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公开(公告)号：KR100176076B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019960035936
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09F9/00
CPC classification number: H05B33/10 , C09K11/06 , H01L51/0051 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/5012
Abstract: 본 발명은 전하 수송 능력을 갖고 금속 전극과 화학 결합을 할 수 있는 전하 이동 물질(charge transfer complex, charge transfer salt)을 그대로 혹은 고분자에 분산시킨 것을 두 금속 전극, 한 금속 전극과 유기물 또는 고분자 발광층 사이에 박막층으로 형성하여 발광 효율을 높이도록 한 유기물/고분자 발광 소자의 구조 및 그 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019960001163B1
公开(公告)日：1996-01-19
申请号：KR1019920011452
申请日：1992-06-29
IPC: H01L21/027
Abstract: passivating PMM at the width corresponding to the one fourth of incident light wavelength by Langmuir-Blodgett on a silicon substrate; eliminating developed part in the PMMA to expose the silicon substrate after selectively developing the PMMA by defining binary pattern; passivating a high reflection film on the remaining PMMA and the exposed part of the silicon substrate.
Abstract translation: 通过Langmuir-Blodgett在硅衬底上对应于入射光波长四分之一的宽度钝化PMM; 消除了PMMA中开发的部分，通过定义二元图案选择性地开发PMMA后露出硅衬底; 在剩余的PMMA和硅衬底的暴露部分上钝化高反射膜。
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公开(公告)号：KR1019950021820A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026786
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: 본 발명은 광도파로 소자 제작 과정중 완충층을 도파층과 동일한 물질을 광표백하여 얻어지는 단일 전고분자계로 된 소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 완충층을 광표백하여 여러 층이 단일 전고분자계로 된 광도파로 소자의 제조공정은 특정 활성층에 대한 완충층의 물질 선택과 공정조건의 적정화 등의 복잡한 문제를 피할 수 있을 뿐만 아니라 도파특성이 좋은 소자를 제작할 수 있다.
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55.发明授权
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170071261A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150179385
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B13/00 , A61B5/00 , H01B5/14 , H01B1/08 , H01L21/027
CPC classification number: A61B5/04001 , A61B5/0478 , A61B5/686 , A61B2562/0209 , A61B2562/125
Abstract: 금속전극의형성방법은상부가하부에비해넓은폭을갖는레지스트패턴을형성하는단계; 상기레지스트패턴상에몰드용절연막을형성하는단계; 상기레지스트패턴을제거하여몰드를형성하는단계; 및상기몰드내에제1 금속및 제2 금속의합금을포함하는금속전극을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种形成金属电极的方法包括以下步骤：形成宽度大于下部宽度的抗蚀剂图案; 在抗蚀剂图案上形成用于模具的绝缘膜; 去除抗蚀剂图案以形成模具; 并且在模具中形成包括第一金属和第二金属的合金的金属电极。
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公开(公告)号：KR1020160112364A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038002
申请日：2015-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: A61B5/04001 , A61B2562/0209 , A61B2562/0285 , A61B2562/125 , C23C14/086
Abstract: 신경신호측정용신경전극제조방법이개시된다. 개시된신경신호측정용신경전극제조방법은, 기판상에 ITO 전극을형성하는단계; 상기기판및 상기 ITO 전극상에상기 ITO 전극의일부분이노출되도록절연성부동태층을형성하는단계; 및상기 ITO 전극의일부분및 상기절연성부동태층상에 ITO 나노선들을형성하는단계;를포함한다. 본발명에따르면, 기존의공정을이용하여전기적잡음의감소와함께신경친화성향상을도모할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造用于测量神经信号的神经电极的方法。 制造用于测量神经信号的神经电极的方法包括在衬底上形成铟锡氧化物（ITO）电极的步骤; 在基板上形成绝缘被动态层的步骤和ITO电极以暴露部分ITO电极的步骤; 以及在绝缘被动状态层和ITO电极的一部分上形成ITO纳米线的步骤。 根据本发明，通过现有的处理可以减少电噪声。 此外，可以改善神经友好性质。
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公开(公告)号：KR1020150046878A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126402
申请日：2013-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C25D13/02 , A61B5/0478 , C25D3/62 , C25D7/00
Abstract: 본발명은계면활성제를이용한다공성신경전극및 이의제조방법에관한것으로서, 본발명의다공성신경전극은전극표면상에제1 금속나노입자, 제2 금속나노입자또는이 둘을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用表面活性剂制造的多孔神经电极及其制造方法。 本发明的多孔神经电极包括在电极表面上的第一金属，第二金属的纳米颗粒或二者的纳米颗粒。 第一金属包括金，第二金属包括铂。 否则，第一金属包括铂，第二金属包括铱。
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公开(公告)号：KR101181697B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080131572
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C40B60/12 , B01J2219/005 , B01J2219/00655 , B01J2219/00702 , G01N33/54373
Abstract: 고감도이며 고밀도의 자기바이오센서로 사용할 수 있는 다양한 형태의 구조를 갖는 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 제시한다. 제시된 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 인가전류방향에 수직으로 교차되는 수직방향의 출력전압을 측정할 수 있으므로, 기존의 인가전류방향에 평행한 방향의 출력전압을 측정하는 자기비드 감지소자에 비하여 고감도의 자기장변화를 측정할 수 있다. 그로 인해, 신호잡음비가 높은 자기비드 자기장 감지소자가 가능하다. 또한, 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자는 수직방향의 전압을 측정하기 때문에 자기장을 외부에서 인가함이 없이 인가전류에 의해 발생하는 인가전류 유도자기장에 의하여 자기비드를 자화시킬 수 있다. 이 자화필드는 수직전압에 민감하게 영향을 주기 때문에 외부인가 자기장이 불필요한 간편한 자기바이오센서를 구현할 수 있게 된다. 그에 따라, 본 발명의 정십자형 자기비드 감지 어레이 소자를 이용하여 고밀도 및 고감도의 자기바이오센서의 제조가 가능하다.
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