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公开(公告)号：KR1020130140554A
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020130052336
申请日：2013-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4815 , G01S7/4818 , G01S7/484 , G01S7/4863
Abstract: The present invention relates to a laser radar system and a method for obtaining target images. The present invention comprises a light source, a light deflector, and a photo-detector. The light source radiates laser beams. The light deflector is positioned between the light source and a target. The light deflector enables the laser beams to be radiated in other positions of the target as time passes. The photo-detector detects the laser beams reflected from the target according to the radiation of the light deflector. The light deflector comprises a receiving light detection surface having a diameter (D_DA) which satisfies a formula (Sqrt(2) x P_RBS + 2 x D_RBS
Abstract translation: 本发明涉及一种激光雷达系统和一种获取目标图像的方法。 本发明包括光源，光偏转器和光检测器。 光源辐射激光束。 光偏转器位于光源和目标之间。 光偏转器使激光束能够随着时间的过去而被辐射到目标的其他位置。 光检测器根据光偏转器的辐射来检测从目标物体反射的激光束。 光偏转器包括具有满足公式（Sqrt（2）×P_RBS + 2×D_RBS <= D_DA <= 2×D_lens）的直径（D_DA）的接收光检测表面和公式（（（4 /π）× x F_number
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公开(公告)号：KR1020120071907A
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020100133636
申请日：2010-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N13/00
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4813 , G01S7/4816 , G01S7/4863 , G01S7/4868 , G01S7/487 , G01S7/4912 , H04N13/106 , H04N13/211 , H04N13/254 , H04N13/296
Abstract: PURPOSE: A dynamic range 3D image system is provided to obtain a dynamic range higher than the range when a 3D image is obtained. CONSTITUTION: An HDR(High Dynamic Range) generating module(440) generates a signal which shows the saturation degree of the pixel signal based on pixel signals detected by a pixel detecting module. The HDR generating module couples the pixel signals. The HDR generating module obtains a dynamic range image. A gain control signal generating module(430) outputs an output signal based on the size of a signal which shows the saturation degree of the pixel signal. The output signal is for supplying a voltage necessary for a gain control terminal of an optical detector.
Abstract translation: 目的：提供动态范围3D图像系统，以获得高于获得3D图像的范围的动态范围。 构成：HDR（高动态范围）生成模块（440）根据像素检测模块检测出的像素信号生成表示像素信号的饱和度的信号。 HDR生成模块耦合像素信号。 HDR生成模块获得动态范围图像。 增益控制信号生成模块（430）基于显示像素信号的饱和度的信号的大小来输出输出信号。 输出信号用于提供光学检测器的增益控制端所需的电压。
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公开(公告)号：KR100891123B1
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020070075244
申请日：2007-07-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745
Abstract: 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서에 있어 트랜스퍼 트랜지스터의 구조와 구동방식을 변경하여, 트랜스퍼 트랜지스터의 딥 디플리션 동작과 다중 리셋 방법을 통하여, 이미지 래그(image lag)를 감소시키고 포토다이오드의 웰 캐패시티(well capacity)를 증가시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 이미지 센서는, 수광 소자; 다중 게이트 구조의 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하며, 상기 수광소자에서 발생한 광전하를 전압으로 변환하여 출력하는 신호변환부; 및 한 번의 감광 주기 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 인가되는 리셋 신호 및/또는 트랜스퍼 신호를 2회 이상 발하는 센싱 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 전송게이트(transfer transistor)-
公开(公告)号：KR100872777B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020080059649
申请日：2008-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 구조와는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 포토 다이오드의 리셋 및 트랜스퍼 동작 시, 구동 전압이나 구동 방법과 상관없이, 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 전압에 영향을 받지 않는 채널과 분리된 공핍영역이 존재하도록 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 공핍영역이 존재하도록, 즉 다시 말해 유사 핀치오프 상태로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에서 포토다이오드에 근접한 게이트 절연막의 두께보다 확산 노드쪽 절연막이 더 두꺼운, 즉 트랜스퍼 트랜지스터의 절연막이 단이 지거나 점진적인 두께 변화를 가지는 구조이거나, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 기판의 도핑 물질과 전기적으로 동일한 물질을 이용하여 포켓/할로 임플란트를 한 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프(pinch off), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise)-
公开(公告)号：KR1020080072798A
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：KR1020080059660
申请日：2008-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/10 , H01L27/14603 , H01L27/14643
Abstract: A light sensing pixel of a low voltage image sensor is provided to facilitate a manufacturing process and a driving process of the image sensor by uniformly performing reset and transfer processes on a photodiode irrespective of an operation voltage and a voltage application scheme of the photodiode. A transfer transistor includes a gate electrode(205), a gate insulation film(206), a spacer(207), and a substrate(201). A photodiode region includes a photodiode doping region(202) and a surface doping region(204). A depletion generating doping unit(208) separates a channel of the transfer transistor and a diffusion node(203) from a depletion region. After the gate insulation film is formed and the gate electrode is defined, a p-type dopant is implanted to form the depletion generating doping unit during a source/drain expanding ion implantation process. After the spacer is formed, the diffusion node is formed by using an n-type dopant.
Abstract translation: 提供低电压图像传感器的感光像素，以便与光电二极管的工作电压和电压施加方案无关地均匀地对光电二极管进行复位和转移处理，以便于图像传感器的制造过程和驱动过程。 转移晶体管包括栅电极（205），栅极绝缘膜（206），间隔物（207）和基板（201）。 光电二极管区域包括光电二极管掺杂区域（202）和表面掺杂区域（204）。 耗尽生成掺杂单元（208）将传输晶体管的沟道和扩散节点（203）与耗尽区分离。 在形成栅极绝缘膜并且限定栅电极之后，在源/漏扩展离子注入工艺期间，注入p型掺杂剂以形成耗尽产生掺杂单元。 在形成间隔物之后，通过使用n型掺杂剂形成扩散节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080065574A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020080059649
申请日：2008-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14616
Abstract: A light sensing pixel of an image sensor for low voltage is provided to effectively prevent a potential barrier between a photodiode and a channel of a transfer transistor from being varied by a driving voltage and a diffusion node voltage by separating a channel and a diffusion node in a transfer transistor of an image sensor by a depletion region. A photodiode(202) generates light inducing charges generated by light. A transfer transistor transfers the light inducing charges to a diffusion node(203). A depletion inducing structure separates a channel region and a diffusion node region of the transfer transistor by a depletion region when a turn-on voltage is applied to a gate of the transfer transistor. The depletion inducing structure is positioned between the diffusion node region and the channel region of the transfer transistor. The depletion inducing structure is a depletion region caused by a gate insulation layer of the transfer transistor by using an nonuniform thickness of a gate insulation layer with respect to EOT(equivalent oxide thickness). The thickness of the transfer transistor can gradually increase as it goes from a portion adjacent to the photodiode to the diffusion node region.
Abstract translation: 提供用于低电压的图像传感器的光感测像素，以有效地防止光电二极管和传输晶体管的沟道之间的势垒通过驱动电压和扩散节点电压而变化，通过分离通道和扩散节点 通过耗尽区域的图像传感器的传输晶体管。 光电二极管（202）产生由光产生的光诱导电荷。 传输晶体管将光诱导电荷转移到扩散节点（203）。 当导通电压施加到传输晶体管的栅极时，耗尽诱导结构将传输晶体管的沟道区域和扩散节点区域分离耗尽区域。 耗尽诱导结构位于传输晶体管的扩散节点区域和沟道区域之间。 耗尽诱导结构是通过使用栅极绝缘层相对于EOT（等效氧化物厚度）的不均匀厚度而由转移晶体管的栅极绝缘层引起的耗尽区。 传输晶体管的厚度随着从与光电二极管相邻的部分到达扩散节点区域而逐渐增加。
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公开(公告)号：KR1020080044149A
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：KR1020070075244
申请日：2007-07-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745
Abstract: An image sensor with low operating voltage and a sensing method are provided to improve a dynamic range by efficiently suppressing a potential barrier regardless of an amount of charge stored in a light receiving device. An image sensor with low operating voltage includes a light receiving device, a signal converter, and a sensing controller. The light receiving device generates a photo charge. The signal converter includes a transfer transistor having a plurality of transfer gates. The signal converter converts the photo charge generated by the light receiving device into a voltage, and outputs the voltage. The sensing controller generates a reset signal and/or a transfer signal applied to the plurality of transfer gates of the transfer transistor at least twice during one photosensitive period. The sensing controller generates a reset signal for the transfer transistor at least twice during one reset period.
Abstract translation: 提供具有低工作电压和感测方法的图像传感器，以便与存储在光接收装置中的电荷量无关地有效地抑制势垒来改善动态范围。 具有低工作电压的图像传感器包括光接收装置，信号转换器和感测控制器。 光接收装置产生照相电荷。 信号转换器包括具有多个传输门的传输晶体管。 信号转换器将由光接收装置产生的光电荷转换成电压，并输出电压。 感测控制器在一个感光周期期间产生至少两次施加到传输晶体管的多个传输门的复位信号和/或传送信号。 感测控制器在一个复位周期内至少产生两次转换晶体管的复位信号。
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公开(公告)号：KR1020070106599A
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020070104645
申请日：2007-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146 , H01L31/107
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
Abstract: A low-noise image sensor is provided to use the maximum characteristic of an image sensor by controlling the generation of dark current of a photodiode while controlling the influence of dark current at a transient section of a transfer transistor of a CMOS(complementary metal oxide semiconductor) image sensor. A transfer transistor forms a charge transfer channel between a diffusion node and a photodiode. A dark current removing electrode overlaps a partial region of the photodiode and its peripheral region where dark current is generated, insulated from the partial region of the photodiode and the its peripheral region where dark current is generated. The dark current removing electrode is electrically connected to a gate electrode(630) of the transfer transistor, capable of being made of a transparent conductive material. The dark current removing electrode can be formed at the edge of the photodiode or in the periphery of an STI(shallow trench isolation).
Abstract translation: 提供低噪声图像传感器以通过控制光电二极管的暗电流的产生来控制图像传感器的最大特性，同时控制CMOS（互补金属氧化物半导体）的传输晶体管的瞬态部分处的暗电流的影响 ）图像传感器。 传输晶体管在扩散节点和光电二极管之间形成电荷转移通道。 暗电流去除电极与产生暗电流的光电二极管及其周边区域的部分区域重叠，与光电二极管的局部区域和产生暗电流的周边区域绝缘。 暗电流去除电极电连接到能够由透明导电材料制成的转移晶体管的栅电极（630）。 暗电流去除电极可以形成在光电二极管的边缘或STI（浅沟槽隔离）的外围。
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公开(公告)号：KR1020070061328A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060098889
申请日：2006-10-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
Abstract: An image sensor and a method for driving a transfer transistor of the same are provided to prevent effectively a noise such as dark current under low operation voltage environment. An image sensor includes a photodiode(PD) and a transfer transistor(Tx) for transferring generated from the photodiode for transferring light-induced charges to a floating diffusion node. A floating diffusion node and a channel of the transfer transistor are separated into a depletion region in a turning-on state of the transfer transistor so that the transfer transistor is operated in a pseudo pinch-off mode.
Abstract translation: 提供图像传感器和驱动其传输晶体管的方法，以在低操作电压环境下有效地防止诸如暗电流的噪声。 图像传感器包括光电二极管（PD）和用于从用于将光诱导电荷转移到浮动扩散节点的光电二极管产生的转移的转移晶体管（Tx）。 在传输晶体管的导通状态下，浮动扩散节点和传输晶体管的沟道被分离成耗尽区，使得传输晶体管以伪夹断模式操作。
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公开(公告)号：KR1020060065468A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050070624
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02M1/14
CPC classification number: G05F3/205 , G05F3/262 , G11C5/146 , G11C11/4074
Abstract: 본 발명의 목적은 두 개의 피드백 루프를 적용한 회로를 구현하여, 낮은 전압에서도 동작이 가능한 구조를 가지며, 전원 노이즈를 억제하기 위하여 높은 PSRR(Power Supply Rejection Ratio) 특성을 가지도록 하였으며, 더불어 기존의 일반적인 기준 전압 발생기에서 나타나는 전압-전류 변환기가 필요하지 않은 구조를 갖는 낮은 기준 전류발생기를 제공하는 것이다.
본 발명은 소정의 전류를 전달받아 제 1 전압을 발생하되 상기 제 1 전압은 온도에 대응하여 전압레벨이 감소하는 제 1 전압발생부, 제 2 전압을 발생하되 상기 제 2 전압은 온도에 대응하여 전압레벨이 높아지는 제 2 전압발생부, 상기 제 1 전압에 대응한 제 1 전류를 발생하는 제 1 전류 발생부, 상기 제 2 전압에 대응한 제 2 전류를 발생하는 제 2 전류 발생부 및 상기 제 1 및 제 2 전류를 전달받아 상기 제 1 및 제 2 전류가 합산된 기준전류를 생성하는 기준전류 발생부를 포함하는 기준전류 발생기를 제공하는 것이다.
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