실리콘 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 실리콘 태양전지
    51.
    发明公开
    실리콘 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 실리콘 태양전지 无效
    硅太阳能电池和硅太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR1020140015835A

    公开(公告)日:2014-02-07

    申请号:KR1020120081218

    申请日:2012-07-25

    Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a silicon solar cell and the present invention comprises: (a) a step of processing surface texturing with a first conductivity type impurity which was doped to the front surface of a silicon substrate; (b) a step of forming patterns using a masking paste to the front surface of the silicon substrate of which the surface texturing is finished to the location where it corresponds to a front electrode to form an opening; (c) a step of etching a first area of the front silicon surface exposed by the opening; (d) a step of removing the patterns formed by the masking paste; (e) a step of forming an emitter layer to the etching location from step (c) so as to diffuse a second conductivity type impurity; (f) a step of forming a reflection film that is equipped with a passivation layer on the front silicon surface; (e) and a step of forming the front electrode on the upper part of the emitter layer. By doing so, the present invention may flatten the area corresponding to the front electrode of the silicon substrate so that it may improve the efficiency of the silicon solar cell by reducing the possibilities of disconnection according to the uneven surface structure when conventionally forming the front electrode.

    Abstract translation: 硅太阳能电池的制造方法技术领域本发明涉及硅太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:(a)在第一导电型杂质的表面上掺杂硅衬底的表面的工序; (b)使用掩模糊形成图案的步骤,其中所述表面纹理完成到所述硅衬底的正面,其与所述前电极对应的位置形成开口; (c)蚀刻由所述开口露出的所述前硅表面的第一区域的步骤; (d)去除由掩模膏形成的图案的步骤; (e)从步骤(c)向蚀刻位置形成发射极层以扩散第二导电类型杂质的步骤; (f)在前硅表面上形成配备有钝化层的反射膜的步骤; (e)和在发射极层的上部形成正面电极的步骤。 通过这样做,本发明可以使与硅衬底的前电极相对应的面积变平,从而通过根据不均匀的表面结构减少断开的可能性,可以提高硅太阳能电池的效率 。

    레이저를 이용한 나노입자 합성장치 및 방법
    52.
    发明公开
    레이저를 이용한 나노입자 합성장치 및 방법 无效
    使用激光合成纳米颗粒的方法和方法

    公开(公告)号:KR1020130130284A

    公开(公告)日:2013-12-02

    申请号:KR1020120053959

    申请日:2012-05-22

    CPC classification number: B01J19/121 B01J4/001 B82B3/0004

    Abstract: A nanoparticle synthesis apparatus using laser and a nanoparticle synthesis method using laser are provided. The nanoparticle synthesis apparatus according to the present invention comprises: a chamber; a source gas injection part provided at one side of the chamber and supplying source gas to the chamber; and a laser irradiation part provided at another side of the chamber and irradiating the source gas, supplied from the source gas injection part to the chamber, with laser. [Reference numerals] (130) Laser

    Abstract translation: 提供了使用激光的纳米颗粒合成装置和使用激光的纳米颗粒合成方法。 根据本发明的纳米颗粒合成装置包括:室; 源气体注入部,其设置在所述室的一侧并将气体源供给到所述室; 以及激光照射部,设置在所述室的另一侧,并且将从所述源气体喷射部供给到所述室的所述源气体用激光照射。 (附图标记)(130)激光

    실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지
    53.
    发明授权
    실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지 有权
    一种制造具有硅球的太阳能电池的方法及其制造的太阳能电池

    公开(公告)号:KR101316943B1

    公开(公告)日:2013-10-18

    申请号:KR1020100094860

    申请日:2010-09-30

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지가 제공된다.
    본 발명에 따른 실리콘 구립체 기반 태양전지 제조방법은 소정 간격으로 이격된 복수 개의 개방 홈이 구비된 절연기판의 상기 홈에 제 1형 불순불이 도핑된 실리콘 구립체를 안착시키는 단계; 상기 실리콘 구립체상에 진성 실리콘층을 증착시키는 단계; 상기 진성 실리콘층 상에 제 2형 불순물이 도핑된 실리콘층을 증착시키는 단계; 및 상기 실리콘 구립체가 안착된 방향에 대향하는 기판상에 후면 전극층을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘 구립체 기반 태양전지는 실리콘 구립체를 절연 지지기판의 개방 홈에 먼저 안착하고, 태양전지 제조공정을 진행하는 방식을 취한다. 이 경우, 실리콘 구립체에 대한 태양전지 공정을 진행한 후, 이를 기판 홈에 안착시키고, 다시 후면전극과의 컨택을 위한 마모공정이 수행되는 종래 기술에 비하여 획기적인 생산성 향상 효과를 발생시킬 수 있다.

    그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지
    54.
    发明公开
    그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지 有权
    具有网格结构的背面电极的太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020130012495A

    公开(公告)日:2013-02-04

    申请号:KR1020110073762

    申请日:2011-07-25

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/0224 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A solar cell including a back contact electrode having a grid structure is provided to reduce the manufacturing costs of the solar cell by reducing the amount of aluminum needed for the back contact electrode. CONSTITUTION: An emitter layer is formed on a solar cell substrate. An anti-reflection layer is formed on the emitter layer. A front electrode is formed on the anti-reflection barrier layer. The front electrode includes a bus electrode(104a) and a finger electrode(104b) which perpendicularly intersects the bus electrode. The back contact electrode is formed on the rear surface of the solar cell substrate. The back contact electrode includes a first line(106a) having a wide width and a second line(106b) having a narrow width.

    Abstract translation: 目的:提供包括具有栅格结构的背接触电极的太阳能电池,通过减少背接触电极所需的铝量来降低太阳能电池的制造成本。 构成:在太阳能电池基板上形成发射极层。 在发射极层上形成防反射层。 在抗反射阻挡层上形成前电极。 前电极包括与总线电极垂直相交的总线电极(104a)和指状电极(104b)。 背接触电极形成在太阳能电池基板的后表面上。 背接触电极包括具有宽宽度的第一线(106a)和具有窄宽度的第二线(106b)。

    선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지
    55.
    发明公开
    선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 有权
    用于制备选择性发射层的方法,由其制备的选择性发射层以及包含其的硅氧烷太阳电池

    公开(公告)号:KR1020130012494A

    公开(公告)日:2013-02-04

    申请号:KR1020110073761

    申请日:2011-07-25

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a selective emitter layer, the selective emitter layer manufactured thereby, and a silicon solar cell including the same are provided to have an easily controlled doping profile for the selective emitter layer by performing a high temperature heat treatment for forming a high doped region. CONSTITUTION: A p-type impurity doped crystalline silicon substrate(401) is prepared. A first impurity source is laminated on the silicon substrate. A first heat treatment is performed on the substrate including a first impurity source. A high doped region(403) of a selective emitter layer is formed on the silicon substrate. A low doped region(404) is formed on the entire substrate by using a second impurity source.

    Abstract translation: 目的:制造选择性发射极层的方法,由其制造的选择性发射极层和包括该选择性发射极层的硅太阳能电池被提供以通过进行高温热处理来形成用于选择性发射极层的容易控制的掺杂分布,以形成 高掺杂区域。 构成:制备p型杂质掺杂晶体硅衬底(401)。 在硅衬底上层叠第一杂质源。 在包括第一杂质源的衬底上进行第一热处理。 在硅衬底上形成选择性发射极层的高掺杂区域(403)。 通过使用第二杂质源在整个衬底上形成低掺杂区(404)。

    온장고
    56.
    发明授权
    온장고 有权
    加热柜

    公开(公告)号:KR101200555B1

    公开(公告)日:2012-11-13

    申请号:KR1020100079897

    申请日:2010-08-18

    Abstract: 태양에너지를 이용하여 음식물이 따뜻한 상태로 보관될 수 있게 한 온장고가 개시된다. 이를 위한, 온장고는 외면이 투명한 소재로 이루어지고, 내부에 수용공간이 형성되며, 수용공간을 감싸는 부분의 내부에는 태양에너지에 의해 가열되는 보온용 유체가 채워지도록 형성되어 외부의 태양에너지를 받아 보온용 유체에 열을 저장하고, 열로 수용공간에 수용된 대상물을 보온하는 몸체부재와, 몸체부재의 일측에 형성되어 몸체부재가 창문에 탈부착될 수 있게 하는 탈부착부재를 포함한다. 이에 따라, 따뜻한 음식을 온장고에 넣어놓고 식지 않도록 할 수 있다. 사용자가 온장고 내부의 음식을 섭취하려고 하는 경우에는 창문으로부터 온장고를 분리하여 내부의 음식을 꺼내어 섭취할 수 있다. 또는, 창문으로부터 온장고를 분리하여 특정 시간 휴대하고 다니다가 음식을 섭취하는 것도 가능하다.

    태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템
    57.
    发明授权
    태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템 有权
    用于沉积太阳能电池层的装置,方法和系统

    公开(公告)号:KR101199210B1

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:KR1020100105758

    申请日:2010-10-28

    Abstract: 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템이 제공된다.
    본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치는 기판을 경계로 구분되는 복수 개의 단위 챔버; 복수 개의 단위 챔버에 증착가스를 독립적으로 주입시키기 위한 증착가스 주입부; 및 상기 단위 챔버 내에 각각 구비되며, 상기 주입된 증착가스를 분해하기 위한 분해 수단을 포함하며, 상기 기판의 양면 각각은 상기 복수 개의 단위 챔버로 노출되며, 본 발명에 따른 태양전지 박막 증착장치 및 이를 이용한 제조방법은 기판의 회전 없이 고정된 상태에서 기판의 양면 증착이 가능하게 한다. 따라서, 일면에 대해서 하나의 층만이 적층되는 종래 기술에 비하여, 요구되는 설비의 수가 획기적으로 줄 수 있으며, 그 결과 본 발명에 따른 증착장치는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하다. 더 나아가, 증착공정의 수가 감소됨에 따라, 기판의 외부노출 시간을 또한 줄며, 그 결과 기판표면의 오염을 최소화할 수 있으며, 우수한 신뢰성을 갖는 태양전지의 제조가 가능하다.

    온장고
    58.
    发明公开
    온장고 有权
    加热柜

    公开(公告)号:KR1020120017291A

    公开(公告)日:2012-02-28

    申请号:KR1020100079897

    申请日:2010-08-18

    Abstract: PURPOSE: A heating cabinet is provided to heat food and beverage in the cabinet by the solar energy if storing in the cabinet for predetermined time because the heating cabinet is installed on a window. CONSTITUTION: A heating cabinet(100) comprises a body member(110) and an attaching and detaching member(120). The exterior surface of the body member is made of transparent material. An accommodating space is formed inside the body member. Heat-retaining fluid heated by the solar energy is filled in a part of body member covering the accommodating space. The body member stores heat to the heat retaining fluid using the external solar energy and objects in the accommodating space keep warm by the heat. The attaching and detaching member is formed in one side of the body member and attaches and detaches the body member to a window.

    Abstract translation: 目的:提供一个加热柜,用于通过太阳能加热食物和饮料,如果由于将加热柜安装在窗户上而将其存放在机柜中预定的时间。 构成:加热柜(100)包括主体构件(110)和安装和拆卸构件(120)。 本体构件的外表面由透明材料制成。 容纳空间形成在主体构件的内部。 由太阳能加热的保温流体填充在覆盖容纳空间的主体部件的一部分中。 身体构件使用外部太阳能将热量储存到保温流体中,并且容纳空间中的物体通过热保持温暖。 安装和拆卸构件形成在主体构件的一侧,并将主体构件附接并分离到窗口。

    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치
    59.
    发明授权
    태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치 有权
    用于太阳能电池吸收层的CIS复合薄膜沉积装置

    公开(公告)号:KR101019639B1

    公开(公告)日:2011-03-07

    申请号:KR1020090007470

    申请日:2009-01-30

    CPC classification number: Y02E10/52 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 파이로미터를 이용하여 진공증착에 의해 박막이 형성되는 기판의 온도를 측정하도록 하되 상기 파이로미터를 밀폐된 히팅수단 몸체의 내부에 장착하여 기판 후면의 온도를 측정하도록 함으로써 증발되는 기체의 간섭없이 정확한 측정이 가능하도록 한 것이다. 또한, 비접촉에 의해 기판의 온도를 측정함으로 접촉에 따른 기판의 손상과 열손실을 방지할 수 있어 균일한 박막의 형성이 가능하도록 하는 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 관한 것이다.
    본 발명은 내측하부에 Cu,In,Ga,Se등의 원소를 내포하는 보트나 이퓨젼셀인 증발원이 설치된 진공챔버와, 상기 진공챔버의 내부에 장착되어 진공챔버의 증발물질이 내입되는 것을 방지하는 몸체와 상기 몸체의 하부면에 장착되어 기판을 안치하는 트레이와 상기 기판에 열을 가하는 열원을 구비한 히팅수단과, 상기 트레이에 안치되는 기판의 온도를 측정하는 기판온도측정장치와, 상기 기판온도측정장치로부터 측정된 신호를 입력받는 제어부를 포함하여 구성된 태양전지 광흡수층용 CIS계 화합물 박막 제조장치에 있어서, 상기 기판온도측정장치는 히팅수단의 몸체 내에 장착되어 기판 후면의 온도를 측정하는 파이로미터인 것을 특징으로 한다.
    또한, 상기 히팅수단의 열원은 환형으로 구성하고, 중심에는 온도측정통공을 형성하여 파이로미터에서 광조사와 반사된 광의 입사가 이루어지도록 할 수 있다.
    CIS계 태양전지, 기판, 온도측정, 박막, 파이로미터

    Abstract translation: 目的:提供CIS系统复合薄膜制造装置,通过防止由于接触导致的热损失和基板的损坏而形成均匀的薄膜。 构成:真空室(20)包括容纳诸如Cu,In,Ga的元件的舟皿。加热部件(30)包括主体,托盘和加热源。 高温计(40)测量放置在托盘中的基板的温度。 控制器接收从高温计测量的信号。 高温计安装在加热部件的主体内,并测量基板背面的温度。

    나노분말 제조 장치
    60.
    发明公开
    나노분말 제조 장치 有权
    制造纳米粉的装置

    公开(公告)号:KR1020100124581A

    公开(公告)日:2010-11-29

    申请号:KR1020090043663

    申请日:2009-05-19

    CPC classification number: B82B3/0004 B01J19/087 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A nanopowder manufacturing device is provided to mass-produce high purity nanopowder using a non-contact electromagnetic-induction melting method and a volatilizing and rapid-cooling method. CONSTITUTION: A nanopowder manufacturing device comprises the following: a vacuum chamber(110); a melting crucible(120) mounted on one side of the vacuum chamber; a melting induction unit(130) melting and volatilizing metals and non-metals inside the melting crucible; a gas injecting unit(140) for inserting gas to the melting crucible for cooling the metals; a collector(150) for collecting the metals, and a vacuum pump(160) exhausting the gas.

    Abstract translation: 目的:提供一种纳米粉末制造装置,以使用非接触电磁感应熔炼法和挥发和快速冷却法大量生产高纯度纳米粉末。 构成:纳米粉末制造装置包括:真空室(110); 安装在真空室一侧的熔化坩埚(120); 在熔融坩埚内熔化和挥发金属和非金属的熔化感应单元(130); 用于将气体插入熔融坩埚以冷却金属的气体注入单元(140); 用于收集金属的收集器(150)和排出气体的真空泵(160)。

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