更快的相变速率以及优异的保持性能。 采用相变材料层的相变存储器件包括硫族元素材料和III〜V族元素。 硫族元素代表O（氧），S（亚硫酸），Se（seleium），Te（碲）或Po（pol）。 III族元素为B，Al，In或Ga，V族元素为Sb或Bi。 相变材料层包括TexInySbz（x + y + z = 1）。 相变材料层的结晶温度为200-300℃。
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公开(公告)号：KR100644564B1
公开(公告)日：2006-11-13
申请号：KR1019990039331
申请日：1999-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/09
CPC classification number: G11B7/131 , G11B7/08517 , G11B7/08541
Abstract: 광 기록/재생 장치에 관한 것으로서 특히 트랙 탐색시 이동 방향의 판정 및 탐색후 트랙킹 인입의 판정 기준으로 사용되는 트랙 크로스 신호를 검출하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 트랙 크로스 신호 검출 방법은 적어도 래디얼 방향으로 2분할된 광검출기에서 래디얼 방향의 수광소자들에서 발생된 수광신호들을 감산하여 얻어진 RF신호(RF0)의 엔벨로프를 이치화하여 트랙크로스 신호를 얻는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 트랙 크로스 신호 검출 방법은 광검출기에서 래디얼 방향으로 반분된 수광소자들에서 발생된 수광신호들을 감산함에 의해 얻어진 RF신호를 사용하여 트랙크로스 신호를 발생함을 특징으로 하며, 광스폿의 크기에 비해 트랙 피치가 상대적으로 작은 경우 인접 트랙에 의한 크로스 토크의 영향이 적은 트랙 크로스 신호를 발생할 수 있는 효과를 가진다.-
公开(公告)号：KR100607945B1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1019990052652
申请日：1999-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/095
Abstract: 광디스크의 척킹 불량, 공급 전원 이상 및, 광디스크 불량 등에 기인하여 발생될 수 있는 광디스크와 광픽업 사이의 접촉을 방지할 수 있도록 구조가 개선된 광기록/재생장치 및 이 장치의 광디스크 접촉 방지방법이 개시되어 있다.
이 개시된 광기록/재생장치는 광픽업을 승강시키기 위한 승강수단과; 제어부에 인가되는 전압신호 레벨을 검출하는 전압레벨 검출기와; 제어부에 인가되는 전압신호의 정상여부, 광디스크의 정상적인 안착여부 및, 광디스크의 불량여부에 따라 승강수단을 제어하여 광픽업과 광디스크 사이의 간격을 조정하는 뮤터(MUTER)부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 개시된 광디스크 접촉 방지방법은 인가되는 전압신호의 레벨을 검출하는 단계와; 제어부에 인가되는 전압신호의 정상여부, 광디스크의 정상적인 안착여부 및, 광디스크의 불량여부를 판별하는 단계와; 판별단계에서 비정상적인 상태로 판별된 경우는 승강수단을 제어하여 광픽업을 하강 상태로 유지시키고, 정상적인 상태로 판별된 경우는 승강수단을 상승시켜 광디스크와 광픽업 사이의 간격이 기록/재생 가능한 범위 내에 놓이도록 하는 승강수단 제어단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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