公开(公告)号：KR100564746B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020030057274

申请日：2003-08-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박건식 ,  유성욱 ,  윤용선 ,  김상기 ,  김보우 ,  구진근

IPC: H01L21/335

Abstract: 화합물 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법을 제공한다. 본 발명은 화합물 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 후, 상기 절연막 상에, 전자빔에 대해서는 양성 특성을 갖고 광에 대해서는 음성 특성을 갖는 레지스트막을 형성한다. 상기 레지스트막을, 광 보다는 정밀한 해상도를 얻을 수 있는 전자빔을 이용하여 1차로 노광 및 현상하여 레지스트막 패턴을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴이 형성된 화합물 반도체 기판을 상기 레지스트막 패턴 내에 존재하는 노광원의 반응 물질이 열에 의해 치명적으로 파괴되지 않도록 열처리한다. 다음에, 상기 레지스트막 패턴을 마스크로 상기 절연막을 식각하여 상기 화합물 반도체 기판을 노출하는 제1 개구부를 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을 광을 이용하여 2차로 노광 및 현상하여 상기 제1 개구부보다 큰 제2 개구부를 형성한다. 상기 제1 개구부를 매립하면서, 상기 제2 개구부 내부의 상기 절연막 및 상기 레지스트막 패턴 상에 금속층을 형성한다. 상기 레지스트막 패턴을 리프트 오프 방법으로 제거함으로써 상기 제1 개구부에 다리 형상과 상기 절연막 상에 몸통 형상을 갖는 티형 게이트를 형성한다.
화합물 반도체 소자, 티형 게이트

公开(公告)号：KR1020050066062A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097264

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤용선 ,  박건식 ,  유성욱 ,  임병원 ,  김상기 ,  김보우 ,  구진근

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 자기정렬된 에미터/베이스 구조를 가지는 실리콘-게르마늄(SiGe) 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 베이스 상부에 고농도의 이온이 도핑된 다결정 혹은 비정질 실리콘막으로 익스트린식 베이스 역할을 하는 베이스 전극을 형성한다. 다결정 혹은 비정질 실리콘막은 증착시 두께 조절이 용이하여 익스트린식 베이스의 저항값을 충분히 감소시킬 수 있다. 익스트린식 베이스의 두께는 인트린식 베이스의 두께에 영향을 미치지 않기 때문에 인트린식 베이스는 얇게 형성하고, 익스트린식 베이스는 두껍게 형성하여 소자의 전기적 특성을 극대화시킬 수 있다.