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公开(公告)号：KR1020100128085A
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：KR1020090046528
申请日：2009-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: An optical waveguide structure is provided to stably guide an optical wave into an optical waveguide core. CONSTITUTION: An optical guide core(M1) comprises an incidence face(IS) in which an optical wave is emitted. An optical guide clad covers the optical guide core. The incident angle of the optical wave enables the progress direction of an optical wave, which is transmitted into an optical waveguide, to be parallel to the progress direction of the optical waveguide.
Abstract translation: 目的：提供光波导结构，以稳定地将光波引导到光波导芯中。 构成：导光芯（M1）包括其中发射光波的入射面（IS）。 导光罩覆盖光导芯。 光波的入射角使得透射到光波导中的光波的行进方向平行于光波导的行进方向。
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公开(公告)号：KR100958338B1
公开(公告)日：2010-05-17
申请号：KR1020070133553
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/141 , H01L33/0045 , H01S5/026 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/227 , H01S5/50
Abstract: 본 발명은 슈퍼루미네슨트 다이오드에 관한 것으로, 임계 전류가 낮아서 파워 소모가 적고, 저 전류 동작에서도 높은 출력을 가지는 외부 공진형 레이저의 광원에 적합한 슈퍼루미네슨트 다이오드에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 슈퍼루미네슨트 다이오드가 집적된 반사형 광 증폭기는, SLD(Super Luminescent Diode) 영역과, 상기 SLD 영역으로부터 생성된 광을 증폭하기 위한 SOA(Semiconductor Optical Amplifier) 영역을 가지는 기판; 상기 기판 상에서 상기 SLD 영역 및 상기 SOA 영역에 걸쳐 연장되며 상기 SOA 영역에서 테이퍼 형태를 갖는 활성층을 포함하는 매립형 이종접합구조(Buried Heterostructure) 구조의 광 도파로; 상기 활성층 주위에 형성되어 상기 활성층 이외로의 전류 흐름을 차단하며, 서로 다른 도전형의 반도체 층이 적층된 전류 차단층; 및 상기 광 도파로 및 상기 전류 차단층 상에 형성된 클래드 층을 포함한다. 상술한 바와 같은 본 발명은, PLC-ECL에 사용되는 SLD에 SOA를 단일 집적하여 임계 전류가 낮고 출력이 종래 SLD보다 2배 정도 높은 광원을 제공할 수 있는 이점이 있다.
SLD, SOA, Ridge, 다중 양자 우물 구조, 벌크 구조-
公开(公告)号：KR1020100034232A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020080093260
申请日：2008-09-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/141 , G02B6/124 , H01S3/1055 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0612 , H01S5/3211 , H01S5/50
Abstract: PURPOSE: A wavelength conversion outer resonance laser reduces the combined loss by arranging wave guides to the active alignment method. CONSTITUTION: A wavelength conversion outer resonance laser comprises the super luminous diode(13) and the optical fiber(14) emitting the TO-can(TO can)(16) having the Bragg grid, and the optical signal. The optical signal emitted from the super luminous diode is reflected to the Bragg grid to the specific wave. The optical signal reflected to as described above is outputted via the super luminous diode in the optical fiber. TO-can is combined with the first side of the super luminous diode. The optical fiber is combined in the second side of the super luminous diode. In the optical signal reflected to as described above is the second side, it is again reflected to. The signal reflected to as described above is outputted with the resonance from the second side to the optical fiber.
Abstract translation: 目的：波长转换外共振激光器通过将波导布置为主动对准方法来减少组合损耗。 构成：波长转换外共振激光器包括超发光二极管（13）和发射具有布拉格栅格的TO-can（TO can）（16）和光信号的光纤（14）。 从超级发光二极管发射的光信号被反射到布拉格栅格到特定波。 如上所述反射的光信号经由光纤中的超发光二极管输出。 TO-can与超级发光二极管的第一侧相结合。 光纤组合在超级发光二极管的第二侧。 在如上所述反射的光信号中是第二面，它再次被反射到。 如上所述反射的信号以从第二侧到光纤的谐振输出。
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公开(公告)号：KR100842277B1
公开(公告)日：2008-06-30
申请号：KR1020060124135
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B2006/121 , H01L33/0045 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/227 , H01S5/50
Abstract: 낮은 전류에서도 이득이 크고 임계전류가 낮아서 전력의 소모가 적은 광원을 갖고 1.25Gbp/s 이상의 초고속 변조특성이 우수한 반사형 반도체 광증폭기(R-SOA) 및 수퍼 루미네센스 다이오드(SLD)를 제공한다, 그 광증폭기와 다이오드는 기판 위에 수동 광도파로 층, 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래층이 순차적으로 적층되며, 직선 도파로영역, 굽은 도파로영역, 테이퍼진 도파로 영역을 구비하는 광도파로 및 광도파로 주위에 형성되어 활성층 외부로의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층을 포함하고, 직선 도파로영역 및 굽은 도파로영역은 단일 BH 구조로 이루어지고, 테이퍼진 도파로영역은 2중 BH 구조로 이루어진다.
광증폭기, 수퍼 루미네센스 다이오드, 테이퍼진 도파로 영역, BH 구조-
公开(公告)号：KR1020080052093A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060124135
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B2006/121 , H01L33/0045 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/227 , H01S5/50
Abstract: A reflective type semiconductor optical amplitude and a reflective type super luminescent diode are provided to allow an optical source to reduce power consumption with large gain and a lower critical current in lower current. A reflective type semiconductor optical amplitude includes a substrate(11). An optical waveguide has a lower clad layer, an active layer(14), and an upper clad layer(33) sequentially stacked on the substrate. The optical waveguide has a linear waveguide region, a bended waveguide region, and a tapered waveguide region. A current blocking layer is formed around the optical waveguide to block current flowing to an exterior of the active layer. The linear waveguide region and the bended waveguide region have a single BH(Buried Hetero) structure. The tapered waveguide region has a double BH structure. A passive waveguide(12) is arranged at a lower portion of the active layer. The active layer and the tapered optical waveguide are connected by a butt-coupling.
Abstract translation: 提供反射型半导体光学振幅和反射型超发光二极管，以允许光源在较低电流下以大的增益和较低的临界电流来降低功耗。 反射型半导体光学振幅包括基板（11）。 光波导具有下覆盖层，有源层（14）和顺序地层叠在基板上的上覆层（33）。 光波导具有线性波导区域，弯曲波导区域和锥形波导区域。 在光波导周围形成电流阻挡层，以阻挡流向有源层外部的电流。 线性波导区域和弯曲波导区域具有单个BH（埋入异质）结构。 锥形波导区域具有双BH结构。 无源波导（12）布置在有源层的下部。 有源层和锥形光波导通过对接连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060064466A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050042422
申请日：2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/0675 , G02B6/29361 , H01S5/18366 , H01S5/18397
Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론-
公开(公告)号：KR100541913B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030028186
申请日：2003-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227
Abstract: 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode-
公开(公告)号：KR1020050065897A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097057
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0425
Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100489809B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030020673
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 페브리 페롯(Fabri-Perot)필터와 전극 어레이를 포함하여 구성된 파장가변형 반도체레이저에 관한 것으로, 전극들에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 캐비티 내부에 광신호의 진행방향을 연속적으로 변화시킬 수 있으며, 인트라 캐비티 레이저 빔의 연속적인 각 변화에 의하여 넓은 파장대역에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하도록 한다.
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公开(公告)号：KR100438891B1
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020010081776
申请日：2001-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to optionally compensate the loss of optical absorption to be generated when the divided light beams are phase modulated by adjusting the ratio of the optical division during the optical division. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator includes an input optical division region(105), an optical converging output region(101) and an optical phase modulation region(103) formed between the input optical division region(105) and the optical converging output region(101). The semiconductor optical modulator includes a substrate, a bottom electrode formed on the bottom surface of the semiconductor, an active layer, a cladding layer and a top layer. An optical wave guide(250) is formed in the form of ridge on the top of the cladding layer so as to guide the optical light beam.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光学调制器，用于可选地补偿当通过调整光学分割期间的光学分割的比率对分割的光束进行相位调制时产生的光学吸收的损失。 一种半导体光调制器，其特征在于，在输入光分割区域（105）与光会聚输出区域（105）之间形成输入光分割区域（105），光会聚输出区域（101）和光相位调制区域（103） 101）。 该半导体光调制器包括衬底，形成在半导体底面上的底部电极，有源层，包层和顶层。 光波导（250）在包层顶部形成为脊的形式，以引导光学光束。
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