公开(公告)号：KR100948603B1

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020080023827

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  김준관 ,  윤선진 ,  김현탁

IPC: H01C7/10 ,  C04B35/453

CPC classification number: H01C7/112 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01C7/1013 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49099

Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리

公开(公告)号：KR100943171B1

公开(公告)日：2010-02-19

申请号：KR1020070109611

申请日：2007-10-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준관 ,  임정욱 ,  윤선진 ,  김상훈 ,  김현탁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 p-형 산화아연층의 형성 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 n-형 산화아연층에 면접하도록 형성한 후 열처리를 통해 p-도펀트를 산화아연층 내부로 확산 및 활성화시킴으로써 p-형 산화아연층을 형성하는 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제조 방법에 따라 p-형 산화아연층을 형성하거나, p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제작하면, 제조가 간단할 뿐만 아니라 대면적 대량생산에 유리하다.
p-형 산화아연, 열처리, 확산, 활성화

公开(公告)号：KR100934228B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020080021064

申请日：2008-03-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김현탁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/00

Abstract: A vacuum channel transistor and a manufacturing method thereof are provided to secure operation stability by forming a cathode layer with a work function. In a vacuum channel transistor and a manufacturing method thereof, a vacuum channel transistor comprises an upper structure and a lower structure. In the upper structure, the anode layer(202) is formed on the lower surface of an upper plate(200). In the lower structure, a cathode layer(108) and a gate layer(112) are separated the top side of the lower substrate. A hollow is formed between the lower substrate and the cathode layer, and a cathode layer is formed with a work function material.

Abstract translation: 提供真空沟道晶体管及其制造方法以通过形成具有功函数的阴极层来确保操作稳定性。 在真空沟道晶体管及其制造方法中，真空沟道晶体管包括上部结构和下部结构。 在上部结构中，阳极层（202）形成在上板（200）的下表面上。 在下部结构中，阴极层（108）和栅极层（112）在下基板的上侧分开。 在下基板和阴极层之间形成中空部，阴极层由功函数材料形成。

公开(公告)号：KR100927602B1

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：KR1020070126876

申请日：2007-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  김현탁

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 소형화가 가능하며, 높은 전류 이득 특성을 가지는 스위칭 트랜지스터 소자 및 박막형 저항소자로 구성된 메모리 셀 및 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 또한, 열적으로 안정되고 고속 동작이 가능하며, 주변 회로 CMOS 공정과 쉽게 연계할 수 있는 메모리 셀 그 메모리 셀의 제조방법을 제공한다. 그 메모리 셀은 기판; 상기 기판 상에 형성된 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 물질을 기반으로 하는 3 단자 스위칭 소자; 및 상기 기판 상으로 형성되고 상기 스위칭 소자의 어느 한 단자에 전기적으로 연결된 MIT 물질을 기반으로 하는 저항 소자;를 포함한다.
MIT 트랜지스터, MIT 채널층, 모트(Mott) 전계효과 트랜지스터, 저항형 메모리 셀, 박막형 저항

Abstract translation: 提供基于金属 - 绝缘体转变材料的存储单元及其制造方法，以通过使用底部栅极模式的开关器件来防止通过后续工艺形成的VO2薄膜的性质变化。 氧化硅膜（115）形成在衬底（110）上。 栅电极（120）形成在氧化硅膜上。 栅绝缘膜（130）形成在氧化硅膜和栅电极上。 源电极（140）和漏电极（150）形成在栅极绝缘膜上。 在源电极和漏电极之间的栅极绝缘膜上形成用于开关的MIT（金属绝缘体转变）薄膜（160）。 在漏电极上形成用于电阻的MIT薄膜（170）。 在MIT薄膜上形成顶电极（180）用于电阻。 顶部绝缘膜（190）覆盖用于开关的源电极，漏电极和MIT薄膜。

公开(公告)号：KR1020090049010A

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020080052257

申请日：2008-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/085 ,  H02H5/047 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어

公开(公告)号：KR1020090013657A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020070123639

申请日：2007-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성열 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  심재엽 ,  김현탁

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A Ge based MIT thin film, the MIT device, the method for manufacturing the same are provided to easily grow the material of the MIT thin film by using the Ge element material. The MIT device comprises the substrate(100), and the Ge base MIT thin film (300a), at least two electrode thin films(410a,420a). The Ge base MIT thin film is formed on the substrate and generates the discontinuity metal-insulator transition(MIT) in the transition voltage. The electrode thin film is contacted with the Ge base MIT thin film. The Ge base MIT thin film causes the discontinuity MIT by voltage or the applied current.

Abstract translation: 提供基于Ge的MIT薄膜，MIT装置及其制造方法，以通过使用Ge元素材料容易地生长MIT薄膜的材料。 MIT装置包括基板（100）和Ge基MIT薄膜（300a），至少两个电极薄膜（410a，420a）。 Ge基MIT薄膜形成在衬底上并产生转变电压中的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）。 电极薄膜与Ge基MIT薄膜接触。 Ge基MIT薄膜通过电压或施加电流导致不连续MIT。

公开(公告)号：KR100859717B1

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：KR1020070101626

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  이용욱 ,  김봉준 ,  최성열 ,  윤선진

IPC: H01L29/08

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A three terminal MIT(Metal Insulator Transition) switch, a switching system using the same switch, and a method for controlling a MIT of the same switch are provided to control easily a discontinuous MIT jump by adjusting a voltage applied to a control electrode. A three terminal MIT switch includes a two terminal MIT element(100), an inlet electrode(200), an outlet electrode(300), and a control electrode(400). The two terminal MIT element causes discontinuous MIT at a transition voltage. The inlet electrode and the outlet electrode are connected to both ends of the two terminals MIT element. The control electrode is connected to the inlet electrode. The control electrode has an external terminal separated from an external terminal of the inlet electrode. The MIT of the MIT element is controlled by the voltage and current applied to the control electrode.

Abstract translation: 提供三端子MIT（金属绝缘体转换）开关，使用相同开关的开关系统以及用于控制相同开关的MIT的方法，以通过调节施加到控制电极的电压来容易地控制不连续的MIT跳转。 三端MIT开关包括两端MIT元件（100），入口电极（200），出口电极（300）和控制电极（400）。 两端MIT元件在转变电压下引起不连续的MIT。 入口电极和出口电极连接到两个端子MIT元件的两端。 控制电极连接到入口电极。 控制电极具有与入口电极的外部端子分离的外部端子。 MIT元件的MIT由施加到控制电极的电压和电流控制。

公开(公告)号：KR100842287B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020060125064

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  임정욱 ,  김봉준

IPC: C01G31/02 ,  C01G31/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C01G31/02 ,  C01P2006/40 ,  H01L49/003

Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 특성을 가진 V
2 O
3 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 VO
2 또는 V
3 O
7 중에서 선택된 어느 하나의 박막을 기판 상에 형성한다. 그후, 박막이 형성된 기판을 산소를 제거할 수 있는 환원분위기가 형성된 챔버 내에 장착하고, 챔버에 열을 가하여, 박막이 급격한 금속-절연체 전이를 하는 V
2 O
3 박막을 형성한다.
급격한 금속-절연체 전이, 환원분위기, 열처리

公开(公告)号：KR1020080013670A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060128928

申请日：2006-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  최상국

IPC: G01R19/165

CPC classification number: G01R31/2641

Abstract: A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously and an MIT sensor using the same circuit are provided to realize an image sensor used for a digital camera by sensing the intensity of light. A circuit for measuring discontinuous metal insulator transition(MIT) continuously includes a measured target unit(100), a power supply unit(800), a measuring unit(500), and a control unit. The measured target unit includes an MIT element(120) causing the discontinuous MIT in a transition voltage. The power supply unit applies a current or voltage of a predetermined pulse to the measured target unit. The measuring unit measures the discontinuous MIT of the MIT element. The control unit controls the power supply unit and the measuring unit. The measuring includes a microprocessor(700). The measured target unit includes a protection resistor(150). The power supply unit includes an operation amplifier. The measuring includes a comparator, an edge triggered flip-flop, or a sample holder(520).

Abstract translation: 提供用于连续测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路和使用相同电路的MIT传感器，以通过感测光强来实现用于数字照相机的图像传感器。 用于测量不连续金属绝缘体转变（MIT）的电路连续地包括测量目标单元（100），电源单元（800），测量单元（500）和控制单元。 测量的目标单元包括使不连续MIT处于转变电压的MIT元件（120）。 电源单元向测量的目标单元施加预定脉冲的电流或电压。 测量单元测量MIT元件的不连续MIT。 控制单元控制供电单元和测量单元。 测量包括微处理器（700）。 测量的目标单元包括保护电阻器（150）。 电源单元包括运算放大器。 测量包括比较器，边沿触发触发器或样品保持器（520）。

公开(公告)号：KR1020080005049A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020060125064

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  채병규 ,  김현탁 ,  임정욱 ,  김봉준

IPC: C01G31/02 ,  C01G31/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C01G31/02 ,  C01P2006/40 ,  H01L49/003

Abstract: A manufacturing method of V2O3 thin film is provided to obtain V2O3 thin film that shows abrupt metal-insulator transition suitable for manufacturing electrical element. A manufacturing method of V2O3 comprises steps of: forming thin film from one selected from VO2 and V3O7 on a substrate; placing the substrate having thin film in a chamber in a reductive atmosphere for removing oxygen; and applying heat to the chamber for forming V2O3 thin film which shows abrupt metal-insulator transition from the prepared thin film. The reductive atmosphere is formed from vacuum state, and is also formed from at least one selected from N2 gas, Ar gas and H2 gas. The applied temperature for heating in the chamber is 500-1,000deg.C. The ratio (R(TMIT-20K)/R(TMIT+20K)) of a resistance of the insulator and a resistance of the metal is 10-10^7. The V2O3 thin film shows metal-insulator transition at lower temperature than the ambient temperature. The manufacturing method optionally comprises a step of employing an element A for controlling the transition property to form (V1-xAx)2O3.

Abstract translation: 提供V2O3薄膜的制造方法，以获得适合于制造电气元件的突变金属 - 绝缘体转变的V2O3薄膜。 V2O3的制造方法包括以下步骤：在基板上从选自VO2和V3O7的一个薄膜形成薄膜; 将具有薄膜的基板放置在还原气氛中的室中以除去氧; 并向室内施加热量以形成从制备的薄膜突出的金属 - 绝缘体转变的V 2 O 3薄膜。 还原气氛由真空状态形成，也由选自N 2气体，Ar气体和H 2气体中的至少一种形成。 室内加热温度为500-1000℃。 绝缘体电阻和金属电阻的比（R（TMIT-20K）/ R（TMIT + 20K））为10-10 ^ 7。 V2O3薄膜在比环境温度低的温度下显示出金属 - 绝缘体的转变。 制造方法可选地包括采用元件A来控制转变特性以形成（V1-xAx）2O3的步骤。