公开(公告)号：KR1020120020961A

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：KR1020100084922

申请日：2010-08-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  임영안 ,  이철욱 ,  한상필 ,  이동훈 ,  전민용

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/2222

Abstract: PURPOSE: A duplex mode semiconductor laser and a terahertz wave apparatus using the same are provided to stabilize the frequency of a terahertz wave by applying a duplex mode semiconductor laser as a beating source of the terahertz wave. CONSTITUTION: A duplex mode semiconductor laser includes a distributed feedback laser structure section(A) and a distributed bragg reflector laser structure section(C). The distributed feedback laser structure section has a first diffraction grating(145). The distributed bragg reflector laser structure section has a second diffraction grating(135). The distributed feedback laser structure section includes an active waveguide(120). The distributed feedback laser structure section comprises a lower clad layer(110) on a substrate, the active waveguide, a top clad layer(140), and a first current injection electrode(150). An insulating layer(155) and a first micro heater electrode(180) are arranged on the first current injection electrode.

Abstract translation: 目的：提供双工模式半导体激光器和使用它的太赫兹波装置，以通过应用双模半导体激光器作为太赫兹波的击打源来稳定太赫兹波的频率。 构成：双工模式半导体激光器包括分布反馈激光器结构部分（A）和分布式布拉格反射器激光器结构部分（C）。 分布反馈激光器结构部分具有第一衍射光栅（145）。 分布式布拉格反射器激光器结构部分具有第二衍射光栅（135）。 分布式反馈激光器结构部分包括有源波导（120）。 分布式反馈激光器结构部分包括在衬底上的下覆盖层（110），有源波导，顶覆层（140）和第一电流注入电极（150）。 绝缘层（155）和第一微加热器电极（180）布置在第一电流注入电极上。

公开(公告)号：KR101086776B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020090036468

申请日：2009-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  신재헌 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  한상필 ,  백용순

IPC: H04B10/80 ,  H04W88/02

Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 통신 장치는 목표 주파수에 대응하는 목표 주파수 성분을 포함하는 광 신호를 출력하도록 구성되는 광원, 상이한 주파수 특성을 갖는 복수의 안테나들, 그리고 복수의 안테나들 중 목표 주파수 성분에 대응하는 주파수 특성을 갖는 선택된 안테나에 광 신호를 전달하도록 구성되는 제어 회로를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的通信设备包括：光源，被配置为输出包括与目标频率相对应的目标频率分量的光信号，具有不同频率特性的多个天线， 并且控制电路被配置为将光信号传输到具有相应频率特性的选定天线。

公开(公告)号：KR101037629B1

公开(公告)日：2011-05-30

申请号：KR1020090024622

申请日：2009-03-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  신재헌 ,  김남제 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  한상필 ,  백용순

IPC: G02F1/39 ,  G02B6/00 ,  H01S3/10 ,  G01N21/17

Abstract: 본 발명은 포토믹스 모듈을 제공한다. 포토믹스 모듈은 기판, 기판 상에 배치된 포토믹스 구조체, 및 기판 하부에 제공되는 프레즈넬 렌즈 구조체를 포함하되, 기판 상에 입사하는 광에 의하여 포토믹스 구조체에서 발생한 테라헤르츠 파를 프레즈넬 렌즈 구조체를 통하여 집광할 수 있다.
테라헤르츠 파, 프레즈넬(Fresnel) 렌즈, 회절, 열방출, 포토믹스

公开(公告)号：KR1020100064280A

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020090026258

申请日：2009-03-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  신재헌 ,  김남제 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  한상필 ,  백용순

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/1221 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1228

Abstract: PURPOSE: A multiple distributed feedback laser device is provided to consecutively steadily launch a first light source and a second light source of a mutual coherent property by consecutively arranging an active layer on a substrate of a first distributed feedback, a modulation and second distributed feedback domains. CONSTITUTION: A substrate(100) includes a first distributed feedback domain, a modulation domain and a second distributed feedback domain. An active layer(106) is formed on the substrate including the first distributed feedback domain, the modulation domain and the second distributed feedback domain. A first diffraction grating(112a) is coupled with the active layer of the first distributed feedback domain. A second diffraction grating(112b) is coupled with the active layer of the second distributed feedback domain. A first and a second micro heaters(136a,136b) supply a heating to the first and second diffraction gratings respectively. The first and the second micro heaters are independently controlled each other.

Abstract translation: 目的：提供多分布式反馈激光装置，通过在第一分布反馈，调制和第二分布反馈域的基板上连续布置有源层来连续地稳定地发射相互相干特性的第一光源和第二光源 。 构成：衬底（100）包括第一分布反馈域，调制域和第二分布式反馈域。 在包括第一分布反馈域，调制域和第二分布式反馈域的衬底上形成有源层（106）。 第一衍射光栅（112a）与第一分布反馈域的有源层耦合。 第二衍射光栅（112b）与第二分布式反馈域的有源层耦合。 第一和第二微加热器（136a，136b）分别向第一和第二衍射光栅提供加热。 第一和第二微加热器彼此独立地控制。

公开(公告)号：KR1020080042661A

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：KR1020070059228

申请日：2007-06-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동철 ,  심은덕 ,  고현성 ,  전민용 ,  김성복 ,  박경현

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/12 ,  G02F1/21

Abstract: A wavelength converter having a phase controller is provided to improve a manufacturing yield of an optical element by enhancing a destructive interference performance of the optical element. A wavelength converter includes a light splitter(103), first and second SOAs(105A,105B), phase controllers(107A,107B), and a photocoupler(111). The light splitter splits an input optical signal. The first and second SOAs magnify and shift the phase of respective optical signals from the light splitter, and output the optical signals. The phase controllers shift the phase of the optical signal from the first and second SOAs(Semiconductor Optical Amplifiers) according to an applied current and includes a pair of metal pads and a micro heater. The metal pad receives the applied current. The micro heater changes a refractive index of the wavelength converter according to the current applied through the metal pad. The photocoupler couples the phase-shifted optical signals with each other and outputs the coupled optical signal.

Abstract translation: 提供具有相位控制器的波长转换器，以通过增强光学元件的相消干涉性能来提高光学元件的制造成品率。 波长转换器包括分光器（103），第一和第二SOA（105A，105B），相位控制器（107A，107B）和光电耦合器（111）。 光分路器分离输入光信号。 第一和第二SOAs放大并移动来自光分路器的相应光信号的相位，并输出光信号。 相位控制器根据施加的电流移动来自第一和第二SOA（半导体光放大器）的光信号的相位，并且包括一对金属焊盘和微加热器。 金属垫接收所施加的电流。 微加热器根据通过金属垫施加的电流来改变波长转换器的折射率。 光电耦合器将相移的光信号彼此耦合，并输出耦合的光信号。

公开(公告)号：KR100734833B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050078384

申请日：2005-08-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대수 ,  임영안 ,  김동철 ,  박경현 ,  김성복

IPC: H01S3/067

CPC classification number: H04B10/299 ,  G02B6/12004

Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기의 일 태양은, 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD)와 전기 흡수성 변조기(ElectroAbsorption Modulator : EAM)가 반도체 기판에 단일집적된 것이다.

公开(公告)号：KR100519921B1

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020020080706

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동철 ,  임영안 ,  이대수 ,  박경현 ,  김성복 ,  백용순 ,  심은덕

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/0657

Abstract: 본 발명은 광 전송시스템에서 넓은 전류영역에 걸쳐 균일한 광펄스가 발생되게 하여 안정화 및 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 초고주파 펄스 광원소자로서, 2가지의 분포궤환형 레이저 다이오드 사이로 위상조절영역을 배치시켜 다중영역 분포궤환형 레이저 다이오드를 원 칩상 상으로 구현한 것으로서, 제1 DFB영역과 제2 DFB영역으로 전류를 인가하면서 위상조절영역의 전극으로 인가되는 전류를 조절하는 것에 의해, 발생되는 다중복합 공진 모드중에서 비슷한 임계전류를 갖는 복합 공진 모드 간에 자기 모드 잠김 현상이 발생되게 하여 안정된 수십 GHz 대의 안정된 광 펄스를 얻음에 따라 폭 넓은 전류영역에서 균일한 광펄스가 발생되도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1020050051027A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084711

申请日：2003-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임영안 ,  이대수 ,  김동철 ,  박경현

IPC: H04B10/2507 ,  H04B10/00

CPC classification number: H04B10/299 ,  H04B10/2914 ,  H04J14/02

Abstract: 재생되는 클락의 펄스 형태에 가변성을 가지는 클락 재생 방법 및 시스템을 개시한다. 본 발명에 따른 클락 재생 방법은, 광학적 주입 잠금에 의해 광신호를 재생하는 1차 재생 단계; 재생된 광신호를 전기신호로 바꾸는 단계; 및 전기적 주입 잠금에 의해 펄스폭이 작은 클락을 재생하는 2차 재생 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040054073A

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020020080707

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  이대수 ,  김동철 ,  임영안 ,  김성복

IPC: H01S5/065

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306

Abstract: PURPOSE: A self-mode locking semiconductor laser diode at multi region is provided to control the intensity of beams and the variation of phases by using a complex-coupling DFB laser having a particular signal oscillation mode. CONSTITUTION: A multi-region self-mode locking semiconductor laser diode includes a DFB laser region and an external resonator. The DFB laser region(DFB) includes a complex-coupling diffraction grid and an active structure for controlling the intensity of oscillated laser beam in order to oscillate the laser beam of a single mode. The external resonator(EC) includes a phase control region and an amplification region. The phase control region includes a waveguide layer for controlling a phase difference of the feedback laser beam. The amplification region includes an active structure for controlling the intensity of the laser beams. The DFB laser region and the external resonator are formed on a single substrate.

Abstract translation: 目的：提供多区域的自锁式半导体激光二极管，通过使用具有特定信号振荡模式的复耦合DFB激光器来控制光束的强度和相位的变化。 构成：多区域自锁式半导体激光二极管包括DFB激光区域和外部谐振器。 DFB激光区域（DFB）包括复耦合衍射栅格和用于控制振荡的激光束的强度以便振荡单模激光束的有源结构。 外部谐振器（EC）包括相位控制区域和放大区域。 相位控制区域包括用于控制反馈激光束的相位差的波导层。 放大区域包括用于控制激光束强度的有源结构。 DFB激光区域和外部谐振器形成在单个基板上。

公开(公告)号：KR1020030067142A

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：KR1020020007011

申请日：2002-02-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  송정호 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: H01S5/10

CPC classification number: G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1231

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device with differential-grating is provided to fabricate an optical device including grating without using expensive equipment and form a self-pulsating distributed feedback(DFB) laser diode of high yield by using a holography method capable of increasing fabricating yield of the optical device. CONSTITUTION: An n-type InP substrate(10) is prepared. A stacked structure including a waveguide layer(22) and an active layer(26) is formed on the InP substrate. The first grating(12a) is formed under the stacked structure on the InP substrate. The second grating(32a) is formed on the stacked structure. An n-type InP clad layer(20) is further included between the first grating and the stacked structure. A p-type InP clad layer(30) is further included between the stacked structure and the second grating.

Abstract translation: 目的：提供具有差分光栅的半导体光学器件，以制造包括光栅的光学器件，而不使用昂贵的设备，并且通过使用能够提高制造成品率的全息方法形成高产量的自脉动分布反馈（DFB）激光二极管 光学装置。 构成：制备n型InP衬底（10）。 在InP衬底上形成包括波导层（22）和有源层（26）的叠层结构。 第一光栅（12a）形成在InP衬底上的层叠结构下。 第二光栅（32a）形成在堆叠结构上。 在第一光栅和堆叠结构之间还包括n型InP包覆层（20）。 在堆叠结构和第二光栅之间还包括p型InP包覆层（30）。