형광체 세라믹 플레이트의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 형광체 세라믹 플레이트를 포함하는 발광 소자
    51.
    发明公开
    형광체 세라믹 플레이트의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 형광체 세라믹 플레이트를 포함하는 발광 소자 审中-实审
    制造磷光体陶瓷板和包含其中制备的磷光体陶瓷板的发光元件的方法

    公开(公告)号:KR1020160118736A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:KR1020150047314

    申请日:2015-04-03

    Abstract: 형광체세라믹플레이트의제조방법이개시된다. 형광체세라믹플레이트의제조방법은세라믹형광체, 수용성폴리머및 실란계화합물을혼합하고분쇄하여나노파우더를제조하는단계; 상기나노파우더를압축하고소결하여세라믹형광체를제조하는단계; 상기세라믹형광체를절단하여복수개의형광체세라믹플레이트들을제조하는단계; 제조된형광체세라믹플레이트를공기분위기(in air)에서제1 온도에서제1 시간동안제1 열처리하는단계; 및상기제1 열처리된상기형광체세라믹플레이트를제2 온도에서제2 시간동안제2 열처리하는단계를포함한다.

    형광체 코팅용 고형 복합체 및 이의 제조 방법
    52.
    发明公开
    형광체 코팅용 고형 복합체 및 이의 제조 방법 有权
    用于涂料粉末的固体复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150088757A

    公开(公告)日:2015-08-03

    申请号:KR1020150012168

    申请日:2015-01-26

    CPC classification number: C09K11/02 C09K11/08 H01L33/502 H05B33/14

    Abstract: 본원은형광체코팅용고형복합체및 이의제조방법에관한것으로서, 구체적으로는분말형태의형광체를이용하여형광체심형태로서가공된형광체코팅용고형복합체및 상기형광체코팅용고형복합체의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂布荧光体的固体复合材料及其制备方法,更具体地说,涉及一种通过使用粉末型荧光体涂覆以磷光体接缝形式加工的荧光体的固体复合材料及其制备方法 用于涂覆荧光体的固体复合材料。 本发明的第一方面提供一种用于涂覆荧光体的固体复合材料,其中固体复合材料包括磷光体材料和聚合物。 本发明的第二方面提供了一种制造用于涂覆荧光体的固体复合材料的方法,以获得通过加热和加压包含磷光体材料和聚合物的混合物的模制来涂覆荧光体的固体复合材料。 本发明的第三方面提供了一种通过使用根据本发明的第一方面的用于涂覆荧光体的固体复合物在基底上涂覆荧光体层的方法。

    유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
    53.
    发明公开
    유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 审中-实审
    电介质陶瓷组合物和包含其的多层陶瓷电容器

    公开(公告)号:KR1020150028057A

    公开(公告)日:2015-03-13

    申请号:KR1020130106682

    申请日:2013-09-05

    CPC classification number: H01G4/1227 H01G4/30

    Abstract: 본 발명은 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유전체 자기 조성물은 SrTiO
    3 로 표시되는 제1 주성분 및 BiMO
    3 로 표시되는 제2 주성분을 포함하는 xSrTiO
    3 -(1-x)BiMO
    3 로 표시되는 모재 분말(단, M은 Mg과 Ti로 구성됨)을 포함하며, 상기 x는 0.5≤x≤0.9을 만족하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种电介质陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器。 根据本发明的电介质陶瓷组合物包括以由SrTiO 3表示的第一主要成分和表示为BiMO 3的第二主要成分表示为xSrTiO 3 - (1-x)BiMO 3(其中M由Mg和Ti组成)的贱金属粉末,其中 x满足0.5 <= x <= 0.9。

    염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법
    54.
    发明授权
    염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법 有权
    通过碱处理含氯硅酸盐基磷光体制备的磷光体粉末及其制备方法

    公开(公告)号:KR101494338B1

    公开(公告)日:2015-02-24

    申请号:KR1020140181446

    申请日:2014-12-16

    Abstract: 본원은 염화물을 포함한 실리케이트계 형광체를 알칼리성 물질로 처리하는 것을 포함하는, 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말에 관한 것으로서, 염화물을 이용한 강력한 산화 또는 환원시키는 것을 통해 희토류 금속이 첨가된 형광체의 발광강도를 증가시키고 상대적으로 낮은 온도에서 보다 안정하게 환원된 형광체 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.

    Abstract translation: 本文涉及硅酸盐基磷光体,包括氯化物,用于产生荧光体粉末基于氯化物或氧化物为基础的方法,因此氯化物系或通过涉及治疗用碱性物质,强烈的氧化或使用氯化物产生氧化物系荧光体粉末 可以提供一种在相对较低的温度下稳定性降低的荧光体,以及通过还原增加添加有稀土金属的荧光体的发光强度来制造荧光体的方法。

    염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법
    55.
    发明公开
    염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법 有权
    通过碱处理含有氯硅酸盐的氯化镁制备的磷光体及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150016479A

    公开(公告)日:2015-02-12

    申请号:KR1020140181446

    申请日:2014-12-16

    Abstract: 본원은 염화물을 포함한 실리케이트계 형광체를 알칼리성 물질로 처리하는 것을 포함하는, 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 염화물계 또는 산화물계 형광체 분말에 관한 것으로서, 염화물을 이용한 강력한 산화 또는 환원시키는 것을 통해 희토류 금속이 첨가된 형광체의 발광강도를 증가시키고 상대적으로 낮은 온도에서 보다 안정하게 환원된 형광체 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制备氯化物系或氧化物系荧光体粉末的方法,其包括用碱性材料处理含氯化物的硅酸盐系荧光体,以及制备的氯化物系或氧化物系荧光粉 同样的 提供一种具有增加的发光强度的荧光体,其具有通过使用氯化物的强氧化或还原而添加的稀土金属并且在相对低的温度下更稳定地降低的荧光体的发光强度及其制备方法。

    태양전지의 전면전극을 제조하는 제조장치 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101395698B1

    公开(公告)日:2014-05-19

    申请号:KR1020120075421

    申请日:2012-07-11

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 전면전극을 제조하는 제조장치는, 상기 태양전지에 사용되는 기판을 고정시키는 베이스; 및 유동성이 있는 금속 페이스트(paste)를 이용하는 직접 인쇄 방식(Direct Printing Process)을 통해, 상기 기판에 대한 수직 단면이 삼각형인 전면전극을 상기 기판 상에 형성시키는 전극 형성 유닛을 포함하여 구성됨으로써, 기존 스크린 인쇄 방식에 의해 제작된 전면전극보다 종횡비가 뛰어난 전면전극을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 전면전극에 의해 반사되는 태양 빛을 흡수하는 면적을 증가시킬 수 있어 결과적으로 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다는 장점이 있다.

    YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법
    59.
    发明公开
    YVO계 형광체 분말 및 이의 제조 방법 无效
    基于YVO的荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120013280A

    公开(公告)日:2012-02-14

    申请号:KR1020110141271

    申请日:2011-12-23

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of YVO based phosphor powder is provided to manufacture YVO based phosphor powder with uniform particle distribution and small particle size in short time, thereby having excellent productivity and profitability. CONSTITUTION: A manufacturing method of YVO based phosphor powder comprises: a step of impregnating metal salt solution including yttrium(Y) and vanadium(V) into polymer material; a step of calcinations by putting the impregnated material into a furnace heated to the temperature of 500-1000 °C; a step of sintering the product by heating the temperature of 1000-1300 °C; and a step of solution-treating the product by basic solution.

    Abstract translation: 目的:提供YVO基荧光体粉末的制造方法,以在短时间内制造粒度分布均匀,粒径小的YVO系荧光体粉末,具有优异的生产率和盈利能力。 构成:YVO系荧光体粉末的制造方法包括:将含有钇(Y)和钒(V)的金属盐溶液浸渍到聚合物材料中的步骤; 通过将浸渍的材料放入加热到500-1000℃的炉中的煅烧步骤; 通过加热1000-1300℃的温度烧结产品的步骤; 以及通过碱性溶液对产品进行溶液处理的步骤。

    실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
    60.
    发明公开
    실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지 有权
    使用其制备二氧化硅抗反射涂层和硅太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020120005887A

    公开(公告)日:2012-01-17

    申请号:KR1020100066574

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silica antireflection layer and a silicon solar cell using the same are provided to improve a short current density by decreasing a surface reflectivity of the solar cell. CONSTITUTION: Aqueous coating solutions including a silica precursor and a dopant precursor are coated on a semiconductor substrate(100). A dopant containing silica layer(200) is formed by a sol-gel method. The dopant containing silica layer is thermally processed under an air or oxygen containing gas atmosphere. An emitter layer(110) is formed by a p-n junction through the diffusion of a dopant. A spherical silica particle layer is formed on the semiconductor substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造二氧化硅抗反射层的方法和使用其的硅太阳能电池,以通过降低太阳能电池的表面反射率来改善短路电流密度。 构成:包含二氧化硅前体和掺杂剂前体的水性涂布溶液涂覆在半导体衬底(100)上。 通过溶胶 - 凝胶法形成含有二氧化硅层(200)的掺杂剂。 含有二氧化硅层的掺杂剂在空气或含氧气体气氛下热处理。 发射极层(110)由p-n结通过掺杂剂的扩散形成。 在半导体基板上形成球状二氧化硅粒子层。

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