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公开(公告)号：KR1020100053082A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112057
申请日：2008-11-12
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N27/223
Abstract: PURPOSE: A capacitive humidity sensor and a manufacturing method thereof are provided to miniaturize a humidity sensor by forming a sensor on a ROIC(Readout Integrated Circuit) substrate. CONSTITUTION: A capacitive humidity sensor comprises a ROIC substrate(210), a metal layer(220), an insulating layer(230), a lower electrode layer(240), a moisture detecting layer(250), an upper electrode layer(260) and a connection layer(270). The ROIC substrate includes an electrode pad The metal layer is formed at the top of the ROIC substrate. The insulating layer is formed at the top of the metal layer. The lower electrode layer is formed at the top of the insulating layer. In order to widen the surface area of the top of the lower electrode layer, the moisture detecting layer is etched. The upper electrode layer is formed at the top of the moisture detecting layer. The connection layer enables each of the lower electrode layer and the upper electrode layer to be contacted with the electrode pad.
Abstract translation: 目的：提供一种电容式湿度传感器及其制造方法，用于通过在ROIC（读出集成电路）基板上形成传感器来使湿度传感器小型化。 构成：电容式湿度传感器包括ROIC衬底（210），金属层（220），绝缘层（230），下电极层（240），水分检测层（250），上电极层 ）和连接层（270）。 ROIC衬底包括电极焊盘金属层形成在ROIC衬底的顶部。 绝缘层形成在金属层的顶部。 下电极层形成在绝缘层的顶部。 为了加宽下部电极层的顶部的表面积，对水分检测层进行蚀刻。 上部电极层形成在水分检测层的顶部。 连接层使得下电极层和上电极层中的每一个能够与电极焊盘接触。
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公开(公告)号：KR1020090124429A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050649
申请日：2008-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/66772 , H01L29/78654
Abstract: PURPOSE: A transistor formed on the flexible substrate and manufacturing method thereof are provided to obtain the performance of the mono crystal substrate transistor in the flexible substrate. CONSTITUTION: The transistor(240) is formed on the SOI(Silicon-On-Insulator) substrate(200) consisting of silicon layer(210), and the oxide layer(220) and single crystal silicon layer(230). The flexible substrate(250) is formed in the SOI top of the substrate in which transistor is formed. The silicon layer lower part of the SOI substrate is etched to expose the oxide layer. The silicon layer remaining in the edge of the SOI substrate backside, and the oxide layer and single crystal silicon layer are removed. The flexible substrate is formed in the oxide layer exposed to the etched SOI substrate backside. The dicing is performed on the flexible substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种形成在柔性基板上的晶体管及其制造方法，以获得柔性基板中单晶衬底晶体管的性能。 构成：晶体管（240）形成在由硅层（210）和氧化物层（220）和单晶硅层（230）组成的SOI（绝缘体上硅）衬底（200）上。 柔性衬底（250）形成在其中形成晶体管的衬底的SOI顶部中。 蚀刻SOI衬底的硅层下部以暴露氧化物层。 残留在SOI衬底背面边缘的硅层和氧化物层和单晶硅层被去除。 柔性基板形成在暴露于蚀刻SOI衬底背面的氧化物层中。 在柔性基板上进行切割。
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公开(公告)号：KR100896465B1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：KR1020070113906
申请日：2007-11-08
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L5/228 , G01L1/18 , G01L1/205 , G01L1/2231
Abstract: 본 발명은 플렉서블 촉각 센서 모듈 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 촉각 센서의 전극 라인과 연결된 단자가 평면 케이블 형태로 촉각 센서와 함께 제조되기 때문에, 촉각 센서 모듈을 제작한 후에 제어부와 연결된 커넥터 소켓에 삽입하여, 쉽게 사용할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 본 발명은 제어부와 신호처리를 위해 별도의 패키징 공정이 필요하지 않은 장점이 있다.
또한, 본 발명은 연성 평면 케이블(Flexible Flat Cable, FFC)과 같은 형태로, 신호처리 접속부가 구비된 플렉서블 촉각 센서 모듈을 구현할 수 있으므로, 다양한 지지물에서 촉각 센서 모듈을 접착시켜 외부 물체와의 접촉 압력을 감지할 수 있는 장점이 있다.
촉각, 센서, 단자, 도금, 신호, 소켓-
公开(公告)号：KR1020090047845A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070113906
申请日：2007-11-08
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L5/228 , G01L1/18 , G01L1/205 , G01L1/2231
Abstract: 본 발명은 플렉서블 촉각 센서 모듈 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 촉각 센서의 전극 라인과 연결된 단자가 평면 케이블 형태로 촉각 센서와 함께 제조되기 때문에, 촉각 센서 모듈을 제작한 후에 제어부와 연결된 커넥터 소켓에 삽입하여, 쉽게 사용할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 본 발명은 제어부와 신호처리를 위해 별도의 패키징 공정이 필요하지 않은 장점이 있다.
또한, 본 발명은 연성 평면 케이블(Flexible Flat Cable, FFC)과 같은 형태로, 신호처리 접속부가 구비된 플렉서블 촉각 센서 모듈을 구현할 수 있으므로, 다양한 지지물에서 촉각 센서 모듈을 접착시켜 외부 물체와의 접촉 압력을 감지할 수 있는 장점이 있다.
촉각, 센서, 단자, 도금, 신호, 소켓-
公开(公告)号：KR1020080058286A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020070135890
申请日：2007-12-21
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A capacitive humidity sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase capacitance without losing sensing performance by placing a humidity sensing layer between a lower electrodes and a plurality of upper electrodes having an IDT(Interdigitated) structure. A capacitive humidity sensor comprises a lower electrode, a humidity sensing layer(341,342), and a plurality of upper electrodes. The lower electrode is formed on a substrate(310) on which an insulating layer(320) is formed. The humidity sensing layer is coated on the lower electrode for adsorption/desorption of humidity. The upper electrodes, having an IDT structure, are formed on the humidity sensing layer.
Abstract translation: 提供一种电容式湿度传感器及其制造方法，通过在下电极和具有IDT（叉指）结构的多个上电极之间放置湿度感测层来增加电容而不损失感测性能。 电容式湿度传感器包括下电极，湿度感测层（341,342）和多个上电极。 下电极形成在其上形成有绝缘层（320）的基板（310）上。 湿度感测层涂覆在下部电极上用于吸湿/解吸湿度。 具有IDT结构的上电极形成在湿度感测层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080018559A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080852
申请日：2006-08-25
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: A single crystal nano wire array having heterojunction and a method for manufacturing the same are provided to set easily the line width of nano wires by adjusting dopant injection and thermal oxidation. Dopants are injected into a silicon substrate(300) so as to implement heterojunction. By executing thermal oxidation on the silicon substrate, a first thermal oxidation layer(305) is formed. By etching the first thermal oxidation layer, an oxidation film pattern is formed. By dry-etching the silicon substrate, a column structure is formed. By executing an isotropic wet etching on the column structure, a nano wire structure is formed. By executing thermal oxidation on the substrate, a second thermal oxidation layer is formed. By removing the second thermal oxidation layer, a released nano wire(325) is then formed.
Abstract translation: 提供具有异质结的单晶纳米线阵列及其制造方法，通过调节掺杂剂注入和热氧化来容易地设置纳米线的线宽。 将掺杂剂注入到硅衬底（300）中以实现异质结。 通过在硅衬底上进行热氧化，形成第一热氧化层（305）。 通过蚀刻第一热氧化层，形成氧化膜图案。 通过干蚀刻硅衬底，形成柱结构。 通过在柱结构上执行各向同性的湿蚀刻，形成纳米线结构。 通过在基板上进行热氧化，形成第二热氧化层。 通过除去第二热氧化层，然后形成释放的纳米线（325）。
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公开(公告)号：KR1020070117741A
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020060051745
申请日：2006-06-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/66772 , H01L29/78654
Abstract: A TFT(thin film transistor) using a single crystalline silicon nano wire is provided to improve the driving characteristic of the TFT and embody LSI(large scale integration) of a system by fabricating a TFT made of a single crystalline silicon nano wire. A TFT is formed on an insulating substrate. A source/drain of the TFT are formed in a single crystalline silicon nano wire(210). A channel is formed in at least one single crystalline silicon nano wire. The substrate can be made of glass, flexible polymer, plastic, crystal, quartz or silicon.
Abstract translation: 提供使用单晶硅纳米线的TFT（薄膜晶体管），以通过制造由单晶硅纳米线制成的TFT来改善TFT的驱动特性并体现LSI（大规模集成）。 在绝缘基板上形成TFT。 TFT的源极/漏极形成在单晶硅纳米线（210）中。 在至少一个单晶硅纳米线中形成通道。 基板可以由玻璃，柔性聚合物，塑料，晶体，石英或硅制成。
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公开(公告)号：KR1020070105579A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060037880
申请日：2006-04-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A tactile sensor array and a method for manufacturing the same are provided to form a metal interconnection on a polymer layer provided with a tactile sensor so that the tactile sensor makes contact with a driving circuit without an additional printed circuit board. A polymer layer is formed on a substrate. The first metal interconnection and a deformation detector are provided at the upper portion of the polymer layer. A photoresist layer is formed on the entire surface of the polymer layer. The photoresist layer is patterned such that a contact hole is formed in the upper portion of the deformation detector. The second metal interconnection is formed on the photoresist layer. A support block is formed at the end of the upper portion of the photoresist layer. A protective block is formed on the photoresist layer except for the support block area. The polymer layer is delaminated from the substrate. A load block is formed in the lower portion of the polymer layer.
Abstract translation: 提供了触觉传感器阵列及其制造方法，以在设置有触觉传感器的聚合物层上形成金属互连，使得触觉传感器与驱动电路接触而不需要附加的印刷电路板。 在基板上形成聚合物层。 第一金属互连和变形检测器设置在聚合物层的上部。 在聚合物层的整个表面上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层，使得在变形检测器的上部形成接触孔。 第二金属互连形成在光刻胶层上。 在光致抗蚀剂层的上部的端部形成支撑块。 除了支撑块区域之外，在光致抗蚀剂层上形成保护块。 聚合物层从基材脱层。 负载块形成在聚合物层的下部。
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公开(公告)号：KR100740531B1
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020050088325
申请日：2005-09-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판을 사용하여 실리콘 나노와이어를 제조한 후 다른 기판 위에 실리콘 나노와이어를 전사시키고 전극 구조물을 형성시키는 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계; 상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계; 칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계; 상기 제1열산화막을 제거하는 제4단계 상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계; 산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 상기 점착제를 제거하는 단계; 및 상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어를 제조한 기판에서 절연막이 형성된 다른 기판으로 실리콘 나노와이어를 전사하는 패턴 트랜스퍼 방법을 이용함으로써 전자빔 리소그라피 공정과 SOI 웨이퍼를 사용하지 않고서도 나노와이어 소자를 생산할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘을 식각하여 실리콘 나노와이어를 제조함으로써 별도의 나노와이어 정렬과정이 필요 없다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 역삼각형 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 구조물을 형성한 후 2차 열산화 공정 또는 3차 열산화 공정으로 실리콘을 산화시킴으로써 수십 ㎚ 크기의 단면을 갖는 단결정 실리콘 나노와이어를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어가 전사된 기판에 전기적 컨택을 위한 전극 구조물을 후속 공정으로 제작할 수 있음으로 해서 나노와이어 소자를 웨이퍼 단위의 공정에서 제조하는 것이 가능하고, 이로 인해 대량생산이 가능하여 저가의 나노와이어 소자의 제조를 할 수 있는 효과가 있다.
나노와이어, 트랜스퍼-
公开(公告)号：KR1020070033794A
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050088325
申请日：2005-09-22
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02554 , H01L21/0275 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/7806 , H01L29/413 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판을 사용하여 실리콘 나노와이어를 제조한 후 다른 기판 위에 실리콘 나노와이어를 전사시키고 전극 구조물을 형성시키는 나노와이어 소자 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 기판에 제1열산화막을 형성하는 제1단계; 상기 실리콘 기판에 칼럼구조를 형성하는 제2단계; 칼럼구조가 형성된 상기 실리콘 기판에 지지기둥 구조물 및 나노와이어 구조물을 형성하는 제3단계; 상기 제1열산화막을 제거하는 제4단계 상기 실리콘 기판에 제2열산화막을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2열산화막을 제거하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 제조 방법으로 제조된 나노와이어가 형성된 제1 기판을 준비하는 단계; 산화막이 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 상기 점착제를 제거하는 단계; 및 상기 점착제가 제거된 제2 기판상에 전극 구조물을 형성시키는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어를 제조한 기판에서 절연막이 형성된 다른 기판으로 실리콘 나노와이어를 전사하는 패턴 트랜스퍼 방법을 이용함으로써 전자빔 리소그라피 공정과 SOI 웨이퍼를 사용하지 않고서도 나노와이어 소자를 생산할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘을 식각하여 실리콘 나노와이어를 제조함으로써 별도의 나노와이어 정렬과정이 필요 없다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 역삼각형 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 구조물을 형성한 후 2차 열산화 공정 또는 3차 열산화 공정으로 실리콘을 산화시킴으로써 수십 ㎚ 크기의 단면을 갖는 단결정 실리콘 나노와이어를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 나노와이어 소자 제조 방법은 실리콘 나노와이어가 전사된 기판에 전기적 컨택을 위한 전극 구조물을 후속 공정으로 제작할 수 있음으로 해서 나노와이어 소자를 웨이퍼 단위의 공정에서 제조하는 것이 가능하고, 이로 인해 대량생산이 가능하여 저가의 나노와이어 소자의 제조를 할 수 있는 효과가 있다.
나노와이어, 트랜스퍼Abstract translation: 本发明提供了一种以低成本批量生产半导体纳米线器件的方法，而无需额外的复合纳米线取向工艺或SOI衬底，通过以简单的工艺形成单晶硅纳米线，而不用电子束形成超细纹 并将从衬底分离的纳米线转移到另一个氧化层或绝缘衬底。 此外，本发明还提出了一种简单地制造将纳米线从其上形成的半导体衬底转移到其上形成有绝缘层等的另一衬底的纳米线器件的方法。
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