公开(公告)号：KR100119223B1

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：KR1019930027342

申请日：1993-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01L31/10 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR1019970004495B1

公开(公告)日：1997-03-28

申请号：KR1019930018267

申请日：1993-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: A semiconductor light-switch manufacturing method using band rate change to light waveguide by current infusion. In case of previouse light-switch having to Zn spreading inside of waveguide line, by making P electrode inside of Zn spreading area, in production limitation was given in decreasing waveguide width and minus contact area. The purpose of this invention is providing method of manufacturing semiconductor light-switch in order to design waveguide line width freely. The said method comprising the steps of : on the n type InP board using epitecthing method orderly growing n type waveguide line layer and n type InP, spreading Zn at front side, spreading P type electrode at reflecting sife depositing n typr electrode after etching each layer on the waveguide line layer.

Abstract translation: 一种半导体光开关制造方法，其通过电流注入对光波导进行带隙变化。 在Zn扩散到波导线内部的先行光开关的情况下，通过使P电极在Zn扩散区域内部，在波导宽度和负接触面积减小的情况下进行限制。 本发明的目的是提供制造半导体光开关的方法，以便自由地设计波导线宽度。 所述方法包括以下步骤：在n型InP板上，使用具有顺序生长的n型波导线层和n型InP的n型InP板，在正面扩展Zn，在蚀刻每层之后扩散P型电极以反射生长n型电极 在波导线层上。

公开(公告)号：KR100112478B1

公开(公告)日：1997-02-26

申请号：KR1019920024315

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：KR1019960019809A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940032105

申请日：1994-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  안주헌 ,  김정수

IPC: H01L31/00

公开(公告)号：KR1019930011314A

公开(公告)日：1993-06-24

申请号：KR1019910021083

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 PIN형 광검출기와 전치 증폭단용 접합형 전계효과 트랜지스터를 단일칩으로 집적시킨 수신용 광전집적 소자 및 그 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3), 흡수층(4) 이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역매사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019910013515A

公开(公告)日：1991-08-08

申请号：KR1019890020674

申请日：1989-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L21/82

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1020170089341A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：KR1020160009629

申请日：2016-01-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  김홍승

IPC: H01L31/09 ,  H01P7/00 ,  G02B1/10 ,  G01J1/04 ,  H01L31/0352

CPC classification number: G02B6/29341 ,  G01D5/35319 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/32 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12138 ,  H01S5/0028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4068

Abstract: 본발명은공진기및 이를이용한광센서에관한것으로, 위스퍼링갤러리모드(Whispering Gallery Mode; WGM)를이용한반원형공진기및 이를이용한광센서에관한것이다. 이에따른본 발명은, 진행되는광의이득에의하여레이저발진을일으키는활성층의도파로인상기활성영역이반원형또는반링형으로깊이식각되는것을특징으로하는공진기및 이를이용한광센서에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半圆形腔，以及与使用该光学传感器;（WGM回音壁模式）本发明涉及一种谐振器和使用同样的，回音壁模式的光学传感器。 由光学传感器的光增益在继续本发明是在活性层使用的谐振器，以使激光振荡的波导管的有源区和这一点，其特征在于，蚀刻深度的半圆形或半环形按照。

公开(公告)号：KR100941152B1

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020080047433

申请日：2008-05-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  김종회 ,  김동철 ,  권오기 ,  김기수 ,  윤기홍

IPC: G02B5/18 ,  G02B6/293

Abstract: 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는, 2개의 격자 주기를 갖는 이중 회절격자를 이용하여 임의의 파장에서 리트로(Littrow) 회절 조건을 만족시키는 동시에 다른 파장에서 리트만(Littman-Metcalf) 회절 조건을 만족시킴으로써, 서로 다른 두 파장에서 동시에 발진이 이루어지도록 하여 두 발진 파장의 비팅(beating)에 의해 안정적으로 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는 수 THz 까지 주파수 가변이 용이하고 소형으로 제작이 가능하다.
테라헤르츠파, 파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 회절격자, 가변 편향기

公开(公告)号：KR100842277B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020060124135

申请日：2006-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박상기 ,  백용순 ,  오광룡

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

Abstract: 낮은 전류에서도 이득이 크고 임계전류가 낮아서 전력의 소모가 적은 광원을 갖고 1.25Gbp/s 이상의 초고속 변조특성이 우수한 반사형 반도체 광증폭기(R-SOA) 및 수퍼 루미네센스 다이오드(SLD)를 제공한다, 그 광증폭기와 다이오드는 기판 위에 수동 광도파로 층, 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래층이 순차적으로 적층되며, 직선 도파로영역, 굽은 도파로영역, 테이퍼진 도파로 영역을 구비하는 광도파로 및 광도파로 주위에 형성되어 활성층 외부로의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층을 포함하고, 직선 도파로영역 및 굽은 도파로영역은 단일 BH 구조로 이루어지고, 테이퍼진 도파로영역은 2중 BH 구조로 이루어진다.
광증폭기, 수퍼 루미네센스 다이오드, 테이퍼진 도파로 영역, BH 구조

公开(公告)号：KR1020080052093A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020060124135

申请日：2006-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박상기 ,  백용순 ,  오광룡

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

Abstract: A reflective type semiconductor optical amplitude and a reflective type super luminescent diode are provided to allow an optical source to reduce power consumption with large gain and a lower critical current in lower current. A reflective type semiconductor optical amplitude includes a substrate(11). An optical waveguide has a lower clad layer, an active layer(14), and an upper clad layer(33) sequentially stacked on the substrate. The optical waveguide has a linear waveguide region, a bended waveguide region, and a tapered waveguide region. A current blocking layer is formed around the optical waveguide to block current flowing to an exterior of the active layer. The linear waveguide region and the bended waveguide region have a single BH(Buried Hetero) structure. The tapered waveguide region has a double BH structure. A passive waveguide(12) is arranged at a lower portion of the active layer. The active layer and the tapered optical waveguide are connected by a butt-coupling.

Abstract translation: 提供反射型半导体光学振幅和反射型超发光二极管，以允许光源在较低电流下以大的增益和较低的临界电流来降低功耗。 反射型半导体光学振幅包括基板（11）。 光波导具有下覆盖层，有源层（14）和顺序地层叠在基板上的上覆层（33）。 光波导具有线性波导区域，弯曲波导区域和锥形波导区域。 在光波导周围形成电流阻挡层，以阻挡流向有源层外部的电流。 线性波导区域和弯曲波导区域具有单个BH（埋入异质）结构。 锥形波导区域具有双BH结构。 无源波导（12）布置在有源层的下部。 有源层和锥形光波导通过对接连接。