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公开(公告)号：KR101325148B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120024446
申请日：2012-03-09
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H01L41/113 , H02N2/188
Abstract: 본 발명의 수평 안정화 장치는 외부 에너지에 의하여 진동하며 전력을 발생시키는 코일 스프링 형태의 제1미세압전진동자 및 상기 복수 개의 미세압전진동자에서 발생한 전력을 채집하는 인쇄회로기판을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101322633B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020120005533
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본 발명에 따른 접착홈이 형성된 알루미늄 방열층을 포함하는 양극산화알루미늄은, 표면에 하나 이상의 접착홈이 형성된 알루미늄 방열층, 상기 알루미늄 방열층의 상기 접착홈의 형상에 대응되도록 상기 접착홈 내측을 따라 형성됨과 동시에 상기 알루미늄 방열층의 표면에 형성된 알루미나층 및 상기 알루미나층 외측에 구비되는 회로층을 포함한다.
그리고, 상기 양극산화알루미늄의 제조방법은, 알루미늄 방열층의 표면에 하나 이상의 접착홈을 형성하는 가공단계, 상기 알루미늄 방열층을 아노다이징 처리하여, 알루미나층이 상기 접착홈의 형상에 대응되도록 상기 접착홈 내측을 따라 형성됨과 동시에 상기 알루미늄 방열층의 표면에 형성되도록 하는 아노다이징단계 및 상기 알루미나층 외측에 회로층을 형성하는 회로층 형성단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101264831B1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020110053178
申请日：2011-06-02
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본발명의무클래딩이방성금속부재제조방법은, 금속부재를비대칭적으로압축하여, 전체두께중 소정두께를형성하는제1영역및 상기제1영역보다압축밀도가낮으며, 나머지두께를형성하는제2영역을형성하는압축단계및 상기금속부재를산화시킴에따라, 상기제1영역과상기제2영역의압축밀도차로인한산화물확산속도차에의해상기제1영역이산화되도록하는산화단계를포함한다. 그리고, 본발명의무클래딩이방성금속부재는, 전체두께중 소정두께를형성하며, 산화물을포함하는제1영역및 상기제1영역과일체로형성되어나머지두께를형성하고, 상기제1영역보다압축밀도가작은제2영역으로구획된다.
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公开(公告)号：KR101255591B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110041215
申请日：2011-04-30
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은 피코팅체에 균일한 코팅층의 형성이 가능한 코팅 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 피코팅체의 형상 변화에 따라 타겟홀더가 자동적으로 이동하여 피코팅체와 타겟간의 거리가 일정하게 유지되는 것이 가능하여 균일한 코팅층을 형성시킬 수 있는 코팅 장치에 관한 것이다.
본 발명은 진공 공간내에서 방전을 통하여 피코팅체의 코팅을 구현하도록 제공되는 타겟이 구비되며, 구동수단을 매개로 상하 이동이 가능한 타겟홀더; 및 상기 구동수단과 전기적으로 연계되어 있고, 피코팅체와 타겟간의 거리측정을 매개로 피코팅체의 형상변화에 대응하여 코팅이 균일하게 되도록 상기 구동수단에 상기 거리 측정 결과를 제공하는 거리 측정계를 포함하여 구성되는 균일한 코팅이 가능한 코팅장치를 제공한다.
본 발명의 일측면에 따르면, 피코팅체의 형상이 변화하더라도 이에 대응하여 피코팅체와 타겟간의 거리가 일정하게 유지될 수 있는 코팅 장치를 제공할 수 있으며, 이를 통해, 일정한 두께의 코팅층을 피코팅체에 형성시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR101222167B1
公开(公告)日：2013-01-14
申请号：KR1020120001368
申请日：2012-01-05
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal member by an anisotropic temperature control is provided to eliminate a cladding process separately performing after an oxidation process, thereby improving productivity by reducing time required for a whole process. CONSTITUTION: A contact point member(1) including a first region(10) forming predetermined thickness and a second region(20) forming the rest is prepared. The contact point member is inserted into an oxidation device with a plurality of heaters(410). A cooling unit(200) is in contact with one surface of the contact point member. A circulation passage circulating by a pump(210) is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种通过各向异性温度控制制造金属构件的方法，以消除在氧化过程之后分别执行的包层工艺，从而通过减少整个工艺所需的时间来提高生产率。 构成：制备包括形成预定厚度的第一区域（10）和形成其余部分的第二区域（20）的接触点构件（1）。 接触点构件被插入具有多个加热器（410）的氧化装置中。 冷却单元（200）与接触点构件的一个表面接触。 形成由泵（210）循环的循环通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101201981B1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：KR1020100048707
申请日：2010-05-25
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본 발명에 따른 열가역적 수지를 포함하는 접착층을 사용한 플립 칩 접합방법은, 열에 의해 형태가 가역적으로 변하는 성질을 가지는 액체 상태의 수지에 경화제 및 촉매제를 혼합하여 액상의 혼합물을 얻는 단계, 상기 액상의 혼합물을 기판 상에 인쇄하여 접착층을 형성하는 단계, 상기 접착층을 고상화시키는 단계 및 열과 압력을 가하여 상기 기판 상에 칩을 접합시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120119059A
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020110036800
申请日：2011-04-20
Applicant: 한국생산기술연구원
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A flip chip package and a bonding method thereof using adhesive in which volume expansion agent is included are provided to omit an underfill process after a reflow process. CONSTITUTION: A solder ball(15) or a bump is formed on a bonding surface of a chip(10). Adhesive(30) including volume blowing agent is coated on the bonding surface of the chip in order for a part of the solder to be projected. A pad(20) of the bump or the solder ball is bonded through chip mounting and reflow soldering. The adhesive fills a space between the chip and the substrate according to the expansion of the adhesive.
Abstract translation: 目的：提供一种倒装芯片封装及其使用包含体积膨胀剂的粘合剂的接合方法，以在回流处理之后省略底部填充工艺。 构成：在芯片（10）的接合表面上形成焊球（15）或凸块。 包括体积发泡剂的粘合剂（30）涂覆在芯片的接合表面上，以使一部分焊料投射。 凸块或焊球的焊盘（20）通过芯片安装和回流焊接而结合。 根据粘合剂的膨胀，粘合剂填充芯片和基板之间的空间。
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公开(公告)号：KR1020120023329A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020100086192
申请日：2010-09-02
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: H02N2/00 , H01L41/113 , H01L35/02
CPC classification number: H02N2/18 , H01L35/28 , H01L41/113 , H02J7/00 , H02N11/002 , Y10S257/93 , Y10S310/80
Abstract: PURPOSE: An energy harvesting system of a hybrid structure including a minute piezoelectric transducer and a thermoelectric device is provided to improve energy generation efficiency by combining a thermoelectric substrate with a harvesting system. CONSTITUTION: A plurality of piezoelectric transducers generate power by vibrating with external energy. The plurality of piezoelectric transducers are fixed to the printed circuit board. The printed circuit board collects power from the piezoelectric transducers. A thermoelectric substrate is combined with the lower side of the printed circuit board and generates power by heat from the printed circuit board or external power. A base substrate is attached to the lower side of the thermoelectric substrate and protects the printed circuit board and the thermoelectric substrate. A metal pad(340) transmits power of the piezoelectric device to the printed circuit board.
Abstract translation: 目的：提供一种包括微型压电换能器和热电装置的混合结构的能量收集系统，通过将热电基板与收获系统相结合来提高能量产生效率。 构成：多个压电换能器通过利用外部能量的振动产生功率。 多个压电换能器固定在印刷电路板上。 印刷电路板从压电换能器收集电力。 热电基板与印刷电路板的下侧组合，并通过来自印刷电路板的热量或外部电力产生电力。 基底基板安装在热电基片的下侧，并保护印刷电路板和热电基片。 金属焊盘（340）将压电装置的电力传递到印刷电路板。
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公开(公告)号：KR101084571B1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020100037506
申请日：2010-04-22
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본 발명의 탄소나노튜브 복합 솔더볼 제조방법은 용융솔더가 통과되는 홀이 형성된 용기에 용융솔더를 넣는 준비단계, 상기 용융솔더가 상기 홀을 통과하여 중력 방향으로 하강하며, 상기 용융솔더는 하강 도중 방울 형태를 이루는 하강단계, 분사기를 이용하여 탄소나노튜브 분무액을 상기 하강단계의 용융솔더에 분사하는 분사단계 및 상기 분사단계 이후 탄소나노튜브가 혼합된 방울 형태의 용융솔더가 냉각오일에 투입되어 응고되는 응고단계를 포함한다. 그리고 본 발명의 솔더페이스트 제조방법은 상기 방법에 의하여 제조된 솔더볼을 플럭스와 섞어 솔더페이스트를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020110121973A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020100041515
申请日：2010-05-03
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: G01B11/255 , G01L1/00
Abstract: PURPOSE: A method of measuring the stress of a plating layer is provided to simply, precisely and repetitively measure the stress of the plating layer, which is used as reference when the contact level between a base and a coated layer is evaluated. CONSTITUTION: A method of measuring the stress of a plating layer is as follows. A buffer layer is formed on the top of a silicon strip substrate. A plating layer is formed on the top of the strip substrate with the buffer layer. The stress of the plating layer is measured using a curvature-radius measuring unit using a laser. The buffer layer is formed by sputtering. The plating layer is formed by sputtering. The silicon strip substrate is 1:5~10 in aspect ratio. The thickness of the silicon strip substrate is 100~300μm.
Abstract translation: 目的：提供一种测量镀层应力的方法，以简单，精确和重复地测量镀层的应力，当评估基体和涂层之间的接触水平时，其用作参考。 构成：测定镀层的应力的方法如下。 在硅带基板的顶部形成缓冲层。 在带状基板的顶部上形成有缓冲层的镀层。 使用使用激光的曲率半径测量单元测量镀层的应力。 缓冲层通过溅射形成。 镀层通过溅射形成。 硅带基材的纵横比为1:5〜10。 硅带基板的厚度为100〜300μm。
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