Abstract:
본 발명은 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 부가물 형태로 결합하여 안정화된 금속배위화합물을 전구체로 사용하여 원자층 증착법 또는 화학증착법으로 ⅡA, ⅢA, ⅢB(란타나이드계 원소포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 중성 리간드와 결합한 배위금속화합물은 통상적인 배위화합물에 비해 대기중에서 수분, 산소 등과 결합하여 변성될 확률이 매우 적고, 또한 표면 반응에 의해서만 진행되는 원자층 증착공정에서 균일도를 증가시키고, 재현성 있는 거동이 있었다. 그리고 리간드 자체는 반응챔버 내에서 반응온도이하에서 배위화합물 분자와 분해하여 반응에 직접 관여하지 않았다. 전자구게 역할을 하는 리간드(L)로는 비공유 전자쌍에 의해 배위화합물을 안정화 시킬 수 있는 아민그룹(NR 3 , R=hydrogen, methyl, ethyl, propyl), 디아민그룹(ethylenediamine,1,3-diaminopropane,1,2-diaminopropane), 트리아민그룹[N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine]을 포함한다. 또한, 상기한 방법을 활용하여 전계발광소자를 제조하는 방법을 포함한다. 실시예로서 형광층이 상, 하부 절연층으로 둘러싸인 이중절연구조 교류형 박막 CaS:Pb 청색 전계발광소자의 제조에서 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 결합한 배위금속화합물, Pb(thd) 2 -L(thd = 2,2',6,6'-tetramethyl-3, 5- heptanedione)과 Ca(thd) 2 -L을 전구체로 사용하여 색순도외 휘도가 매우 개선된 결과를 얻었다.
Abstract:
PURPOSE: A process for forming a PbX(X=S or Se) film using an atom layer deposition method and a chemical vapor deposition method and method for making a phosphor by adding PbX to the base material of CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS, and MgSe are provided which can produce the phosphor having good color intensity and luminance and reduce the cost of production. CONSTITUTION: In the manufacturing method of a PbX(X=S or Se) thin film, the film is formed by reacting a Pb-precursor and H2X(X=S or Se) using an organometal compound in which Pb is covalent-bonded with a functional group at 100-450°C. The product exhibits a luminance value of above 100 cd/m¬2 at AC-60 Hz. The phosphor having good color intensity and luminance is manufactured by adding a Pb ¬2+ ion to the base material selectively. The process can obtain excellent characteristics in reproducibility and uniformity and reduce the cost of production.
Abstract:
개인정보단말기을 이용하여 용이하게 시료를 측정하고 처리할 수 있으며, 대량생산이 가능한 전자후각 센서어레이, 이를 포함하는 센서시스템, 그 센서어레이 제조방법 및 그 센서시스템을 이용한 분석방법을 제공한다. 그 센서어레이는 고분자기판의 일측면에 형성되어, 피분석 화학종과 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하는 복수개의 감지막 및 감지막의 양측에 접촉하며, 저항의 변화를 감지하는 복수개의 감지전극을 포함한다. 전자후각, 센서어레이, 센서시스템, 개인정보단말기, 감지막
Abstract:
A metal-oxide-semiconductor chemical sensor and a fabrication method thereof are provided to make a sensing membrane of a sensor substrate with metal oxide nano-particles to lower the drive temperature. A metal-oxide-semiconductor chemical sensor comprises a sensor substrate(10), a measuring chamber(30) and a light source(20), wherein the sensor substrate includes an insulating substrate, a sensing electrode insulating substrate and a sensing membrane of metal oxide nano-particles deposited on the sensing electrode, so that the metal-oxide-semiconductor chemical sensor is adapted to sense a sample at low temperature below 100°C.
Abstract:
본 발명은 기체 상태의 화학종을 저온에서 감지하기 위한 화학 센서에 관한 것으로, 상기 화학 센서는 활성 흡착 사이트를 갖는 결정성 금속산화물 나노입자 집합체로 구성된 감지막을 구비한다. 결정성 금속산화물 나노입자의 표면에 위치하는 활성 흡착 사이트로 인하여 화학종의 흡착 및 탈착에 따라 전기 전도도가 변화되기 때문에 100℃ 이하의 저온에서 화학종의 감지가 가능하다. 화학 센서, 금속산화물, 나노입자, 감지막, 화학종
Abstract:
A monolithic MEMS(Micro-Electro Mechanical System) sensor without a step and a method of fabricating the same are provided to use a quality high temperature deposited layer for an MEMS since formation of a membrane is performed before a metal wiring process of a reading circuit. In a monolithic MEMS sensor without a step, an MEMS is formed on a left side of a substrate(10) as a first region. A reading circuit(50) is formed on a right side of the substrate as a second region. The MEMS includes a protection layer(20), a membrane(40), an insulation layer(41), and a sensor electrode(60) on the substrate. The protection layer is formed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. The membrane is formed on a top of the protection layer as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. The insulation layer is formed of a silicon oxide layer. The sensor electrode is formed of a conductive material on the insulation layer. And, a sacrificial layer burying a trench is removed by an etching path(70).
Abstract:
본 발명은 길이/단면적 비가 큰 전도성 물질과 절연성 고분자 물질로 된 가스 센서용 복합재료 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이와 같이 길이/단면적 비가 큰 전도성 물질을 사용함에 따라 복합재료에 첨가되는 전도성 물질의 함량을 감소시킬 수 있으면서 동시에 높은 감지 감도를 얻을 수 있다. 가스 센서, 카본 나노튜브, 감도, 분산
Abstract:
본 발명은 생체 또는 인체 내에 존재하는 생화학적 물질의 농도를 연속적으로 측정하는 인체 삽입이 가능한 바이오 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 작업 전극 및 기준 전극을 포함하는 전극을 패터닝하는 단계, 상기 작업전극위에 효소막을 형성하는 단계 및 각 전극 및 효소막을 덮을 수 있도록 외부막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 외부막을 형성하는 단계가 전기 방사 방법을 이용하여 다공성 고분자 나노 섬유로 이루어진 막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따라 바이오 센서의 외부막을 형성하는 경우, 전기 방사 방법이 상온에서 수행되고, 유기 용매가 방사 과정에서 증발되므로 고온 및 유기 용매에 의한 효소의 변성을 방지할 수 있으므로, 효소의 활성을 저하시키지 않으면서 외부막을 형성할 수 있어, 보다 효과적으로 기능을 발휘하는 바이오 센서를 제조할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A flat panel display device and a method for forming a protective layer thereof are provided to maintain a lifetime and a characteristic by forming a protective layer in a low temperature process. CONSTITUTION: A flat panel display device is fabricated on a substrate(100). The flat panel display device formed on the substrate is transferred to a process chamber in order to form a protective layer(118). A plurality of precursors including elements of the protective layer are injected into the chamber. The protective layer of an inorganic insulating layer is formed under the temperature of 20 to 220°C by using an atomic layer deposition method using a surface reaction between the precursors. The flat panel display device is an organic electro-luminescent device including the first electrode(102), an electro-luminescent layer, and the second electrode(114). The protective layer is formed by stacking an organic insulating layer and a protective metal layer(116) to the inorganic insulating layer.
Abstract:
본 발명은 생체 또는 인체 내에 존재하는 생화학적 물질의 농도를 연속적으로 측정하는 인체 삽입이 가능한 바이오 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 작업 전극 및 기준 전극을 포함하는 전극을 패터닝하는 단계, 상기 작업전극위에 효소막을 형성하는 단계 및 각 전극 및 효소막을 덮을 수 있도록 외부막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 외부막을 형성하는 단계가 전기 방사 방법을 이용하여 다공성 고분자 나노 섬유로 이루어진 막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따라 바이오 센서의 외부막을 형성하는 경우, 전기 방사 방법이 상온에서 수행되고, 유기 용매가 방사 과정에서 증발되므로 고온 및 유기 용매에 의한 효소의 변성을 방지할 수 있으므로, 효소의 활성을 저하시키지 않으면서 외부막을 형성할 수 있어, 보다 효과적으로 기능을 발휘하는 바이오 센서를 제조할 수 있게 된다.