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公开(公告)号：KR1020110120668A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100040180
申请日：2010-04-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/213
CPC classification number: H01P1/213 , H01P1/20345 , H01P1/2084 , H03H7/463
Abstract: PURPOSE: A diplexer is provided to reduce a parasitic component by forming the circuit structure of capacitors, in which high pass filters are connected in a delta shape, and an inner pattern structure. CONSTITUTION: A branch node(N1) is connected to an antenna. The branch node receives a signal. A low pass filter(310) receives a received signal through the branch node. A low pass filter passes through a low band signal which is included in the received signal. A high pass filter(320) passes through a high band signal which is included in the received signal and a first, a second, and a third capacitor which are connected in a delta shape.
Abstract translation: 目的：提供双工器，通过形成高通滤波器以三角形形式连接的电容器的电路结构和内部图案结构来减少寄生成分。 构成：分支节点（N1）连接到天线。 分支节点接收信号。 低通滤波器（310）通过分支节点接收接收的信号。 低通滤波器通过包含在接收信号中的低频带信号。 高通滤波器（320）通过包含在接收信号中的高频带信号和连接成delta形状的第一，第二和第三电容器。
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公开(公告)号：KR102038602B1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：KR1020170089745
申请日：2017-07-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/367 , H01L23/28 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/07
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公开(公告)号：KR1020170119953A
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020160048300
申请日：2016-04-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/48 , H01L23/043 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/485 , H01L23/5389 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L23/043 , H01L23/31 , H01L23/4334 , H01L23/481
Abstract: 본발명은적어도하나이상의수용홀을포함하며, 금속재질로형성되는베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는방열부재를포함하는반도체패키지를제공한다.
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公开(公告)号：KR101519760B1
公开(公告)日：2015-05-12
申请号：KR1020130164946
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은, 감광성유리기판을이용하여높은단차비를갖는금속배선을형성할수 있는금속배선형성방법및 이에의해제조된수동소자를내장한금속배선기판에관한것으로, 상기금속배선형성방법은, 감광성유리기판의상면에패터닝된포토마스크를형성하는단계; 상기패터닝된포토마스크를통해노출된상기감광성유리기판의표면을노광하여식각제거영역을형성하는단계; 형성된식각제거영역을제1 식각을통해배선홈을형성하는단계; 및형성된배선홈에도전물질을충진하여금속배선을형성하는단계;를포함할 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用光致抗蚀剂玻璃基板和具有由此制造的无源元件的金属线基板来形成具有高纵横比的金属线的方法。 形成金属线的方法可以包括在光致抗蚀剂玻璃基板的上侧形成图案化的光掩模的步骤; 曝光由图案化的光致抗蚀剂掩模曝光的光致抗蚀剂玻璃基板的表面以形成蚀刻去除区域的步骤; 通过对蚀刻去除区域进行第一蚀刻工艺来形成线槽的步骤; 以及通过用导电材料填充线槽来形成金属线的步骤。
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公开(公告)号：KR101515857B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130160173
申请日：2013-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P3/026 , H01P3/08 , H01P3/121
Abstract: 광대역필터가제공된다. 이필터는다층구조로서, 상층에형성되는다단구조의전송선로와, 하층전면에걸쳐형성되는접지플레인및 상기상층과상기하층의중간층에형성된유전체기판을포함하고, 상기전송선로는서로교대로형성되는오픈스터브와쇼트스터브를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种宽带滤波器。 过滤器具有多层结构。 其包括形成在上层的多个结构的传输线，形成在下层的整个表面上的接地平面，以及形成在上层和下层之间的中间层上的电介质基板。 传输线包括交替形成的开放短截线和短短短截线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101439306B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020130015266
申请日：2013-02-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 연성 실리콘 인터포저 및 이의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절곡부를 구비한 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 기반의 수동 집적 회로(integrated passive device)에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼 상에 절곡부를 구비하여 종래 2차원적인 패키징만 가능한 한계점을 해결하였고, 기존의 DRIE(deep reacitve ion etching)공정을 이용하여 실리콘 관통 비아를 형성하는 공정중 절곡이 될 부분을 동시에 형성할 수 있고, 기존의 스핀코팅으로 절연층을 형성하는 실리콘 인터포저와는 폴리머 라미네이트 공정을 사용하므로 절곡부를 용이하게 구현할수 있으며, 3차원적으로 휘거나 접을수 있는 플렉시블 실리콘 인터포저 구현이 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101397667B1
公开(公告)日：2014-05-23
申请号：KR1020130046355
申请日：2013-04-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A method for manufacturing a line for a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a preset pattern by selectively etching a first surface of a silicon substrate; a step of coating the selected region of the first surface which includes a part where the preset pattern is formed, with a metal layer; a step of forming an organic material in the first surface to fill the etched part and cover the coated metal layer; a step of forming a via hole in the organic material and connecting the coated metal layer to a metal line through the via hole; and a step of polishing a second surface corresponding to the first surface to remove a part of the metal layer where the etched part is formed.
Abstract translation: 根据本发明的用于制造半导体器件的线的方法包括通过选择性蚀刻硅衬底的第一表面来形成预设图案的步骤; 用金属层涂覆包括形成预定图案的部分的第一表面的选定区域的步骤; 在所述第一表面中形成有机材料以填充所述蚀刻部分并覆盖所述涂覆的金属层的步骤; 在有机材料中形成通孔并通过通孔将涂覆的金属层连接到金属线的步骤; 以及对与所述第一表面对应的第二表面进行抛光以除去形成有蚀刻部分的金属层的一部分的步骤。
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公开(公告)号：KR101299217B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120005248
申请日：2012-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자에 해당하는 나선형 인덕터는 제1 금속 배선과 제1 금속 배선을 외부 소자와 연결시키기 위한 제2 및 제2 금속 배선을 포함한다. 실리콘 기판에 나선형의 권선 패턴에 따라서 홈을 형성하고 나선형의 권선 패턴에 따라서 형성된 홈에 금속을 채워 넣어서 제1 금속 배선이 형성되고 실리콘 기판 위에 절연층을 두고 절연층 위에 제2 및 제3 금속 배선이 형성된다.
Abstract translation: 对应于半导体器件的螺旋电感器包括第一金属互连和用于将第一金属互连连接到外部器件的第二和第二金属互连线。 根据螺旋的绕组图案上的凹槽的第二和第三金属布线，以及在所述凹槽中插入填充金属根据螺旋线的绕线模式形成在第一金属与在硅衬底上的绝缘层，在所述硅衬底的绝缘层形成 它形成。
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公开(公告)号：KR1020130084452A
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：KR1020120005248
申请日：2012-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to implement a thin module or a thin package substrate by embedding a wire structure in a substrate despite having a thick wire. CONSTITUTION: A spiral inductor (100) is formed on a silicon substrate (200). The spiral inductor includes a first metal wire (110) and second to third wires (120,130). The first metal wire has a spiral winding pattern. The second and the third wires connect both end terminals of the first metal wire to an external device. A groove is formed by vertically etching the substrate according to the shape of a semiconductor device. An insulation layer (210) is formed along the inner wall of the groove. The semiconductor device is formed by filling the groove with metal.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，通过将线结构嵌入衬底中来实现薄模块或薄封装衬底，尽管具有粗线。 构成：在硅衬底（200）上形成螺旋电感（100）。 螺旋电感器包括第一金属线（110）和第二至第三线（120,130）。 第一金属线具有螺旋缠绕图案。 第二和第三线将第一金属线的两端连接到外部设备。 通过根据半导体器件的形状垂直蚀刻衬底形成沟槽。 沿凹槽的内壁形成绝缘层（210）。 半导体器件通过用金属填充沟槽而形成。
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