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公开(公告)号：KR1020060132351A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020050052647
申请日：2005-06-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02554 , C23C14/3464 , H01L21/0257 , H01L21/02631
Abstract: A method for manufacturing a zinc oxide based transparent conductive oxide thin film is provided to improve degradation of physical property and a rapid etching speed of a ZnO thin film by simultaneously doping a gallium. Aluminium and gallium are doped to form a transparent conductive oxide thin film by using a zinc oxide thin film as a matrix. A doping ratio of the aluminium and the gallium is from 1:2 to 2:1. Doping amounts of the aluminium and the gallium are 4 at% and 1 at%, respectively. The aluminium and the gallium are simultaneously doped on a substrate in vacuum by using sputtering, thereby forming a ZnO thin film.
Abstract translation: 提供了一种制造氧化锌基透明导电氧化物薄膜的方法，以通过同时掺杂镓来改善ZnO薄膜的物理性能的降低和快速的蚀刻速度。 通过使用氧化锌薄膜作为基体，掺杂铝和镓以形成透明导电氧化物薄膜。 铝和镓的掺杂比为1:2至2:1。 铝和镓的掺杂量分别为4at％和1at％。 铝和镓在真空中通过溅射同时掺杂在基板上，从而形成ZnO薄膜。
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公开(公告)号：KR1019950004959B1
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR1019920020093
申请日：1992-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C07F7/10
Abstract: The new compound as methyl 1-(3-triethoxysylyl propylcarbamoyl) benzimidazol-2-yl carbamate (I) as antifungal is prepared by reacting 2- benzimidazole carbamate and isocyanato propyl triethoxyl silane in benzene, toluene, methylene chloride, chloroform or tetracarbon at 80'C for 24 hrs to get (I). (I) as antifungal is useful for rice.
Abstract translation: 通过2-苯并咪唑氨基甲酸酯和异氰酸基丙基三乙氧基硅烷在苯，甲苯，二氯甲烷，氯仿或四碳中的反应，通过在80℃下将1-（3-三乙氧基甲硅烷基丙基氨基甲酰基）苯并咪唑-2-基氨基甲酸甲酯（I） 'C待24小时得到（I）。 （I）作为抗真菌剂可用于大米。
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公开(公告)号：KR101934569B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170126389
申请日：2017-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/0376
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101842964B1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020160100552
申请日：2016-08-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C25B11/0415 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/32 , C23C16/503 , C23C16/56 , C25B11/02 , C25B11/0447 , Y02E60/366
Abstract: 텅스텐카바이드나노플레이크(nanoflake)를이용한수소생산용전극의제조방법은, 수소플라즈마가인가되는화학기상증착공정을이용하여, 나노결정다이아몬드박막상에텅스텐카바이드나노플레이크를제조하는단계; 및상기텅스텐카바이드나노플레이크의표면으로부터산화물층또는그래핀층을제거함으로써상기텅스텐카바이드나노플레이크의수소발생반응에대한활성을증가시키는단계를포함한다. 텅스텐카바이드형성후 사이클릭세정(cyclic cleaning)을통하여텅스텐카바이드표면의산화물층및/또는그래핀층을제거함으로써, 텅스텐카바이드의수소발생반응(Hydrogen Evolution Reaction) 활성을증가시켜촉매전극으로서의활용도를높일수 있다.
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公开(公告)号：KR101797117B1
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170035009A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是在以下步骤的闪光灯，超薄硅晶片上涂布掺杂源层的图案化步骤，所述掺杂剂源层，图案化的掺杂的源极层以粘合处理晶片和超薄硅晶片（闪光灯） 扩散掺杂剂的步骤照射robit到超薄硅晶片，移除图案化掺杂的源极层，和形成超薄硅晶片上的钝化层，和图案化，以使所述掺杂物暴露于扩散区域 步骤和用于制造超薄硅太阳能电池包括掺杂剂形成在扩散区上的电极的步骤提供了一种方法。
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公开(公告)号：KR101575854B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140085341
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
Abstract: 태양전지용웨이퍼구조체는초박형웨이퍼; 및광 흡수를증가시키기위해상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를포함하되, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다. 또한, 태양전지용웨이퍼구조체의제조방법은초박형웨이퍼의표면에에치(etch) 마스크또는금속촉매박막을형성하는단계; 상기마스크또는금속촉매박막이형성된상기초박형웨이퍼를에칭하는단계; 및상기에치마스크또는금속촉매박막을제거함으로써, 상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를형성하는단계;를포함하되, 나노리소그라피(nanolithography)를이용하며, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다.
Abstract translation: 用于太阳能电池的晶片结构包括超薄型晶片和周期性地布置在超薄型晶片的表面上以增加光吸收的多个纳米结构。 纳米结构呈盘状。 此外，制造太阳能电池的晶片结构的方法包括：在超薄型晶片的表面上形成蚀刻掩模或金属催化剂薄膜的步骤; 蚀刻其上形成有掩模或金属催化剂薄膜的超薄型晶片的步骤; 以及通过去除蚀刻掩模或金属催化剂薄膜来形成周期性地设置在超薄型晶片的表面上的多个纳米结构的步骤。 使用纳米光刻制造晶片结构; 并且纳米结构是盘的形状。
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公开(公告)号：KR101412533B1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020120087797
申请日：2012-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: F24J2/38 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명에 따르면, 태양광을 이용하여 전력을 생성하는 태양전지 패널부(200)와, 상기 태양전지 패널부(200)의 상부에 배치되며 입사되는 태양광을 집속시켜 상기 태양전지 패널부(200)의 상부면에 태양광의 초점을 형성하는 태양광 집속부(100)를 포함하는 태양전지 유닛; 및 상기 태양전지 유닛의 하부에 체결되어 상기 태양전지 유닛을 지지하되, 열팽창계수를 달리하는 팽창부재(310)와 고정부재(320)로 이루어져 상기 태양전지 패널부(200)로부터 전달되는 열에 의해 일방향으로 굴절되면서 상기 태양전지 패널부(200)의 상부면이 상기 태양광과 대향하도록 조절하는 태양광 추적부(300);를 포함하는 무동력 태양광 추적기능이 구비된 집광형 태양광 발전장치를 개시한다.
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