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公开(公告)号：KR100170193B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950051473
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 유리막 형성방법에서 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위하여 화염의 저온화와 안정한 화염 발생을 위한 저온 화염가수분해증착장치의 가스조절 시스템에 관한 것으로 기존의 FHD방법에서 고온화염으로 인한 문제는 첫째로는 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째로는 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 버너에 구성되어 있는 석영관 내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자증착층에 치명적인 오염을 유발시킬 수 있다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 본 발명에서는 종래의 FHD방법에서 발생되는 복굴절, 기판의 휨(Bowing)현상과 이러한 결함에 의한 손실문제를 근본적인 개선하여 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적 향상을 이룰 수 있도록 하며, 또한 FHD법에서 사용되는 액체원료와 화염형성 연료가스를 저온화에 중점을 두고 고온 화염에서 발생되는 열불균형과 석영관내 증착등의 상기한 문제점을 극복하고 극저손실 실리카 도파로를 제조하도록 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템에 관한 것임.-
公开(公告)号：KR1019970011521B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019930027515
申请日：1993-12-13
IPC: G02B6/10
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing an optic propagation horn comprising a first through fourth steps. The first step is to manufacture a paste(4) which is used for manufacturing glass by using silica powder. The second step is to coat the paste on a substrate(1) by a screen printing method and to thermally process and to form a buffer layer(5). The third process is to coat the paste(4) on the buffer layer(4) and to form a core layer(8) by thermal processing with lower temperature than the thermal processing temperature of the buffer layer(5). The fourth step is to coat the paste(4) on the core layer(8) and form a clad layer(9) by thermally processing with lower temperature than the that of the core layer(8). Thus, the manufacturing cost and the loss of the propagation horn are reduced.
Abstract translation: 公开了一种用于制造光学传播喇叭的方法，包括第一至第四步骤。 第一步是制造用于通过使用二氧化硅粉末制造玻璃的糊剂（4）。 第二步是通过丝网印刷方法将基材（1）上的糊料涂布并热处理并形成缓冲层（5）。 第三种方法是通过在比缓冲层（5）的热处理温度低的温度下进行热处理来涂覆缓冲层（4）上的浆料（4）并形成芯层（8）。 第四步是通过在比芯层（8）的温度低的温度下进行热处理，将核心层（8）上的浆料（4）涂覆并形成包覆层（9）。 因此，减少制造成本和传播喇叭的损失。
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公开(公告)号：KR1019960024504A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940035167
申请日：1994-12-19
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 광교환장치의 공간분할 스위칭소자를 실리콘 기판위에 실리카 도파로를 형성하여 집적도를 높히고, 종래의 소자의 문제점인 누화현상과 스위칭 속도, 스위칭전원등을 개선한 제조기술이다.
8×8 광스위치는 64개의 단위 광스위치와 손실로 인한 광신호의 레벨을 보정해 주기 위한 48개의 모조 광스위치로 구성된다.
입력단의 광신호 1~8은 출력단의 1'~8'로의 스위칭이 15개의 단계에서 이루어지도록 구성하였다.
단위 광스위치는 Mach-Zehnder소자를 기본구조로 입출력단에 아웃하는 도파로의 광신호를 결합할 수 있는 3dB 커플러 2개로 구성된다. 스위칭 동작은 CrossState, Bar State로 스위칭되며, 포트와 포트간의 간격은 250㎛, 단위 광스위치간의 간격은 150㎛을 유지하고, 각각의 박막히터의 전원은 TTL소자에 인터페이스하여 히터 선택 스위치로 동작한다.
박막히터의 전원회로는 기판 최외각으로 유도하고 기계적인 가공으로 45도의 기울기를 갖는 경사면을 구성하여 전극이 노출되는 부분에 배선한다.
틸티드 이온식각을 8도 각도를 도파로를 식각하고 V홈으로 광섬유를 가이드하여 UV Curable Epoxy를 사용하여 도파로와 광섬유를 결합한다.-
公开(公告)号：KR1019960006253B1
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：KR1019930028086
申请日：1993-12-16
IPC: C04B41/81
Abstract: The apparatus for forming a silica thin film includes a gas material mixing bag(31), a metal net(32) for distributing the gas material, an the line(90) for supplying oxygen for generating flame, a torch(30) serving as a nozzle for oxygen, the line(100) for focusing flame, a plate moving device(62) for moving a silicon substrate(200), and a plate heating device(61).
Abstract translation: 用于形成二氧化硅薄膜的装置包括气体混合袋（31），用于分配气体材料的金属网（32），用于产生火焰的氧供应用管线（90），用作 用于氧气的喷嘴，用于聚焦火焰的管线（100），用于移动硅衬底（200）的板移动装置（62）和板加热装置（61）。
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公开(公告)号：KR1019950011016B1
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：KR1019920024317
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: The method comprises a step of chemically depositing the vapor of trimethylgallium and arsine onto a substrate, a step of thermally reacting the trimethylgallium and arsine with the paticles of the surface of the substrate, a step of removing hydride vapor from the substrate, and a step of combining the gallium particles with the arsinide particles on the surface of the substrate.
Abstract translation: 该方法包括将三甲基镓和胂的蒸气化学沉积到基材上的步骤，将三甲基镓和胂与基材表面的颗粒热反应的步骤，从基材中除去氢化物蒸汽的步骤和步骤 将镓颗粒与基质的表面上的酰亚胺颗粒结合。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940010155B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910006554
申请日：1991-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: The system controls the flow of the hidride gases (AsH 3, PH 3) and the organic metal gases (trimethyl galuim, trimethyl aluminum) used for manufacturing epitaxy thin film by CBE/ALE method. The gas supply system comprises a gas storage chamber (1) supplying the hidride gas at a regular pressure by use of pressure controllers (8,32,34); a gas control chamber (2) controlling the gas flow mass at automatic pressure controllers(12,24) by feeding back signals of pressure devices (14,26); a subsystem (3) for closing the gas from the gas control chamber (2): a subsystem (4) controlling the pressure and passageway of the gas.
Abstract translation: 该系统通过CBE / ALE方法控制用于制造外延薄膜的载气（AsH 3，PH 3）和有机金属气体（三甲基galuim，三甲基铝）的流动。 气体供给系统包括通过使用压力控制器（8,32,34）在常规压力下供应氮气的气体储存室（1）。 气体控制室（2），通过反馈压力装置（14,26）的信号来控制自动压力控制器（12,24）处的气体流量; 用于从气体控制室（2）关闭气体的子系统（3）：控制气体的压力和通道的子系统（4）。
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公开(公告)号：KR1019940010154B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910006553
申请日：1991-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: The system exhausts reactive toxic gas, manages a high vacuum state to prevent a thin film from being polluted, and performs a real time analysis of the thin film in the process of the CBE/ALE growth. The vacuum system comprises a long manipulator (11) equipped on one side of a load lock/analysis chamber (B) in order to transfer a base plate; gate valves (5,13,7,12) for preventing pollution between the growth chamber and the load lock/analysis chamber (B); a turbo molecular pump (5) connected to the chamber (A); an suction pump (13)/an ion pump (14) connected to the chamber (B); a titanium pump (8).
Abstract translation: 该系统排除反应性有毒气体，管理高真空状态，防止薄膜受到污染，并对CBE / ALE生长过程中的薄膜进行实时分析。 该真空系统包括一个装在锁定/分析室（B）的一侧上的长操纵器（11），以便传送一个底板; 用于防止生长室和负载锁定/分析室（B）之间的污染的闸阀（5,13,7,12）; 连接到所述室（A）的涡轮分子泵（5）; 连接到所述室（B）的抽吸泵（13）/离子泵（14）; 钛泵（8）。
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公开(公告)号：KR1019940014929A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: 본 발명은 ALE와 UHVCVD을 이용하여 다공성 실리콘기판 위에 갈륨비소의 이종에피택시층을 성장시키는 방법에 관한 것으로 불순물이 함유된 실리콘기판 상에 전기화학적 방법에 의해 다공질층을 형성하는 공정과, ALE와 UHVCVD성장장치에 의해 트리메틸갈륨과 AsH
3 가스를 원료기체로 사용하여 상기 실리콘기판의 다공질층으로 교대분사하여 에피택시층인 갈륨비소박막을 형성한 것이다. -
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