公开(公告)号：KR1020040094190A

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：KR1020030028186

申请日：2003-05-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  김기수 ,  이철욱 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/028 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/227

Abstract: PURPOSE: An SG-DFB(Sampled Grating Distributed Feed-Back) tunable semiconductor laser WITH an SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) is provided to tune a wavelength by integrating an SG-DFB structure and an SG-DBR structure and forming a phase control region of the SG-DFB structure. CONSTITUTION: A sampled grating(39) is formed on an n-type InP substrate(31) used as a lower clad layer. A phase control region of an InGaAsP waveguide and a gain region of an active layer are formed on the sampled grating. A p-type InP clad layer(32) used as an upper clad layer is formed thereon. A plurality of electrodes are formed on the p-type InP clad layer. A phase control region electrode(36) is formed on the phase control region. A gain region electrode(37) is formed on the gain region. A non-reflective thin film(33) is formed on a section of a semiconductor laser diode.

Abstract translation: 目的：提供具有SG-DBR（采样光栅分布式布拉格反射器）的SG-DFB（采样光栅分布式反馈）可调谐半导体激光器，通过集成SG-DFB结构和SG-DBR结构并形成 SG-DFB结构的相位控制区域。 构成：在用作下包层的n型InP衬底（31）上形成采样光栅（39）。 在采样光栅上形成InGaAsP波导的相位控制区域和有源层的增益区域。 在其上形成用作上覆盖层的p型InP覆盖层（32）。 在p型InP覆盖层上形成多个电极。 相位控制区电极（36）形成在相位控制区域上。 增益区电极（37）形成在增益区上。 在半导体激光二极管的一部分上形成非反射薄膜（33）。

公开(公告)号：KR100541913B1

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020030028186

申请日：2003-05-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  김기수 ,  이철욱 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/028 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/227

Abstract: 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode

公开(公告)号：KR1019980037022A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960055704

申请日：1996-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박찬용 ,  김홍만 ,  정영철 ,  문성욱

IPC: G02B6/24

Abstract: 본 발명은 광도파로 격자 라우터(WGR : Waveguide Grating Router)는 차세대의 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 전광네트웍(All-Optical Network)을 실현하는데 있어서 핵심부품인 다중모드 간섭형 NxN 광도파로 격자 라우터에 관한 것으로서, 종래의 WGR은 방사형 성형결합기(Radiative Star Coupler)와 광도파로열을 집적하여 구현하고 있으며, 성형결합기의 방사에 의하여 약 3-4dB의 잉여 삽입 손실(chip 내부)이 필연적으로 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 방사형 성형결합기를 다중모드 간섭형(MMI : Multimode Interference) 성형결합기로 대체함으로서 MMI 성형결합기의 저손실성을 WGR의 설계에 반영하여 고성능의 새로운 구조의 NxN WGR을 제안하였다. 파장 채널 간격이 주어지고 입력도파로 i로 빛이 입사할 때 출력도파로에 적절한 채널파장이 할당되도록 광도파로열에 사용될 도파로의 경로차를 찾아낸다. 그러면 입력도파로 i 이외의 입력단으로 입사되는 광파는 출력단에서 N개의 같은 채널파장들이 다른 출력단으로 할당됨을 전산모사를 통하여 확인한 것이다. 즉, NxN MMI WGR에서 찾아낸 광도파로열의 도파로 경로차를 적용한 8x8 WGR은 BPM(Beam Propagation Method)를 이용한 전산 모사 결과 현재 파장 분할 방식의 표준화 움직임이 있는 1.6nm (200GHz) 파장 채널 간격에서 0.4dB 이하의 잉여손실과 -25dB 이하의 누화를 갖을 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020040098421A

公开(公告)日：2004-11-20

申请号：KR1020030030777

申请日：2003-05-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  이철욱 ,  김기수 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1228

Abstract: PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.

Abstract translation: 目的：提供根据相位控制区域的折射率变化而振荡的可广泛调整的SG-DFB（采样光栅分布反馈）激光二极管，以通过将增益区域的光波直接连接到光纤而不加 失利。 构成：广泛可调的SG-DFB激光二极管包括第一增益区和第二增益区。 广泛可调的SG-DFB激光二极管还包括第一SG-DFB结构和第二SG-DFB结构。 第一SG-DFB包括形成在第一增益区上的第一周期的第一采样光栅（34a）和形成在第一采样光栅之间的第一相位控制区（35a）。 第二SG-DFB包括形成在第二增益区上的第二周期的第二采样光栅（34b）和形成在第二采样光栅之间的第二相位控制区（35b）。

公开(公告)号：KR100198464B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960055704

申请日：1996-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박찬용 ,  김홍만 ,  정영철 ,  문성욱

IPC: G02B6/24

Abstract: 본 발명은 광도파로 격자 라우터(WGR:Waveguide Grating Router)는 차세대의 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 전광네트웍(All-Optical Network)을 실현하는데 있어서 핵심부품인 다중모드 간섭형 NxN 광도파로 격자 라우터에 관한 것으로서, 종래의 WGR은 방사형 성형결합기(Radiative Star Coupler)와 광도파로열을 집적하여 구현하고 있으며, 성형결합기의 방사에 의하여 약 3-4dB의 잉여 삽입 손실(chip 내부)이 필연적으로 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 방사형 성형결합기를 다중모드 간섭형(MMI:Multimode Interference) 성형결합기로 대체함으로서 MMI 성형결합기의 저손실성을 WGR의 설계에 반영하여 고성능의 새로운 구조의 NxN WGR을 제안하였다. 파장 채널 간격이 주어지고 입력도파로 i로 빛이 입사할 때 출력도파로에 적절한 채널 파장이 할당되도록 광도파로열에 사용될 도파로의 경로차를 찾아낸다. 그러면 입력도파로 i 이외의 입력단으로 입사되는 광파는 출력단에서 N개의 같은 채널파장들이 다른 출력단으로 할당됨을 전산모사를 통하여 확인한 것이다. 즉, NxN MMI WGR에서 찾아낸 광도파로열의 도파로 경로차를 적용한 8x8 WGR은 BPM(Beam Propagation Method)를 이용한 전산 모사 결과 현재 파장 분할 방식의 표준화 움직임이 있는 1.6㎚(200GHz) 파장 채널 간격에서 0.4 dB이하의 잉여손실과 -25dB이하의 누화를 갖을 수 있는 것이다.