금속황화물박막제조방법및전계발광소자제조방법
    51.
    发明授权
    금속황화물박막제조방법및전계발광소자제조방법 失效
    制造金属硫化物薄膜的方法

    公开(公告)号:KR100296981B1

    公开(公告)日:2001-10-27

    申请号:KR1019980041260

    申请日:1998-09-30

    Abstract: 본 발명은 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 부가물 형태로 결합하여 안정화된 금속배위화합물을 전구체로 사용하여 원자층 증착법 또는 화학증착법으로 ⅡA, ⅢA, ⅢB(란타나이드계 원소포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 중성 리간드와 결합한 배위금속화합물은 통상적인 배위화합물에 비해 대기중에서 수분, 산소 등과 결합하여 변성될 확률이 매우 적고, 또한 표면 반응에 의해서만 진행되는 원자층 증착공정에서 균일도를 증가시키고, 재현성 있는 거동이 있었다. 그리고 리간드 자체는 반응챔버 내에서 반응온도이하에서 배위화합물 분자와 분해하여 반응에 직접 관여하지 않았다. 전자구게 역할을 하는 리간드(L)로는 비공유 전자쌍에 의해 배위화합물을 안정화 시킬 수 있는 아민그룹(NR
    3 , R=hydrogen, methyl, ethyl, propyl), 디아민그룹(ethylenediamine,1,3-diaminopropane,1,2-diaminopropane), 트리아민그룹[N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine]을 포함한다. 또한, 상기한 방법을 활용하여 전계발광소자를 제조하는 방법을 포함한다. 실시예로서 형광층이 상, 하부 절연층으로 둘러싸인 이중절연구조 교류형 박막 CaS:Pb 청색 전계발광소자의 제조에서 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 결합한 배위금속화합물, Pb(thd)
    2 -L(thd = 2,2',6,6'-tetramethyl-3, 5- heptanedione)과 Ca(thd)
    2 -L을 전구체로 사용하여 색순도외 휘도가 매우 개선된 결과를 얻었다.

    고휘도 형광체 및 그 제조방법
    52.
    发明公开
    고휘도 형광체 및 그 제조방법 失效
    高亮度磷光体及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020000016902A

    公开(公告)日:2000-03-25

    申请号:KR1019990026897

    申请日:1999-07-05

    Abstract: PURPOSE: A process for forming a PbX(X=S or Se) film using an atom layer deposition method and a chemical vapor deposition method and method for making a phosphor by adding PbX to the base material of CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS, and MgSe are provided which can produce the phosphor having good color intensity and luminance and reduce the cost of production. CONSTITUTION: In the manufacturing method of a PbX(X=S or Se) thin film, the film is formed by reacting a Pb-precursor and H2X(X=S or Se) using an organometal compound in which Pb is covalent-bonded with a functional group at 100-450°C. The product exhibits a luminance value of above 100 cd/m¬2 at AC-60 Hz. The phosphor having good color intensity and luminance is manufactured by adding a Pb ¬2+ ion to the base material selectively. The process can obtain excellent characteristics in reproducibility and uniformity and reduce the cost of production.

    Abstract translation: 目的:使用原子层沉积法和化学气相沉积方法形成PbX(X = S或Se)膜的方法和通过将PbX添加到CaS,CaSe,SrS,SrSe的基材中来制造荧光体的方法, 提供了可以产生具有良好的色强度和亮度的荧光体的ZnS,ZnSe,BaS,BaSe,MgS和MgSe,并降低生产成本。 构成:在PbX(X = S或Se)薄膜的制造方法中,通过使用与Pb共价键合的有机金属化合物使Pb前体与H 2 X(X = S或Se)反应形成膜 官能团在100-450℃。 该产品在AC-60Hz下表现出高于100cd / m 2的亮度值。 通过选择性地将Pb 2+离子添加到基材来制造具有良好的色强度和亮度的荧光体。 该方法可以获得重现性和均匀性的优异特性,降低生产成本。

    금속산화물 반도체 화학센서 및 이의 제조 방법
    54.
    发明公开
    금속산화물 반도체 화학센서 및 이의 제조 방법 无效
    金属氧化物半导体化学传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080052249A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:KR1020070060954

    申请日:2007-06-21

    Abstract: A metal-oxide-semiconductor chemical sensor and a fabrication method thereof are provided to make a sensing membrane of a sensor substrate with metal oxide nano-particles to lower the drive temperature. A metal-oxide-semiconductor chemical sensor comprises a sensor substrate(10), a measuring chamber(30) and a light source(20), wherein the sensor substrate includes an insulating substrate, a sensing electrode insulating substrate and a sensing membrane of metal oxide nano-particles deposited on the sensing electrode, so that the metal-oxide-semiconductor chemical sensor is adapted to sense a sample at low temperature below 100°C.

    Abstract translation: 提供了一种金属氧化物半导体化学传感器及其制造方法,以使传感器基板的感测膜具有金属氧化物纳米颗粒以降低驱动温度。 金属氧化物半导体化学传感器包括传感器基板(10),测量室(30)和光源(20),其中传感器基板包括绝缘基板,感测电极绝缘基板和金属感测膜 氧化物纳米颗粒沉积在感测电极上,使得金属氧化物半导体化学传感器适于在低于100℃的低温下感测样品。

    화학 센서
    55.
    发明授权
    화학 센서 失效
    化学传感器

    公开(公告)号:KR100735031B1

    公开(公告)日:2007-07-03

    申请号:KR1020040110716

    申请日:2004-12-22

    CPC classification number: G01N27/127

    Abstract: 본 발명은 기체 상태의 화학종을 저온에서 감지하기 위한 화학 센서에 관한 것으로, 상기 화학 센서는 활성 흡착 사이트를 갖는 결정성 금속산화물 나노입자 집합체로 구성된 감지막을 구비한다. 결정성 금속산화물 나노입자의 표면에 위치하는 활성 흡착 사이트로 인하여 화학종의 흡착 및 탈착에 따라 전기 전도도가 변화되기 때문에 100℃ 이하의 저온에서 화학종의 감지가 가능하다.
    화학 센서, 금속산화물, 나노입자, 감지막, 화학종

    단차를 가지지 않는 일체형 MEMS 센서 및 그 제조방법
    56.
    发明授权
    단차를 가지지 않는 일체형 MEMS 센서 및 그 제조방법 失效
    单片MEMS传感器无步骤和制造相同MEMS传感器的方法

    公开(公告)号:KR100701152B1

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:KR1020050120164

    申请日:2005-12-08

    Abstract: A monolithic MEMS(Micro-Electro Mechanical System) sensor without a step and a method of fabricating the same are provided to use a quality high temperature deposited layer for an MEMS since formation of a membrane is performed before a metal wiring process of a reading circuit. In a monolithic MEMS sensor without a step, an MEMS is formed on a left side of a substrate(10) as a first region. A reading circuit(50) is formed on a right side of the substrate as a second region. The MEMS includes a protection layer(20), a membrane(40), an insulation layer(41), and a sensor electrode(60) on the substrate. The protection layer is formed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. The membrane is formed on a top of the protection layer as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. The insulation layer is formed of a silicon oxide layer. The sensor electrode is formed of a conductive material on the insulation layer. And, a sacrificial layer burying a trench is removed by an etching path(70).

    Abstract translation: 提供了没有台阶的单片MEMS(微电子机械系统)传感器及其制造方法,以使用用于MEMS的优质高温沉积层,因为在读取电路的金属布线处理之前执行膜的形成 。 在没有台阶的单片MEMS传感器中,MEMS作为第一区域形成在基板(10)的左侧。 读取电路(50)形成在基板的右侧作为第二区域。 MEMS在衬底上包括保护层(20),膜(40),绝缘层(41)和传感器电极(60)。 保护层由氧化硅层或氮化硅层形成。 膜作为氮化硅层或氧化硅层形成在保护层的顶部上。 绝缘层由氧化硅层形成。 传感器电极由绝缘层上的导电材料形成。 并且,通过蚀刻路径(70)去除埋入沟槽的牺牲层。

    가스 감응 센서용 복합재료 및 그의 제조방법
    57.
    发明公开
    가스 감응 센서용 복합재료 및 그의 제조방법 失效
    用于气敏传感器的复合材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060056696A

    公开(公告)日:2006-05-25

    申请号:KR1020040095874

    申请日:2004-11-22

    Abstract: 본 발명은 길이/단면적 비가 큰 전도성 물질과 절연성 고분자 물질로 된 가스 센서용 복합재료 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이와 같이 길이/단면적 비가 큰 전도성 물질을 사용함에 따라 복합재료에 첨가되는 전도성 물질의 함량을 감소시킬 수 있으면서 동시에 높은 감지 감도를 얻을 수 있다.
    가스 센서, 카본 나노튜브, 감도, 분산

    Abstract translation: 气体传感器用复合材料及其制造方法技术领域本发明涉及一种用于气体传感器的复合材料及其制造方法,所述气体传感器用复合材料包含具有大的长/ 通过使用如上所述的具有大的长度/横截面积比的导电材料,可以减少添加到复合材料中的导电材料的含量,同时实现高灵敏度。

    바이오 센서의 제조 방법
    58.
    发明授权
    바이오 센서의 제조 방법 失效
    生物传感器的制备方法

    公开(公告)号:KR100520104B1

    公开(公告)日:2005-10-11

    申请号:KR1020030097260

    申请日:2003-12-26

    Abstract: 본 발명은 생체 또는 인체 내에 존재하는 생화학적 물질의 농도를 연속적으로 측정하는 인체 삽입이 가능한 바이오 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 작업 전극 및 기준 전극을 포함하는 전극을 패터닝하는 단계, 상기 작업전극위에 효소막을 형성하는 단계 및 각 전극 및 효소막을 덮을 수 있도록 외부막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 외부막을 형성하는 단계가 전기 방사 방법을 이용하여 다공성 고분자 나노 섬유로 이루어진 막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따라 바이오 센서의 외부막을 형성하는 경우, 전기 방사 방법이 상온에서 수행되고, 유기 용매가 방사 과정에서 증발되므로 고온 및 유기 용매에 의한 효소의 변성을 방지할 수 있으므로, 효소의 활성을 저하시키지 않으면서 외부막을 형성할 수 있어, 보다 효과적으로 기능을 발휘하는 바이오 센서를 제조할 수 있게 된다.

    보호막 형성 방법
    59.
    发明公开
    보호막 형성 방법 失效
    形成钝化层的方法

    公开(公告)号:KR1020050078252A

    公开(公告)日:2005-08-04

    申请号:KR1020050060919

    申请日:2005-07-06

    Abstract: PURPOSE: A flat panel display device and a method for forming a protective layer thereof are provided to maintain a lifetime and a characteristic by forming a protective layer in a low temperature process. CONSTITUTION: A flat panel display device is fabricated on a substrate(100). The flat panel display device formed on the substrate is transferred to a process chamber in order to form a protective layer(118). A plurality of precursors including elements of the protective layer are injected into the chamber. The protective layer of an inorganic insulating layer is formed under the temperature of 20 to 220°C by using an atomic layer deposition method using a surface reaction between the precursors. The flat panel display device is an organic electro-luminescent device including the first electrode(102), an electro-luminescent layer, and the second electrode(114). The protective layer is formed by stacking an organic insulating layer and a protective metal layer(116) to the inorganic insulating layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种平板显示装置及其保护层形成方法,以通过在低温工艺中形成保护层来保持寿命和特性。 构成:在基板(100)上制造平板显示装置。 形成在基板上的平板显示装置被转移到处理室以形成保护层(118)。 将包括保护层的元件的多个前体注入到腔室中。 通过使用前体之间的表面反应的原子层沉积法,在20〜220℃的温度下形成无机绝缘层的保护层。 平板显示装置是包括第一电极(102),电致发光层和第二电极(114)的有机电致发光器件。 通过将有机绝缘层和保护金属层(116)堆叠到无机绝缘层上形成保护层。

    바이오 센서의 제조 방법
    60.
    发明公开
    바이오 센서의 제조 방법 失效
    制备传感器的方法

    公开(公告)号:KR1020050066059A

    公开(公告)日:2005-06-30

    申请号:KR1020030097260

    申请日:2003-12-26

    Abstract: 본 발명은 생체 또는 인체 내에 존재하는 생화학적 물질의 농도를 연속적으로 측정하는 인체 삽입이 가능한 바이오 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 작업 전극 및 기준 전극을 포함하는 전극을 패터닝하는 단계, 상기 작업전극위에 효소막을 형성하는 단계 및 각 전극 및 효소막을 덮을 수 있도록 외부막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 상기 외부막을 형성하는 단계가 전기 방사 방법을 이용하여 다공성 고분자 나노 섬유로 이루어진 막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따라 바이오 센서의 외부막을 형성하는 경우, 전기 방사 방법이 상온에서 수행되고, 유기 용매가 방사 과정에서 증발되므로 고온 및 유기 용매에 의한 효소의 변성을 방지할 수 있으므로, 효소의 활성을 저하시키지 않으면서 외부막을 형성할 수 있어, 보다 효과적으로 기능을 발휘하는 바이오 센서를 제조할 수 있게 된다.

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